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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102412368B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110292265.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述电极之间的聚酰亚胺/金属离子复合薄膜。本发明提供的阻变存储器重复性高、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102255052A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110174128.6
申请日：2011-06-27
Applicant: 福州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于AZO/碳纳米管/AZO结构的柔性电极，其包括AZO导电电极及夹在AZO电极之间的碳纳米管薄层。所述的碳纳米管薄层采用电泳法均匀地分布在两层AZO薄膜之间。所述的柔性电极为夹层结构。本发明提供的柔性电极结构在保证其透过率的同时很好地改善了其导电性，较好地改善了柔性基板弯曲后电极的导电性。本发明制备的柔性电极结构工艺简单，与传统的薄膜制备工艺能很好兼容，同时能有效解决AZO自身导电能力不足、以及弯曲之后导电能力衰减的问题，使柔性光电器件，比如柔性有机发光二极管和柔性太阳能电池有望实现实用化和量产化。
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公开(公告)号：CN102593359A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210064637.8
申请日：2012-03-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法，该有机阻变存储装置包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述底电极与顶电极之间的有机功能层，其中所述的有机功能层为基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄膜，所述的有机功能层中包含无机纳米颗粒，所述有机功能层包含杂金属离子且该杂金属离子在有机功能层内以络合物的形式均匀稳定存在。该存储装置在不同的电压激励下表现出非易失性可擦除多值存储特性（multi-valueflash）和写一次读多次存储特性（WROM），本发明提供的阻变存储器一致性好、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低。利用本发明提供的存储装置可实现闪存存储器、多值存储器、写一次读多次存储器的集成，用于高度集成的大容量多功能集成存储器领域，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102593359B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210064637.8
申请日：2012-03-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法，该有机阻变存储装置包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述底电极与顶电极之间的有机功能层，其中所述的有机功能层为基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄膜，所述的有机功能层中包含无机纳米颗粒，所述有机功能层包含杂金属离子且该杂金属离子在有机功能层内以络合物的形式均匀稳定存在。该存储装置在不同的电压激励下表现出非易失性可擦除多值存储特性（multi-valueflash）和写一次读多次存储特性（WROM），本发明提供的阻变存储器一致性好、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低。利用本发明提供的存储装置可实现闪存存储器、多值存储器、写一次读多次存储器的集成，用于高度集成的大容量多功能集成存储器领域，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102412368A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110292265.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述电极之间的聚酰亚胺/金属离子复合薄膜。本发明提供的阻变存储器重复性高、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。
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