公开(公告)号：CN113097292B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110355623.0

申请日：2021-04-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  蔡书畅 ,  熊锐 ,  温翠莲 ,  沈笑天

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种Ga2SSe材料的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。主要制备过程是将硒化镓多晶粉末利用液相剥离法得到片层硒化镓样品，随后将片层硒化镓样品硫化处理获得Ga2SSe材料。制备出的Ga2SSe材料拥有较高的载流子迁移率，当作为沟道材料应用在栅长为5纳米的场效应晶体管上时表现出优异的输运性能，能够有效克服短沟道效应带来的问题。本发明制备的流程操作简单，产品质量好，在电子器件等工程领域具有巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN113097292A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110355623.0

申请日：2021-04-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  蔡书畅 ,  熊锐 ,  温翠莲 ,  沈笑天

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种Ga2SSe材料的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。主要制备过程是将硒化镓多晶粉末利用液相剥离法得到片层硒化镓样品，随后将片层硒化镓样品硫化处理获得Ga2SSe材料。制备出的Ga2SSe材料拥有较高的载流子迁移率，当作为沟道材料应用在栅长为5纳米的场效应晶体管上时表现出优异的输运性能，能够有效克服短沟道效应带来的问题。本发明制备的流程操作简单，产品质量好，在电子器件等工程领域具有巨大的应用前景。