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公开(公告)号：CN110015700A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910398845.3
申请日：2019-05-14
Applicant: 福州大学
IPC: C01G53/04
Abstract: 本发明公开了一种氢氧化镍和氧化镍纳米带取向薄膜的制备方法。将六水硫酸镍溶解在去离子水溶液中，加入氢氧化钠颗粒混合均匀之后，转移到高温反应釜中在150~200℃反应12~72h；用蒸馏水，无水乙醇洗涤，去除杂质；然后溶解在高纯度乙醇溶液中，得到氢氧化镍溶液；在40~60℃下烘干该溶液得到粉末，在300℃下热处理4h，得到黑色的氧化镍粉末；制备浓度为5mol/mL的氢氧化镍和氧化镍溶液，使用注射器将其以100~1000μL/min速度注射到水溶液中，形成取向薄膜，将薄膜转移到基片上，并将其在40~60℃真空干燥箱中烘干。本发明制备的氢氧化镍和氧化镍取向薄膜取向度较高，有望应用于电化学等各个领域。
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公开(公告)号：CN110451512B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910816709.1
申请日：2019-08-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于低维纳米薄膜材料领域，具体涉及一种二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料及其液相剥离的制备方法。将Ca2Si粉末和Al粉末在氩气保护气氛下混合，经过球磨使混合物粉末充分反应，得到Al掺杂的Ca2Si粉末材料。然后将LiOH粉末溶于乙二醇中形成溶液，取Al掺杂的Ca2Si的粉末材料溶于溶液中，搅拌后的溶液加入到热压釜中保温一定时间，使Li+插入到Ca2Si材料的层间，冷却后离心过滤后，洗涤并分离出固体物质，真空干燥处理，得到二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料。本发明能够获得纯度高的Al掺杂Ca2Si薄膜材料，产率高，制备工艺简单且所获得产物有望应用于各个领域，具有很好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN110344025B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910816710.4
申请日：2019-08-30
Applicant: 福州大学
IPC: C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明属于低维纳米薄膜材料领域，具体涉及一种二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜及其化学气相沉积方法。将装有Ca粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的前端区域，将装有Zn粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的中间区域，预处理后的玻璃基底放置在三温区高温管式炉的末端区域。在氩气和SiH4的载气下，以一定的升温速率加热三温区管式炉的前端、中间和末端区域，反应一段时间，反应生成物沉积于玻璃基底上，再将反应生成物在管式炉中进行原位退火处理，得到二维Zn掺杂Ca2Si薄层材料。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，有望能够实现大规模、高质量的二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜的生产，具有很好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN113097292B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110355623.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种Ga2SSe材料的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。主要制备过程是将硒化镓多晶粉末利用液相剥离法得到片层硒化镓样品，随后将片层硒化镓样品硫化处理获得Ga2SSe材料。制备出的Ga2SSe材料拥有较高的载流子迁移率，当作为沟道材料应用在栅长为5纳米的场效应晶体管上时表现出优异的输运性能，能够有效克服短沟道效应带来的问题。本发明制备的流程操作简单，产品质量好，在电子器件等工程领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN113097292A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110355623.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种Ga2SSe材料的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。主要制备过程是将硒化镓多晶粉末利用液相剥离法得到片层硒化镓样品，随后将片层硒化镓样品硫化处理获得Ga2SSe材料。制备出的Ga2SSe材料拥有较高的载流子迁移率，当作为沟道材料应用在栅长为5纳米的场效应晶体管上时表现出优异的输运性能，能够有效克服短沟道效应带来的问题。本发明制备的流程操作简单，产品质量好，在电子器件等工程领域具有巨大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109898053B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910329408.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/02 , H01L31/0264 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种III‑VI族异质结太阳能电池材料的制备方法，其是将K9玻璃作为基片衬底作为阳极，以块体材料作为靶材放在阴极，在Ar气保护下于一定功率开始溅射沉积。溅射结束在基片衬底上沉积一层薄膜后，更换靶材材料，进行第二次沉积。最后将玻璃基片置于无水乙醇和去离子水中前后清洗去除杂质后，干燥即可得到所述的片状III‑VI族异质结太阳能电池材料。本发明具有制备工艺简单，可重复性强，成品率高，成本低等优点，从而可用于太阳能电池电极材料，促进能源问题的解决。
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公开(公告)号：CN110451512A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910816709.1
申请日：2019-08-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于低维纳米薄膜材料领域，具体涉及一种二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料及其液相剥离的制备方法。将Ca2Si粉末和Al粉末在氩气保护气氛下混合，经过球磨使混合物粉末充分反应，得到Al掺杂的Ca2Si粉末材料。然后将LiOH粉末溶于乙二醇中形成溶液，取Al掺杂的Ca2Si的粉末材料溶于溶液中，搅拌后的溶液加入到热压釜中保温一定时间，使Li+插入到Ca2Si材料的层间，冷却后离心过滤后，洗涤并分离出固体物质，真空干燥处理，得到二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料。本发明能够获得纯度高的Al掺杂Ca2Si薄膜材料，产率高，制备工艺简单且所获得产物有望应用于各个领域，具有很好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN110344025A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910816710.4
申请日：2019-08-30
Applicant: 福州大学
IPC: C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明属于低维纳米薄膜材料领域，具体涉及一种二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜及其化学气相沉积方法。将装有Ca粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的前端区域，将装有Zn粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的中间区域，预处理后的玻璃基底放置在三温区高温管式炉的末端区域。在氩气和SiH4的载气下，以一定的升温速率加热三温区管式炉的前端、中间和末端区域，反应一段时间，反应生成物沉积于玻璃基底上，再将反应生成物在管式炉中进行原位退火处理，得到二维Zn掺杂Ca2Si薄层材料。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，有望能够实现大规模、高质量的二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜的生产，具有很好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN109999849A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910329955.4
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: B01J27/057 , B01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料及制备方法，在氢气和氩气载气下，利用低压化学气相沉积法，在高温退火银箔的基底上合成正交相Ⅲ-Ⅵ族InSe/InS、InSe/GaS、InSe/GaSe、InS/GaSe、InS/GaS或GaSe/GaS异质结。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，所制备的正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结有望应用于光催化材料领域。
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公开(公告)号：CN109898053A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910329408.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/02 , H01L31/0264 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种III-VI族异质结太阳能电池材料的制备方法，其是将K9玻璃作为基片衬底作为阳极，以块体材料作为靶材放在阴极，在Ar气保护下于一定功率开始溅射沉积。溅射结束在基片衬底上沉积一层薄膜后，更换靶材材料，进行第二次沉积。最后将玻璃基片置于无水乙醇和去离子水中前后清洗去除杂质后，干燥即可得到所述的片状III-VI族异质结太阳能电池材料。本发明具有制备工艺简单，可重复性强，成品率高，成本低等优点，从而可用于太阳能电池电极材料，促进能源问题的解决。
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