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公开(公告)号：CN106298710B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510321455.8
申请日：2015-06-12
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种基板结构及其制法暨导电结构，该基板结构包括：具有多个电性接触垫的基板本体、形成于该基板本体上的绝缘层、形成于该绝缘层中并电性连接该电性接触垫的导电通孔、形成于该绝缘层中并设于该导电通孔上的线路层、以及形成于该绝缘层上并设于该线路层上且覆盖该导电通孔的导电柱，使该导电通孔、线路层及导电柱为一体成形者，其中，该线路层的宽度大于该导电通孔的宽度，且该导电柱的宽度大于该线路层的宽度，以供超微小芯片或细间距的电性接触垫进行覆晶电性连接。
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公开(公告)号：CN108305865A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710059612.1
申请日：2017-01-24
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种基板结构及其制法，包括：基板本体、设于该基板本体一侧的绝缘部、设于该绝缘部中的导电层、形成于该基板本体中并电性连接该导电层的导电穿孔、以及形成于该基板本体另一侧并电性连接该导电穿孔的金属层，以通过该基板本体的设计而强化该基板结构的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105280576A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410383840.0
申请日：2014-08-05
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 一种封装结构及其制法，该封装结构包括：承载件、设于该承载件上的被动元件以及支撑件，且该支撑件相对该承载件的高度大于该被动元件相对该承载件的高度，以于该承载件设于一电路板上时，该支撑件会抵靠至该电路板，以避免该被动元件碰撞该电路板。
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公开(公告)号：CN105280598B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201410364624.1
申请日：2014-07-29
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：第一半导体装置，其具有相对的第一顶面与第一底面；多个导通球，其形成于该第一顶面；第二半导体装置，其具有相对的第二顶面与第二底面，且该第二底面为面向该第一顶面；以及多个导电柱，其形成于该第二底面，并分别接合该些导通球以电性连接该第一及第二半导体装置，且该导电柱的高度小于300微米。藉此，本发明可易于控制该半导体封装件的高度，并用于具有更精细间距的导通球的半导体封装件上。
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公开(公告)号：CN106298710A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510321455.8
申请日：2015-06-12
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种基板结构及其制法暨导电结构，该基板结构包括：具有多个电性接触垫的基板本体、形成于该基板本体上的绝缘层、形成于该绝缘层中并电性连接该电性接触垫的导电通孔、形成于该绝缘层中并设于该导电通孔上的线路层、以及形成于该绝缘层上并设于该线路层上且覆盖该导电通孔的导电柱，使该导电通孔、线路层及导电柱为一体成形者，其中，该线路层的宽度大于该导电通孔的宽度，且该导电柱的宽度大于该线路层的宽度，以供超微小芯片或细间距的电性接触垫进行覆晶电性连接。
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公开(公告)号：CN108305865B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710059612.1
申请日：2017-01-24
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种基板结构及其制法，包括：基板本体、设于该基板本体一侧的绝缘部、设于该绝缘部中的导电层、形成于该基板本体中并电性连接该导电层的导电穿孔、以及形成于该基板本体另一侧并电性连接该导电穿孔的金属层，以通过该基板本体的设计而强化该基板结构的强度。
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公开(公告)号：CN105280598A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410364624.1
申请日：2014-07-29
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/162 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/42 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05015 , H01L2224/05016 , H01L2224/05078 , H01L2224/0519 , H01L2224/05561 , H01L2224/05582 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/06132 , H01L2224/06181 , H01L2224/11825 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1319 , H01L2224/13582 , H01L2224/13671 , H01L2224/1369 , H01L2224/1401 , H01L2224/141 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/17517 , H01L2224/17519 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/0635 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/07025 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：第一半导体装置，其具有相对的第一顶面与第一底面；多个导通球，其形成于该第一顶面；第二半导体装置，其具有相对的第二顶面与第二底面，且该第二底面为面向该第一顶面；以及多个导电柱，其形成于该第二底面，并分别接合该些导通球以电性连接该第一及第二半导体装置，且该导电柱的高度小于300微米。藉此，本发明可易于控制该半导体封装件的高度，并用于具有更精细间距的导通球的半导体封装件上。
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