一种中远红外非线性光学晶体硫磷镉的制备及应用

    公开(公告)号:CN115216844A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210442332.X

    申请日:2022-04-25

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种中远红外非线性光学晶体硫磷镉,其结构式为Cd3.5PS6,相对分子量616.78,属于单斜非中心对称晶系Cc,晶胞参数为:α=γ=90°,β=108.74°,Z=4。本发明制备过程是通过密封的真空石英管在高温下反应制备。本发明制得的Cd3.5PS6晶体因属硫属化合物在红外波段的透过率高,并且M‑S/Se键极化程度比氧化物的M‑O键更高,可以作为优异的中远红外非线性材料。本发明制得的Cd3.5PS6晶体具备优异的红外倍频性能,同时具备高损伤阈值,利于提高器件的使用寿命。

    一种铕离子掺杂的CaF2光功能粉体的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN108865120A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810915022.9

    申请日:2018-08-13

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: C09K11/7733 G01N21/643 G01N2021/6432

    Abstract: 本发明提供了一种Eu3+掺杂的CaF2光功能粉体的制备方法及其应用,具体制备方法为:称取适量的乙酸钙和稀土铕盐粉体(Eu3+掺杂摩尔比为1~16%),加入到以异丙醇、乙醇和水的溶剂,按n(Ca2++Eu3+):n(F‑)=1:2的摩尔计量比,称取氟化氢铵,搅拌均匀后得溶胶A;将溶胶A干燥得到的胶态物质进行热处理,从室温升至300~700℃,保温一定时间,随炉冷却至室温,研磨得到Eu3+掺杂的CaF2粉体。由该技术方案制备出的Eu3+掺杂的CaF2光功能粉体具有合成工艺简单、产量高、成本低和适合于大规模生产等特点,而且能够对水溶液中的Cr2O72‑离子同时实现吸附与检测功能。

    聚丙烯酸改性的椭球状单分散NaGdF<base:Sub>4</base:Sub>:Yb<base:Sup>3+</base:Sup>,Er<base:Sup>3+</base:Sup>上转换荧光粉

    公开(公告)号:CN105131956B

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201510572706.X

    申请日:2015-09-10

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种聚丙烯酸改性的椭球状单分散NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉的制备方法。采用水热法,用聚丙烯酸作表面改性剂,通过调节聚丙烯酸用量,pH值,NaF、NH4HF2和稀土离子总量之间的配比,实现了疏松多孔椭球状NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉的合成,且制得的荧光粉体具有单分散性,该方法制备工艺简单,丰富了NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉体的表现形式。疏松多孔状的NaGdF4:Yb3+,Er3+荧光粉有望用于吸附材料的制备领域,结合荧光粉的发光特性,这种椭球状单分散的NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉在生物荧光领域也有很大的应用前景。

    聚丙烯酸改性的球状单分散NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉

    公开(公告)号:CN105086999A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510572883.8

    申请日:2015-09-10

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种聚丙烯酸改性的球状单分散NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉的制备方法。采用水热法,用聚丙烯酸作表面改性剂,通过调节NaF、NH4HF2和稀土离子总量之间的配比,实现了球状NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉的合成,且制得的荧光粉体具有单分散性,该方法制备工艺简单,丰富了NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉体的表现形式。由于比表面积较大的球状单分散NaGdF4:Yb3+,Er3+荧光粉的上转换效率高,且聚丙烯酸包裹的荧光粉表面具有亲水基团,扩大了球状单分散NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光粉在生物标记和有机-无机发光材料领域的应用前景。

    一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN113293429B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202110603475.X

    申请日:2021-05-31

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 王国强 李凌云

    Abstract: 本发明公开了一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法,采用真空密闭助熔剂坩埚下降法。引入助熔剂Sb2S3来降低单斜相Ga2S3单晶的结晶温度,通过晶体生长参数(温度梯度,下降速度等),制得能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶,尺寸可达Φ10×20mm,且在紫外可见光区域透过率可达90%以上。

    碱金属-稀土异金属框架化合物、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113234232B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110584639.9

    申请日:2021-05-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种碱金属‑稀土异金属框架化合物,该化合物的化学简式为:[NH2(CH3)2](Eu3Li2L4),其中,L为去质子化的配体,H3L=1,3,5‑三(4‑羧基苯基)苯(H3BTB),该化合物晶体结构属于正交晶系,空间群为Pcca,晶体结构中金属锂和稀土金属通过羧基氧连接成柱状结构,该柱状结构彼此通过去质子化配体L连接,形成三维框架结构,晶体结构中具有多级孔道结构。本发明的碱金属‑稀土异金属框架化合物具有两个不同的金属中心和多级微孔结构,为染料吸附和锂离子传输提供了充足的孔道,在发光材料和电池材料领域具有潜在应用。

    一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN113293429A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110603475.X

    申请日:2021-05-31

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 王国强 李凌云

    Abstract: 本发明公开了一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法,采用真空密闭助熔剂坩埚下降法。引入助熔剂Sb2S3来降低单斜相Ga2S3单晶的结晶温度,通过晶体生长参数(温度梯度,下降速度等),制得能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶,尺寸可达Φ10×20mm,且在紫外可见光区域透过率可达90%以上。

    一种用于生长钼酸锶晶体的方法

    公开(公告)号:CN107723796A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201710991667.6

    申请日:2017-10-23

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: C30B29/32 C30B9/12 G02B1/02

    Abstract: 本发明提供一种用于生长SrMoO4晶体或者激活离子掺杂SrMoO4晶体的方法,采用顶部籽晶助熔剂法制备,所用助熔剂为Na 2MoO4+B2O3或K2MoO4+B2O3的复合助熔剂。在复合助熔剂体系中,Na2MoO4或K2MoO4与B2O3的摩尔比为4:1,激活离子为Tm3+、Ho3+、Yb3+、Er3+或Pr3+。本发明所述的制备SrMoO4晶体技术方法,可以将SrMoO4晶体的生长温度降低,同时还可以有效降低熔体体系在生长过程中的挥发性,稳定晶体的生长环境。

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