公开(公告)号：CN104937666B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201480005641.4

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明公开了用于存储器装置的混合电荷泵和控制电路。

公开(公告)号：CN104956444B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480005655.6

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源(110、111、112、113)中的每个电流源经由多组开关(120‑123、130‑133、140‑143、150‑153)轮流连接到对应的一组位线(160、170、180、190)中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110‑113)的所述晶体管时的工艺变化。

公开(公告)号：CN109584914B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201811323753.0

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/30 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明公开了用于存储器装置的混合电荷泵和控制电路。

公开(公告)号：CN108198581B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810146062.1

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮 ,  V.蒂瓦里

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28 ,  H10B41/10

Abstract: 本发明涉及用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术。本发明公开了用于先进纳米闪速存储器装置的改进的感测电路和改进的位线布局。

公开(公告)号：CN104937718B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201480005640.X

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮 ,  V.蒂瓦里

IPC: H01L27/11519 ,  G11C16/28 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C7/12 ,  G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/063 ,  H01L27/11519

Abstract: 本发明公开了用于先进纳米闪速存储器装置的改进的感测电路和改进的位线布局。

公开(公告)号：CN104956444A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201480005655.6

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源(110、111、112、113)中的每个电流源经由多组开关(120-123、130-133、140-143、150-153)轮流连接到对应的一组位线(160、170、180、190)中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110-113)的所述晶体管时的工艺变化。

公开(公告)号：CN109584914A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811323753.0

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/30 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明公开了用于存储器装置的混合电荷泵和控制电路。

公开(公告)号：CN108447517B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201810246242.7

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明涉及先进纳米闪速存储器的动态编程技术，公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源（110、111、112、113）中的每个电流源经由多组开关（120‑123、130‑133、140‑143、150‑153）轮流连接到对应的一组位线（160、170、180、190）中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110‑113)的所述晶体管时的工艺变化。

公开(公告)号：CN108447517A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810246242.7

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30

Abstract: 本发明涉及先进纳米闪速存储器的动态编程技术，公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源（110、111、112、113）中的每个电流源经由多组开关（120-123、130-133、140-143、150-153）轮流连接到对应的一组位线（160、170、180、190）中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110-113)的所述晶体管时的工艺变化。

公开(公告)号：CN108198581A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810146062.1

申请日：2014-01-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H.V.特兰 ,  A.利 ,  T.伍 ,  H.Q.阮 ,  V.蒂瓦里

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28 ,  H01L27/11519

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C7/12 ,  G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/063 ,  H01L27/11519

Abstract: 本发明涉及用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术。本发明公开了用于先进纳米闪速存储器装置的改进的感测电路和改进的位线布局。