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公开(公告)号：CN103035842B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201310000243.0
申请日：2013-01-04
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器是在绝缘衬底上形成包括底电极、有机功能层以及顶电极的三层结构器件。本发明中有机功能层采用掺杂有石墨烯量子点的聚合物溶在底电极上旋涂成膜，并采用热蒸发法蒸镀阴极金属材料成膜形成顶电极，制成基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器。该器件的制备工艺简单，过程易控制，重复性高，器件的结构简单，性能稳定，响应速度快，且可通过柔性衬底制成柔性器件，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102992311A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210525033.9
申请日：2012-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种由碳纳米管制备石墨烯量子点的方法，在碳纳米管中加入硝酸和硫酸的混合溶液，水浴加热、磁力搅拌后冷却至室温，用蒸馏水稀释，调节pH值，渗析及超滤离心，用有机溶剂萃取，即制得石墨烯量子点。本发明采用生长方式多样、易控的碳纳米管为原料通过简单可控的水浴加热搅拌操作制备出石墨烯量子点，其具有很强荧光效应且荧光范围可控、与水混溶等特点，经萃取可与大部分聚合物混溶，可应用在很多光电材料与器件中提高器件性能。
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公开(公告)号：CN103035842A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201310000243.0
申请日：2013-01-04
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器是在绝缘衬底上形成包括底电极、有机功能层以及顶电极的三层结构器件。本发明中有机功能层采用掺杂有石墨烯量子点的聚合物溶在底电极上旋涂成膜，并采用热蒸发法蒸镀阴极金属材料成膜形成顶电极，制成基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器。该器件的制备工艺简单，过程易控制，重复性高，器件的结构简单，性能稳定，响应速度快，且可通过柔性衬底制成柔性器件，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN103682054B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310716400.8
申请日：2013-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/52
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底上制备一光电器件；S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；S4：制备一复合薄膜；S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。本发明提供的石墨烯层/聚合物叠层复合薄膜具有良好的隔水氧的功能，并且具有良好的机械柔韧性，在光电器件封装方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102992311B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210525033.9
申请日：2012-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种由碳纳米管制备石墨烯量子点的方法，在碳纳米管中加入硝酸和硫酸的混合溶液，水浴加热、磁力搅拌后冷却至室温，用蒸馏水稀释，调节pH值，渗析及超滤离心，用有机溶剂萃取，即制得石墨烯量子点。本发明采用生长方式多样、易控的碳纳米管为原料通过简单可控的水浴加热搅拌操作制备出石墨烯量子点，其具有很强荧光效应且荧光范围可控、与水混溶等特点，经萃取可与大部分聚合物混溶，可应用在很多光电材料与器件中提高器件性能。
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公开(公告)号：CN103682054A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310716400.8
申请日：2013-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/52
CPC classification number: H01L51/0001
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底上制备一光电器件；S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；S4：制备一复合薄膜；S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。本发明提供的石墨烯层/聚合物叠层复合薄膜具有良好的隔水氧的功能，并且具有良好的机械柔韧性，在光电器件封装方面具有很高的应用价值。
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