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公开(公告)号：CN108886004B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201780015110.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种半导体工具包含：照射源，其用以产生照射光束；一或多个照射光学元件，其用以将所述照射光束的一部分引导到样本；检测器；一或多个收集光学元件，其用以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述检测器。所述控制器经配置以：在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据、选择用于对准区带确定的分析区域、将所述分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带；使用第一对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第一对准区带的所述对准数据建模，且使用不同于所述第一对准模型的第二对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第二对准区带的所述对准数据建模。
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公开(公告)号：CN107431030A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019869.8
申请日：2016-04-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明揭示衬底的平面内变形的确定，其包含：测量所述衬底在未夹紧状态中的一或多个平面外变形；基于所述衬底在所述未夹紧状态中的所述所测量平面外变形确定在所述未夹紧状态中的所述衬底上的膜的有效膜应力；基于在所述未夹紧状态中的所述衬底上的所述膜的所述有效膜应力确定所述衬底在夹紧状态中的平面内变形；及基于所述所测量平面外变形或所述所确定平面内变形中的至少一者调整处理工具或叠加工具中的至少一者。
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公开(公告)号：CN107431030B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201680019869.8
申请日：2016-04-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明揭示衬底的平面内变形的确定，其包含：测量所述衬底在未夹紧状态中的一或多个平面外变形；基于所述衬底在所述未夹紧状态中的所述所测量平面外变形确定在所述未夹紧状态中的所述衬底上的膜的有效膜应力；基于在所述未夹紧状态中的所述衬底上的所述膜的所述有效膜应力确定所述衬底在夹紧状态中的平面内变形；及基于所述所测量平面外变形或所述所确定平面内变形中的至少一者调整处理工具或叠加工具中的至少一者。
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公开(公告)号：CN108886004A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780015110.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种半导体工具包含：照射源，其用以产生照射光束；一或多个照射光学元件，其用以将所述照射光束的一部分引导到样本；检测器；一或多个收集光学元件，其用以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述检测器。所述控制器经配置以：在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据、选择用于对准区带确定的分析区域、将所述分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带；使用第一对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第一对准区带的所述对准数据建模，且使用不同于所述第一对准模型的第二对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第二对准区带的所述对准数据建模。
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