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公开(公告)号：CN102856139B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210329143.8
申请日：2012-09-07
Applicant: 福州大学
IPC: H01J1/304
Abstract: 本发明涉及表面传导电子发射平板显示技术领域，特别是一种基于石墨烯的表面传导电子发射源，包括一基板和平行设置于所述基板表面上的两个电极，两个所述电极之间间隙及电极外旁侧设置有纳米材料层，两个所述电极或其中之一的上部设置有石墨烯薄膜元件，所述石墨烯薄膜元件的一旁侧或两旁侧向外延伸。本发明将表面传导型场发射结构与石墨烯的强电子发射性能及纳米材料阵列的二次电子发射性能有效结合，在本器件中石墨烯作为电子发射源，纳米材料阵列既作为表面电子传导层，又作为石墨烯的支撑体。该表面传导电子发射源工作电压低，电子发射效率高，发射稳定可靠，制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN103035842B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201310000243.0
申请日：2013-01-04
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器是在绝缘衬底上形成包括底电极、有机功能层以及顶电极的三层结构器件。本发明中有机功能层采用掺杂有石墨烯量子点的聚合物溶在底电极上旋涂成膜，并采用热蒸发法蒸镀阴极金属材料成膜形成顶电极，制成基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器。该器件的制备工艺简单，过程易控制，重复性高，器件的结构简单，性能稳定，响应速度快，且可通过柔性衬底制成柔性器件，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102992311B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210525033.9
申请日：2012-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种由碳纳米管制备石墨烯量子点的方法，在碳纳米管中加入硝酸和硫酸的混合溶液，水浴加热、磁力搅拌后冷却至室温，用蒸馏水稀释，调节pH值，渗析及超滤离心，用有机溶剂萃取，即制得石墨烯量子点。本发明采用生长方式多样、易控的碳纳米管为原料通过简单可控的水浴加热搅拌操作制备出石墨烯量子点，其具有很强荧光效应且荧光范围可控、与水混溶等特点，经萃取可与大部分聚合物混溶，可应用在很多光电材料与器件中提高器件性能。
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公开(公告)号：CN102208534A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110140230.4
申请日：2011-05-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开一种基于阻变材料的三端全控型开关元件，包括阳极、阴极、门极三个连接端及阻变薄膜，阳极和阴极位于同一平面；门极与阳极/阴极处于不同的平面，他们之间使用阻变薄膜隔离，在门极控制端电压激励下阳极与阴极之间实现阻抗的变化，表现出优异的开关特性，其开关比可达6个数量级；该开关元件具有记忆特性，在门极控制端电激励撤除后仍可保留其开关状态。这种电子开关元件结构简单、制造成本低、响应速度快（纳秒量级）、开关比大，具有记忆特性，可作为逻辑门电路、模拟多路开关、存储器、薄膜晶体管等器件的基本组成元件。本发明还公开基于阻变材料的三端全控型开关元件的制备方法。
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公开(公告)号：CN102593359B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210064637.8
申请日：2012-03-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法，该有机阻变存储装置包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述底电极与顶电极之间的有机功能层，其中所述的有机功能层为基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄膜，所述的有机功能层中包含无机纳米颗粒，所述有机功能层包含杂金属离子且该杂金属离子在有机功能层内以络合物的形式均匀稳定存在。该存储装置在不同的电压激励下表现出非易失性可擦除多值存储特性（multi-valueflash）和写一次读多次存储特性（WROM），本发明提供的阻变存储器一致性好、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低。利用本发明提供的存储装置可实现闪存存储器、多值存储器、写一次读多次存储器的集成，用于高度集成的大容量多功能集成存储器领域，具有很高的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035842A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201310000243.0
申请日：2013-01-04
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器是在绝缘衬底上形成包括底电极、有机功能层以及顶电极的三层结构器件。本发明中有机功能层采用掺杂有石墨烯量子点的聚合物溶在底电极上旋涂成膜，并采用热蒸发法蒸镀阴极金属材料成膜形成顶电极，制成基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器。该器件的制备工艺简单，过程易控制，重复性高，器件的结构简单，性能稳定，响应速度快，且可通过柔性衬底制成柔性器件，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN103022357B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210467633.4
申请日：2012-11-19
Applicant: 福州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯量子点的三体系活性层有机光伏器件及其制备方法，突破原有二元有机光伏器件的设计局限，在透明导电玻璃上采用旋涂技术和热蒸发镀膜技术制备有机光伏器件，达到提高器件能量转换效率的目的。本发明采用有机给体和受体与石墨烯量子点三体共存体系作为有机活性层，将给体、受体以一定比例溶解于含有石墨烯量子点的氯苯中，只需旋涂即可制备三体系共存结构活性层，成本低，操作简单，并有效地提高有机光伏器件的转换效率。
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公开(公告)号：CN104409632A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237604.8
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0575
Abstract: 本发明涉及一种多层结构有机阻变存储器的3D打印制备方法，该多层结构有机阻变存储器在衬底上形成包括：下电极、有机功能层、上电极、两层有机功能层间的中间电极层、与各层电极并行同厚度的介质层的多层结构。其通过上电极与下电极之间的有机功能层与中间电极层的N次叠加实现多层结构。该多层存储器完全通过3D打印及时实现制备，该器件的制备工艺简单，过程易控，且可通过柔性衬底制成柔性器件，用于高度集成的大容量多维存储器领域，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102339712B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110292565.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种图形化的石墨烯场发射阴极及其制备方法，包括阴极基板，设置于阴极基板表面的阴极和设置于阴极表面的石墨烯层，并在阴极与石墨烯之间引入导电性粘附层，通过光刻-剥离技术实现石墨烯层的图形化制备，从而获得图形化的场发射阴极。本发明提供的石墨烯场发射阴极，其电子发射电流密度大、工艺过程简单、成本低、发射稳定均匀，实现了图形化制备，适用于场发射显示器、场发射平面光源、液晶显示器用场发射背光源和真空电子器件冷阴极。
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公开(公告)号：CN102593359A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210064637.8
申请日：2012-03-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法，该有机阻变存储装置包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述底电极与顶电极之间的有机功能层，其中所述的有机功能层为基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄膜，所述的有机功能层中包含无机纳米颗粒，所述有机功能层包含杂金属离子且该杂金属离子在有机功能层内以络合物的形式均匀稳定存在。该存储装置在不同的电压激励下表现出非易失性可擦除多值存储特性（multi-valueflash）和写一次读多次存储特性（WROM），本发明提供的阻变存储器一致性好、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低。利用本发明提供的存储装置可实现闪存存储器、多值存储器、写一次读多次存储器的集成，用于高度集成的大容量多功能集成存储器领域，具有很高的应用价值。
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