公开(公告)号：CN108140404B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201680059275.X

申请日：2016-09-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.陈 ,  A.李 ,  T.武 ,  H.Q.阮

IPC: G11C8/00 ,  G11C8/10 ,  G11C16/08

Abstract: 本发明涉及一种闪存存储器系统，其中一个或多个电路区块利用全耗尽型绝缘体上硅晶体管设计来使泄漏最小化。

公开(公告)号：CN106463159B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201580028428.X

申请日：2015-05-03

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.陈 ,  T.武 ,  A.李 ,  H.Q.阮

IPC: G11C5/14 ,  G11C7/20 ,  G11C16/30 ,  H03K19/0185

Abstract: 本发明公开了用于嵌入式闪存装置内的改进的通电次序的系统和方法。

公开(公告)号：CN104937666B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201480005641.4

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明公开了用于存储器装置的混合电荷泵和控制电路。

公开(公告)号：CN104956444B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480005655.6

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源(110、111、112、113)中的每个电流源经由多组开关(120‑123、130‑133、140‑143、150‑153)轮流连接到对应的一组位线(160、170、180、190)中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110‑113)的所述晶体管时的工艺变化。

公开(公告)号：CN106062877B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201580011913.6

申请日：2015-02-13

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  H.Q.阮 ,  A.利 ,  T.武

IPC: G11C7/06 ,  G11C16/28

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C7/065 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/004 ,  G11C16/0425 ,  G11C2216/04

Abstract: 公开了用在低功率纳米闪存装置中的改进的感测电路。

公开(公告)号：CN107430891A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019866.4

申请日：2016-02-23

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.陈 ,  A.李 ,  T.于 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明公开了用于抑制对耦接至未被选择的位线的存储器单元的编程同时对耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元进行编程的各种实施方案。还公开了用于在耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元的编程期间补偿泄漏电流的各种实施方案。

公开(公告)号：CN107251150A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680010715.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.陈 ,  A.李 ,  T.邬 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/22

Abstract: 本发明公开的实施方案包括一种可被配置为作为只读存储器装置操作的闪存存储器装置。在一些实施方案中，所述闪存存储器装置可被配置为闪存存储器部分和只读存储器部分。

公开(公告)号：CN104823242A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380060290.2

申请日：2013-10-09

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  H.Q.阮 ,  M.雷滕

IPC: G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C16/30 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00 ,  G11C29/26

CPC classification number: G11C29/76 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C7/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3404 ,  G11C29/021 ,  G11C29/022 ,  G11C29/028 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/26 ,  G11C2213/71 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了一种三维闪存存储器系统。

公开(公告)号：CN104285257A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024818.0

申请日：2013-02-07

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  H.Q.阮 ,  N.杜

IPC: G11C16/00

CPC classification number: G11C16/04 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/06 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3418

Abstract: 本发明公开了一种第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元的阵列在半导体衬底中以多个行和列布置。每一个存储器单元包括在半导体衬底表面上的第二导电类型的第一区，以及在半导体衬底表面上的第二导电类型的第二区。沟道区在第一区和第二区之间。字线覆盖在沟道区的第一部分上面并与其绝缘，并且与第一区相邻且几乎不与或完全不与第一区重叠。

公开(公告)号：CN109584914B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201811323753.0

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/30 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明公开了用于存储器装置的混合电荷泵和控制电路。