公开(公告)号：CN102969346A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110289174.0

申请日：2011-08-31

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 王春明 ,  乔保卫 ,  张祖发 ,  章仪 ,  王序伦 ,  吕文瑞

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种非易失性存储器单元包括具有顶面的第一导电类型的半导体衬底；所述衬底中沿所述顶面的第二导电类型的第一区域；所述衬底中沿所述顶面的所述第二导电类型的第二区域，与所述第一区域间隔开；所述第一区域与所述第二区域之间的沟道区；字线栅，定位在所述沟道区的第一部分之上，与所述第一区域紧邻；定位在所述沟道区的另一部分之上的浮栅，所述浮栅具有非平坦轮廓上表面；定位在所述浮栅的上表面之上并且通过第三绝缘层与其绝缘的耦合栅；以及定位成与所述浮栅的第二侧壁相邻的擦除栅。

公开(公告)号：CN102969346B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201110289174.0

申请日：2011-08-31

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 王春明 ,  乔保卫 ,  张祖发 ,  章仪 ,  王序伦 ,  吕文瑞

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种非易失性存储器单元包括具有顶面的第一导电类型的半导体衬底；所述衬底中沿所述顶面的第二导电类型的第一区域；所述衬底中沿所述顶面的所述第二导电类型的第二区域，与所述第一区域间隔开；所述第一区域与所述第二区域之间的沟道区；字线栅，定位在所述沟道区的第一部分之上，与所述第一区域紧邻；定位在所述沟道区的另一部分之上的浮栅，所述浮栅具有非平坦轮廓上表面；定位在所述浮栅的上表面之上并且通过第三绝缘层与其绝缘的耦合栅；以及定位成与所述浮栅的第二侧壁相邻的擦除栅。

公开(公告)号：CN102956643A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110247064.8

申请日：2011-08-24

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 王春明 ,  乔保卫 ,  张祖发 ,  章仪 ,  王序伦 ,  吕文瑞

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及制造非易失浮栅存储单元的方法和由此制造的存储单元。一种非易失存储单元具有带有顶表面的、第一导电型的单晶基板。第二导电型的第一区域在该基板中是沿着该顶表面的。第二导电型的第二区域在该基板中是沿着该顶表面的，与第一区域隔开。沟道区域是第一区域和第二区域。字线栅紧邻第一区域地位于沟道区域的第一部分之上。字线栅被第一绝缘层从沟道区域隔开。浮栅位于沟道区域的另一部分之上。耦合栅位于浮栅的上表面之上并且被第三绝缘层从那里绝缘。擦除栅邻近于浮栅的第二侧壁定位。擦除栅位于第二区域之上并且被从那里绝缘。