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公开(公告)号：CN102212315A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110041743.X
申请日：2011-02-18
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
CPC classification number: B24C1/08 , C08G73/00 , C09G1/02 , C09G1/16 , C09G1/18 , C23F3/06 , H01L21/02074 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供可以在用于形成半导体装置的布线的研磨中合适地使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。本发明的研磨用组合物含有研磨促进剂、含有来自双氰胺等具有胍结构的聚合性化合物的结构单元的水溶性聚合物、和氧化剂。水溶性聚合物可以含有来自双氰胺的结构单元，和来自甲醛、二胺或多胺的结构单元。
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公开(公告)号：CN101186784B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200710199425.X
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α-氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN101638556A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910165248.2
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , B24B29/02 , H01L21/768
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光用组合物，合适地使用在形成半导体器件的导体配线用的抛光上。该抛光用组合物含有：作为磨料的二氧化硅、选自多糖类及聚乙烯醇中的至少一种的抑制降低剂，作为螯合剂的α-氨基酸、防腐剂和氧化剂，抛光用组合物中的所述抑制降低剂的含量为0.01～5质量％，抛光用组合物中的所述防腐剂的含量为0.0001～0.02质量％。
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公开(公告)号：CN101186784A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710199425.X
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN103154168B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201180038885.9
申请日：2011-08-02
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的研磨用组合物含有水溶性聚合物、研磨促进剂及氧化剂。水溶性聚合物为具有150mgKOH/1g·固体以上的胺值的聚酰胺多胺聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101215447B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200710199423.0
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α-氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN1837319B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200510062405.9
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C23F3/06
Abstract: 本发明的抛光用组合物具有：含量为0.001质量％以上、30质量％以下的表面阶差抑制剂、含量为0.01质量％以上、20质量％以下的二氧化硅、含量为0.01质量％以上、30质量％以下的酸、含量为0.01质量％以上、20质量％以下的氧化剂、含量为0.001质量％以上、不到0.5质量％的防腐蚀剂以及水。表面阶差抑制剂，例如至少是从贮备多糖类以及细胞多糖类选择的一种。二氧化硅例如是胶体二氧化硅、气相二氧化硅或沉淀二氧化硅。酸例如是至少从硝酸、盐酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、琥珀酸、酪酸以及丙二酸中选择的一种。氧化剂例如是过氧化氢、过硫酸盐、过草酸盐、过盐酸盐、硝酸盐或氧化性金属盐。此抛光用组合物能够适用于形成半导体器件的配线用抛光上。
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公开(公告)号：CN104755580A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380057157.1
申请日：2013-10-29
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1445 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 提供一种研磨用组合物，其适用于具有金属布线层(14)的研磨对象物的研磨，可以维持高研磨速度且减少高度差缺陷。一种研磨用组合物，其用于具有金属布线层(14)的研磨对象物的研磨，该研磨用组合物包含：金属防腐剂、络合剂、表面活性剂、和水，使用前述研磨用组合物研磨前述研磨对象物后的研磨对象物表面的固体表面能为30mN/m以下。前述表面活性剂优选为阴离子性表面活性剂。
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公开(公告)号：CN100435290C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200480028200.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 在为去除位于沟槽(13)外部的导体膜(15)部分而进行的化学机械研磨中，使用第1研磨用组合物。在为去除位于沟槽外部的导体膜部分的残留部分及位于沟槽外部的屏蔽膜部分而进行的化学机械研磨中，使用第2研磨用组合物。第1研磨用组合物含有特定的表面活性剂、硅氧化物、羧酸、防腐蚀剂、氧化剂和水。第2研磨用组合物含有胶体二氧化硅、防腐蚀剂、完全皂化型聚乙烯醇和水。
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