-
公开(公告)号：CN101101966A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710109364.3
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Si元素部分取代TeaGebSb100-(a+b)合金中的Ge元素形成的TeaGeb-cSicSb100-(a+b)合金薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si取代量c的范围从1到40原子百分比。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
-
公开(公告)号：CN100477318C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710109363.9
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
-
公开(公告)号：CN100364132C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510028671.X
申请日：2005-08-11
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，即Si掺杂进入TeaGebSb100-(a+b)合金形成的(TeaGebSb100-(a+b))cSi100-c薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si掺杂量100-c的范围在1到20原子百分比之间。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
-
公开(公告)号：CN102969346A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110289174.0
申请日：2011-08-31
Applicant: 硅存储技术公司
IPC: H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/42328 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 一种非易失性存储器单元包括具有顶面的第一导电类型的半导体衬底；所述衬底中沿所述顶面的第二导电类型的第一区域；所述衬底中沿所述顶面的所述第二导电类型的第二区域，与所述第一区域间隔开；所述第一区域与所述第二区域之间的沟道区；字线栅，定位在所述沟道区的第一部分之上，与所述第一区域紧邻；定位在所述沟道区的另一部分之上的浮栅，所述浮栅具有非平坦轮廓上表面；定位在所述浮栅的上表面之上并且通过第三绝缘层与其绝缘的耦合栅；以及定位成与所述浮栅的第二侧壁相邻的擦除栅。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100511749C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710109364.3
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Si元素部分取代TeaGebSb100-(a+b)合金中的Ge元素形成的TeaGeb-cSicSb100-(a+b)合金薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si取代量c的范围从1到40原子百分比。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
-
公开(公告)号：CN101101965A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710109363.9
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
-
公开(公告)号：CN102969346B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110289174.0
申请日：2011-08-31
Applicant: 硅存储技术公司
IPC: H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/42328 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 一种非易失性存储器单元包括具有顶面的第一导电类型的半导体衬底；所述衬底中沿所述顶面的第二导电类型的第一区域；所述衬底中沿所述顶面的所述第二导电类型的第二区域，与所述第一区域间隔开；所述第一区域与所述第二区域之间的沟道区；字线栅，定位在所述沟道区的第一部分之上，与所述第一区域紧邻；定位在所述沟道区的另一部分之上的浮栅，所述浮栅具有非平坦轮廓上表面；定位在所述浮栅的上表面之上并且通过第三绝缘层与其绝缘的耦合栅；以及定位成与所述浮栅的第二侧壁相邻的擦除栅。
-
公开(公告)号：CN102956643A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110247064.8
申请日：2011-08-24
Applicant: 硅存储技术公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42328 , H01L29/66825 , H01L29/66833
Abstract: 本发明涉及制造非易失浮栅存储单元的方法和由此制造的存储单元。一种非易失存储单元具有带有顶表面的、第一导电型的单晶基板。第二导电型的第一区域在该基板中是沿着该顶表面的。第二导电型的第二区域在该基板中是沿着该顶表面的，与第一区域隔开。沟道区域是第一区域和第二区域。字线栅紧邻第一区域地位于沟道区域的第一部分之上。字线栅被第一绝缘层从沟道区域隔开。浮栅位于沟道区域的另一部分之上。耦合栅位于浮栅的上表面之上并且被第三绝缘层从那里绝缘。擦除栅邻近于浮栅的第二侧壁定位。擦除栅位于第二区域之上并且被从那里绝缘。
-
公开(公告)号：CN1744340A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510028671.X
申请日：2005-08-11
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，包括3种类型，其一是TeaSibSb100－(a+b)合金薄膜，其二是Si掺杂进入Ge－Sb－Te合金之中形成的(TeaGebSb100－(a+b))cSi100－c薄膜，其三是Si部分取代Ge－Sb－Te合金中的Ge得到的TeaSicGe(b－c)Sb100－(a+b)合金薄膜。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.015 seconds)
