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公开(公告)号：CN119800513A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510041519.2
申请日：2025-01-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种新型钡锑碲硫晶体及其制备方法和应用，所述新型钡锑碲硫晶体的结构式为BaSbTe2S；所述新型钡锑碲硫晶体的结构为：结构中Ba含有2个晶体学位点，Sb含有2个晶体学位点，Te含有4个晶体学位点，S含有2个晶体学位点；其中，Sb原子分别与5个Te原子和1个S原子连接形成[SbTe5S]畸变八面体，单独的Te原子相互连接构成平面方形网状[Te2]层；Ba原子分别与5个Te原子和4个S原子连接形成[BaTe5S4]多面体，Ba原子填充在层间用于平衡电荷，Ba原子沿c轴方向排列构成了二维的层状结构；该方法制得的新型钡锑碲硫晶体具有电荷密度波和超导的特性，可应用于热电、强相关电子系统及量子霍尔效应领域。
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公开(公告)号：CN115216844B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210442332.X
申请日：2022-04-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种中远红外非线性光学晶体硫磷镉，其结构式为Cd3.5PS6，相对分子量616.78，属于单斜非中心对称晶系Cc，晶胞参数为：#imgabs0##imgabs1#α＝γ＝90°，β＝108.74°，#imgabs2#Z＝4。本发明制备过程是通过密封的真空石英管在高温下反应制备。本发明制得的Cd3.5PS6晶体因属硫属化合物在红外波段的透过率高，并且M‑S/Se键极化程度比氧化物的M‑O键更高，可以作为优异的中远红外非线性材料。本发明制得的Cd3.5PS6晶体具备优异的红外倍频性能，同时具备高损伤阈值，利于提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115216844A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210442332.X
申请日：2022-04-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种中远红外非线性光学晶体硫磷镉，其结构式为Cd3.5PS6，相对分子量616.78，属于单斜非中心对称晶系Cc，晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝108.74°，Z＝4。本发明制备过程是通过密封的真空石英管在高温下反应制备。本发明制得的Cd3.5PS6晶体因属硫属化合物在红外波段的透过率高，并且M‑S/Se键极化程度比氧化物的M‑O键更高，可以作为优异的中远红外非线性材料。本发明制得的Cd3.5PS6晶体具备优异的红外倍频性能，同时具备高损伤阈值，利于提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119121401A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411286594.7
申请日：2024-09-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有低热导率的无机卤化物钙钛矿材料及其制备方法和应用，所述具有低热导率的无机卤化物钙钛矿材料的分子式为Rb4Sb2Br12；所述具有低热导率的无机卤化物钙钛矿材料为四重钙钛矿材料，属于四方晶系，I41/a空间群；所述具有低热导率的无机卤化物钙钛矿材料由SbBr63‑八面体框架组成，Rb原子占据八面体之间的空腔，其中，Sb为+3和+5的混合价态；该方法制备的Rb4Sb2Br12钙钛矿单晶结构复杂，无污染，价格低廉，制备简单，具有本征低热导率，能生长成大块；常温下Rb4Sb2Br12单晶的本征热导率可达0.24Wm‑1K‑1，150℃下本征热导率可达0.21Wm‑1K‑1，是一种非常有前景的低热导材料。
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公开(公告)号：CN118833849A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410829947.7
申请日：2024-06-25
Applicant: 福州大学
IPC: C01G3/00 , C01G3/12 , H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种P型KCu7(1‑x)S4热电材料的制备方法，具体包括以下步骤：S1、称量：将高纯K块、Cu粒和S粒按照K:Cu:S＝1:7(1‑x):4的摩尔比例称量并混合均匀，其中，x的取值为0、0.01、0.02、0.03、0.035、0.04或0.05；S2、真空封装：将步骤S1中称量好的原料放入内壁镀有碳膜的石英管中真空密封，得到真空密封石英管；S3、熔炼：将步骤S2中密封好的石英管放入马弗炉中进行熔炼，得到熔炼铸锭；S4、研磨：将步骤S3中铸锭在手套箱中通过玛瑙研钵研磨，得到均匀粉末；S5、放电等离子体烧结：将步骤S4中的均匀粉末放入石墨模具中利用放电等离子体烧结压制成块，得到高密度块体，即KCu7(1‑x)S4热电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117964367A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410143630.8
申请日：2024-02-01
Applicant: 福州大学
IPC: C04B35/547 , H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/626 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种新型银铋硫矿结构热电材料及其制备方法，所述新型银铋硫矿结构热电材料的化学式为Pb5Sb12+xBi6‑xSe32或Pb4Sb12‑xBi8+xSe34；所述Pb5Sb12+xBi6‑xSe32中，0≤x≤5，Pb5Sb12+xBi6‑xSe32的NaCl结构单元形成层中对角线八面体数量为8；所述Pb4Sb12‑xBi8+xSe34中，0≤x≤6，Pb4Sb12‑xBi8+xSe34的NaCl结构单元形成层中对角线八面体数量为8；本发明得到的Pb4Sb9Bi11Se34材料，本征热电优值为0.48，该合成方法简单，成本低廉，可大规模推广应用，前景广阔。
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公开(公告)号：CN117845331A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410040276.6
申请日：2024-01-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种新型β相硫磷铅双折射晶体及其制备方法和应用，所述新型β相硫磷铅双折射晶体的结构式为β‑Pb3P2S8，相对分子量为939.99，属于正交中心对称空间群Pbcn，晶胞参数为：#imgabs0#α＝γ＝β＝90°，#imgabs1#Z＝4；所述新型β相硫磷铅双折射晶体的晶体结构为：结构中Pb含有2个不同的晶体学位点，P含有1个晶体学位点，S含有4个晶体学位点：其中，Pb(1)原子和Pb(2)原子分别与S原子形成[Pb(1)S7]五角双锥和[Pb(2)S8]十二面体，P原子与S原子形成[PS4]四面体，各个多面体之间通过共用顶点或共边的方式连接形成三维的空间结构，该三维的空间结构中的多面体沿b轴方向排列，形成了各向异性的结构；该方法制得的β‑Pb3P2S8晶体具有较大的双折射率，可作为中红外功能材料。
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公开(公告)号：CN118450783A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410548125.1
申请日：2024-05-06
Applicant: 福州大学
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种新型立方相热电材料及其制备方法，所述新型立方相热电材料的化学式为CuGa0.72In0.28TeSe；所述CuGa0.72In0.28TeSe的晶体结构为立方结构，空间群为#imgabs0#结构中有两个晶格位点，Cu、Ga和In三个原子共同占据体12条棱的1/2处以及体心的阳离子晶格位点，Te和Se两个原子共同占据四条体对角线的1/4处的阴离子晶格位点。本发明通过高温熔炼反应得到的CuGa0.72In0.28TeSe热电材料室温下的热导率为2.42Wm‑1K‑1，热电优值在823K时为0.34，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN117888202A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410057432.X
申请日：2024-01-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种中远红外非线性光学晶体及其制备方法和应用，所述中远红外非线性光学晶体的化学式为LixCu3‑xPS4或CdxCu3‑2xPS4；所述LixCu3‑xPS4中，0.3≤x≤1.6，LixCu3‑xPS4的晶体结构分别由[CuS4]、[Li/CuS4]、[LiS4]和[PS4]四面体组成，这些四面体之间通过共顶点连接的方式沿着a轴方向形成四面体链，然后这些四面体链在ab平面形成四面体层，最后沿着c轴方向这些四面体层连接形成了三维的类金刚石结构；所述CdxCu3‑2xPS4中，0.1≤x≤0.4，CdxCu3‑2xPS4的晶体结构分别由[CuS4]、[Cd/CuS4]和[PS4]四面体组成，这些四面体之间通过共顶点连接的方式沿着a轴方向形成四面体链，然后这些四面体链在ab平面形成四面体层，最后沿着c轴方向这些四面体层连接形成了三维的类金刚石结构。
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公开(公告)号：CN117144479A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311115194.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种中远红外非线性光学晶体硫镓锰的制备方法及其在中远红外非线性光学领域的应用，其化学式为MnGa2S4，相对分子量为322.62，晶体结构属于缺陷黄铜矿结构，结晶于四方空间群 晶胞参数为：Z＝2；该制备方法是在真空条件下利用高温固相反应自发结晶生长晶体，本发明制备的MnGa2S4具有优异的中远红外非线性光学效应，其在红外波段透过率高，满足第Ⅰ类相位匹配要求，并拥有较强的倍频效应，宽的带隙，结果表明，其可作为优异的新型中远红外非线性光学晶体。
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