一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法

    公开(公告)号:CN109999881A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910329901.8

    申请日:2019-04-23

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法,包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理,利用低压化学气相沉积的方法在含氮气氛下合成尺寸均匀的N掺杂第Ⅲ主族硫属化物薄片,在反应温度下保持10-20分钟,等到自然冷却至室温时,同时关闭通入氩气与氨气,即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模,高质量的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄片,制备工艺简单,可规模化量产,有望应用于光催化领域。

    一种化学气相沉积法制备的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料

    公开(公告)号:CN109999848A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910329612.8

    申请日:2019-04-23

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积法制备的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料,包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理,利用低压化学气相沉积的方法在反应腔内添加Ca源合成尺寸均匀的Ca掺杂Ⅲ-Ⅵ族化合物薄片,在反应温度下保持10-20分钟,等到自然冷却至室温时,同时关闭氩气与氢气,即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族化合物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模,高质量的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族化合物薄片,制备工艺简单,可规模化量产,可作为一种新型光催化材料。

    一种Te元素掺杂四方相Sr2Sb材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113293320A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110686416.3

    申请日:2021-06-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及Sr‑Sb合金材料技术领域,尤其涉及一种Te元素掺杂四方相Sr2Sb材料及其制备方法。称取Sr粉、Sb粉和Te粉,高速粉碎,将粉碎后的粉体放入真空球磨机中,在氩气的保护气氛下球磨,将球磨后的粉末装入进行压制成型,得到粒状坯体;将粒状坯体放入微波烧结炉内,进行充分反应,降至室温,洗涤去除反应中的杂质,干燥得到Te掺杂四方相Sr2Sb块状试样。本发明制备方法与传统的固相加热法相比,具有节约原料、反应速度快、样品纯度高,而且方法简单、易于操作、高效节能等优点。

    一种Se掺杂四方相Sr2Bi材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113385682B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202110686872.8

    申请日:2021-06-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明属于合金材料技术领域,具体涉及一种Se掺杂四方相Sr2Bi材料及其制备方法。将Sr、Bi和Se粉末混合均匀后放入条形石英管中;将石英管升温至粉末熔化成熔融液体,将得到的熔融液体倒入加热漏包中,液体由漏包底部的小孔流入到喷嘴处雾化区域;高速喷出雾化气体,将喷嘴雾化区域流出的熔融液体冲击破碎成小颗粒的液滴,液滴急速冷却凝固后掉入到收集室中;将收集室中收集的粉末与将洗净的磨球球磨,将球磨后得到的粉末压块,得到Se掺杂四方相Sr2Bi试样。本发明获得的Se掺杂四方相Sr2Bi材料晶粒显著提高材料的电导率,尺寸细小,均匀,样品纯度高,具有广阔的应用前景。

    一种化学气相沉积法制备的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料

    公开(公告)号:CN109999848B

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN201910329612.8

    申请日:2019-04-23

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积法制备的掺Ca正交相Ⅲ‑Ⅵ族光催化材料,包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理,利用低压化学气相沉积的方法在反应腔内添加Ca源合成尺寸均匀的Ca掺杂Ⅲ‑Ⅵ族化合物薄片,在反应温度下保持10‑20分钟,等到自然冷却至室温时,同时关闭氩气与氢气,即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺Ca正交相Ⅲ‑Ⅵ族化合物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模,高质量的掺Ca正交相Ⅲ‑Ⅵ族化合物薄片,制备工艺简单,可规模化量产,可作为一种新型光催化材料。

    一种二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料及其液相剥离方法

    公开(公告)号:CN110451512A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910816709.1

    申请日:2019-08-30

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明属于低维纳米薄膜材料领域,具体涉及一种二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料及其液相剥离的制备方法。将Ca2Si粉末和Al粉末在氩气保护气氛下混合,经过球磨使混合物粉末充分反应,得到Al掺杂的Ca2Si粉末材料。然后将LiOH粉末溶于乙二醇中形成溶液,取Al掺杂的Ca2Si的粉末材料溶于溶液中,搅拌后的溶液加入到热压釜中保温一定时间,使Li+插入到Ca2Si材料的层间,冷却后离心过滤后,洗涤并分离出固体物质,真空干燥处理,得到二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料。本发明能够获得纯度高的Al掺杂Ca2Si薄膜材料,产率高,制备工艺简单且所获得产物有望应用于各个领域,具有很好的产业化前景。

    一种二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜及其化学气相沉积方法

    公开(公告)号:CN110344025A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910816710.4

    申请日:2019-08-30

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明属于低维纳米薄膜材料领域,具体涉及一种二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜及其化学气相沉积方法。将装有Ca粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的前端区域,将装有Zn粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的中间区域,预处理后的玻璃基底放置在三温区高温管式炉的末端区域。在氩气和SiH4的载气下,以一定的升温速率加热三温区管式炉的前端、中间和末端区域,反应一段时间,反应生成物沉积于玻璃基底上,再将反应生成物在管式炉中进行原位退火处理,得到二维Zn掺杂Ca2Si薄层材料。该方法制备工艺简单,产品纯度较高,有望能够实现大规模、高质量的二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜的生产,具有很好的产业化前景。

    一种二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料及其液相剥离方法

    公开(公告)号:CN110451512B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN201910816709.1

    申请日:2019-08-30

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明属于低维纳米薄膜材料领域,具体涉及一种二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料及其液相剥离的制备方法。将Ca2Si粉末和Al粉末在氩气保护气氛下混合,经过球磨使混合物粉末充分反应,得到Al掺杂的Ca2Si粉末材料。然后将LiOH粉末溶于乙二醇中形成溶液,取Al掺杂的Ca2Si的粉末材料溶于溶液中,搅拌后的溶液加入到热压釜中保温一定时间,使Li+插入到Ca2Si材料的层间,冷却后离心过滤后,洗涤并分离出固体物质,真空干燥处理,得到二维Al掺杂Ca2Si纳米薄膜材料。本发明能够获得纯度高的Al掺杂Ca2Si薄膜材料,产率高,制备工艺简单且所获得产物有望应用于各个领域,具有很好的产业化前景。

    一种Te元素掺杂四方相Sr2Sb材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113293320B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202110686416.3

    申请日:2021-06-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及Sr‑Sb合金材料技术领域,尤其涉及一种Te元素掺杂四方相Sr2Sb材料及其制备方法。称取Sr粉、Sb粉和Te粉,高速粉碎,将粉碎后的粉体放入真空球磨机中,在氩气的保护气氛下球磨,将球磨后的粉末装入进行压制成型,得到粒状坯体;将粒状坯体放入微波烧结炉内,进行充分反应,降至室温,洗涤去除反应中的杂质,干燥得到Te掺杂四方相Sr2Sb块状试样。本发明制备方法与传统的固相加热法相比,具有节约原料、反应速度快、样品纯度高,而且方法简单、易于操作、高效节能等优点。

    一种Se掺杂四方相Sr2Bi材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113385682A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110686872.8

    申请日:2021-06-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明属于合金材料技术领域,具体涉及一种Se掺杂四方相Sr2Bi材料及其制备方法。将Sr、Bi和Se粉末混合均匀后放入条形石英管中;将石英管升温至粉末熔化成熔融液体,将得到的熔融液体倒入加热漏包中,液体由漏包底部的小孔流入到喷嘴处雾化区域;高速喷出雾化气体,将喷嘴雾化区域流出的熔融液体冲击破碎成小颗粒的液滴,液滴急速冷却凝固后掉入到收集室中;将收集室中收集的粉末与将洗净的磨球球磨,将球磨后得到的粉末压块,得到Se掺杂四方相Sr2Bi试样。本发明获得的Se掺杂四方相Sr2Bi材料晶粒显著提高材料的电导率,尺寸细小,均匀,样品纯度高,具有广阔的应用前景。

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