公开(公告)号：CN111048582A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN202010027109.X

申请日：2020-01-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  杨倩 ,  陈耿旭 ,  郭太良 ,  吕东旭 ,  黄金松

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种调节金属氧化物突触晶体管突触可塑性的方法，所述金属氧化物突触晶体管为底栅顶接触结构，包括由下至上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极，在制备完成所述金属氧化物突触晶体管的绝缘层后，对其进行激光照射处理，通过调节激光照射参数调节金属氧化物突触晶体管的突触响应特性。该方法有利于快速、便捷、低温地调节突触晶体管的突触可塑性。

公开(公告)号：CN111048582B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010027109.X

申请日：2020-01-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  杨倩 ,  陈耿旭 ,  郭太良 ,  吕东旭 ,  黄金松

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种调节金属氧化物突触晶体管突触可塑性的方法，所述金属氧化物突触晶体管为底栅顶接触结构，包括由下至上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极，在制备完成所述金属氧化物突触晶体管的绝缘层后，对其进行激光照射处理，通过调节激光照射参数调节金属氧化物突触晶体管的突触响应特性。该方法有利于快速、便捷、低温地调节突触晶体管的突触可塑性。

公开(公告)号：CN109755255A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910069115.9

申请日：2019-01-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  吕东旭 ,  杨倩 ,  李恩龙

IPC: H01L27/1159 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及了一种金属氧化物存储器及其制备方法。该金属氧化物晶体管存储器采用顶栅垂直结构，器件自下而上依次是纯硅片基底、漏电极、金属氧化物半导体薄膜、网状源极和源极接触电极、绝缘层和顶部栅极。垂直结构金属氧化物存储器除电极外，其余各层均采用旋涂法制备。本发明提供的垂直结构金属氧化物存储器，可突破传统工艺对尺寸的限制，并实现大的电流密度和出色的存储性能以及快速的存储速度，在非易失性存储、柔性存储器和智能机器人等方面有很大的应用前景。