公开(公告)号：CN109999850A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910329977.0

申请日：2019-04-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  张致远 ,  张竹海 ,  萨百晟 ,  余新江 ,  谭小林

IPC: B01J27/057 ,  B01J27/04 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种第Ⅲ主族硫属化物光催化材料及制备方法，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法合成尺寸均匀的Ⅲ-Ⅵ族化合物薄片。在反应温度下保持10-20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭通入氩气和氢气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的第Ⅲ主族硫属化物化合物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的第Ⅲ主族硫属化物化合物薄片，制备工艺简单，可规模化量产。

公开(公告)号：CN109999849A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910329955.4

申请日：2019-04-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  张致远 ,  张竹海 ,  萨百晟 ,  贺啸俊 ,  蔡书畅

IPC: B01J27/057 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料及制备方法，在氢气和氩气载气下，利用低压化学气相沉积法，在高温退火银箔的基底上合成正交相Ⅲ-Ⅵ族InSe/InS、InSe/GaS、InSe/GaSe、InS/GaSe、InS/GaS或GaSe/GaS异质结。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，所制备的正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结有望应用于光催化材料领域。