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公开(公告)号:CN102448376A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201080022949.1
申请日:2010-04-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: A61B6/03
CPC classification number: A61B6/032 , A61B6/4241 , A61B6/4266 , A61B6/4452 , G01T1/1644 , G01T1/2985
Abstract: 一种成像系统(100)包括辐射源(108)和探测系统(114),辐射源(108)发射贯穿检查区域(106)的辐射,探测系统(114)探测贯穿检查区域(106)的辐射并生成指示所述辐射的信号。探测系统(114)包括第一探测器阵列(1141-114N)和第二探测器阵列(1141-114N)。第一和第二探测器阵列(1141-114N)是分离独立的探测器阵列,探测器阵列(1141-114N)的至少一个能够相对于辐射射束移动。重建器(116)重建所述信号并生成指示所述信号的体图像数据。
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公开(公告)号:CN103323871A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310232839.3
申请日:2010-02-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2006 , A61B6/00 , A61B6/03 , A61B6/405 , A61B6/42 , A61B6/4233 , A61B6/585 , G01T1/2018
Abstract: 一种成像探测器,包括处理电子器件(208),该电子器件具有大致等于探测器的光传感器阵列(204)和闪烁体阵列(202)的温度系数的和的负数的温度系数。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302),其交替地将与撞击辐射对应的第一电荷转换为第一信号并将与衰减电荷对应的第二电荷转换为第二信号,以及逻辑单元(308),其基于所述第二信号校正所述第一信号。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302)、积分器偏置电压信号确定器(318)和逻辑单元(308),其中,所述确定器(318)经由偏置电压诱发电流,所述A/D转换器(302)测量所述电流,并且所述逻辑单元(308)基于参考电压和所测量的电流计算所述光传感器阵列(204)的阻抗。
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公开(公告)号:CN102448376B
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201080022949.1
申请日:2010-04-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: A61B6/03
CPC classification number: A61B6/032 , A61B6/4241 , A61B6/4266 , A61B6/4452 , G01T1/1644 , G01T1/2985
Abstract: 一种成像系统(100)包括辐射源(108)和探测系统(114),辐射源(108)发射贯穿检查区域(106)的辐射,探测系统(114)探测贯穿检查区域(106)的辐射并生成指示所述辐射的信号。探测系统(114)包括第一探测器阵列(1141-114N)和第二探测器阵列(1141-114N)。第一和第二探测器阵列(1141-114N)是分离独立的探测器阵列,探测器阵列(1141-114N)的至少一个能够相对于辐射射束移动。重建器(116)重建所述信号并生成指示所述信号的体图像数据。
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公开(公告)号:CN103323870A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310232254.1
申请日:2010-02-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2006 , A61B6/00 , A61B6/03 , A61B6/405 , A61B6/42 , A61B6/4233 , A61B6/585 , G01T1/2018
Abstract: 一种成像探测器,包括处理电子器件(208),该电子器件具有大致等于探测器的光传感器阵列(204)和闪烁体阵列(202)的温度系数的和的负数的温度系数。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302),其交替地将与撞击辐射对应的第一电荷转换为第一信号并将与衰减电荷对应的第二电荷转换为第二信号,以及逻辑单元(308),其基于所述第二信号校正所述第一信号。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302)、积分器偏置电压信号确定器(318)和逻辑单元(308),其中,所述确定器(318)经由偏置电压诱发电流,所述A/D转换器(302)测量所述电流,并且所述逻辑单元(308)基于参考电压和所测量的电流计算所述光传感器阵列(204)的阻抗。
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公开(公告)号:CN103323871B
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201310232839.3
申请日:2010-02-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2006 , A61B6/00 , A61B6/03 , A61B6/405 , A61B6/42 , A61B6/4233 , A61B6/585 , G01T1/2018
Abstract: 一种成像探测器,包括处理电子器件(208),该电子器件具有大致等于探测器的光传感器阵列(204)和闪烁体阵列(202)的温度系数的和的负数的温度系数。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302),其交替地将与撞击辐射对应的第一电荷转换为第一信号并将与衰减电荷对应的第二电荷转换为第二信号,以及逻辑单元(308),其基于所述第二信号校正所述第一信号。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302)、积分器偏置电压信号确定器(318)和逻辑单元(308),其中,所述确定器(318)经由偏置电压诱发电流,所述A/D转换器(302)测量所述电流,并且所述逻辑单元(308)基于参考电压和所测量的电流计算所述光传感器阵列(204)的阻抗。
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公开(公告)号:CN102365562A
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN201080013533.3
申请日:2010-02-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2006 , A61B6/00 , A61B6/03 , A61B6/405 , A61B6/42 , A61B6/4233 , A61B6/585 , G01T1/2018
Abstract: 一种成像探测器,包括处理电子器件(208),该电子器件具有大致等于探测器的光传感器阵列(204)和闪烁体阵列(202)的导热系数的和的负数的导热系数。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302),其交替地将与撞击辐射对应的第一电荷转换为第一信号并将与衰减电荷对应的第二电荷转换为第二信号,以及逻辑单元(308),其基于所述第二信号校正所述第一信号。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302)、积分器偏置电压信号确定器(318)和逻辑单元(308),其中,所述确定器(318)经由偏置电压诱发电流,所述A/D转换器(302)测量所述电流,并且所述逻辑单元(308)基于参考电压和所测量的电流计算所述光传感器阵列(204)的阻抗。
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公开(公告)号:CN103323870B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201310232254.1
申请日:2010-02-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2006 , A61B6/00 , A61B6/03 , A61B6/405 , A61B6/42 , A61B6/4233 , A61B6/585 , G01T1/2018
Abstract: 一种成像探测器,包括处理电子器件(208),该电子器件具有大致等于探测器的光传感器阵列(204)和闪烁体阵列(202)的温度系数的和的负数的温度系数。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302),其交替地将与撞击辐射对应的第一电荷转换为第一信号并将与衰减电荷对应的第二电荷转换为第二信号,以及逻辑单元(308),其基于所述第二信号校正所述第一信号。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302)、积分器偏置电压信号确定器(318)和逻辑单元(308),其中,所述确定器(318)经由偏置电压诱发电流,所述A/D转换器(302)测量所述电流,并且所述逻辑单元(308)基于参考电压和所测量的电流计算所述光传感器阵列(204)的阻抗。
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公开(公告)号:CN102365562B
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201080013533.3
申请日:2010-02-18
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2006 , A61B6/00 , A61B6/03 , A61B6/405 , A61B6/42 , A61B6/4233 , A61B6/585 , G01T1/2018
Abstract: 一种成像探测器,包括处理电子器件(208),该电子器件具有大致等于探测器的光传感器阵列(204)和闪烁体阵列(202)的温度系数的和的负数的温度系数。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302),其交替地将与撞击辐射对应的第一电荷转换为第一信号并将与衰减电荷对应的第二电荷转换为第二信号,以及逻辑单元(308),其基于所述第二信号校正所述第一信号。在另一种情况下,所述成像探测器包括A/D转换器(302)、积分器偏置电压信号确定器(318)和逻辑单元(308),其中,所述确定器(318)经由偏置电压诱发电流,所述A/D转换器(302)测量所述电流,并且所述逻辑单元(308)基于参考电压和所测量的电流计算所述光传感器阵列(204)的阻抗。
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公开(公告)号:CN101410983B
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200780011313.5
申请日:2007-03-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G01N23/04 , G01T1/20
CPC classification number: H01L27/14663 , G01N2223/501 , G01T1/2018 , H01L23/3114 , H01L24/73 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14661 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15192 , H01L2924/16151 , H01L2924/16235 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种尤其适用于计算断层摄影(CT)应用的辐射检测器模块(22)包括闪烁器(200)、光检测器阵列(202)和信号处理电子部件(205)。所述光检测器阵列(202)包括具有多个光检测器的半导体基板(208)和形成在所述基板(208)的不受照射的一侧上的金属化部件(210)。所述金属化部件在所述光检测器和所述信号处理电子部件(205)之间以及所述信号处理电子部件(205)和电连接器(209)之间对电信号进行路由。
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公开(公告)号:CN101410983A
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200780011313.5
申请日:2007-03-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G01N23/04 , G01T1/20
CPC classification number: H01L27/14663 , G01N2223/501 , G01T1/2018 , H01L23/3114 , H01L24/73 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14661 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15192 , H01L2924/16151 , H01L2924/16235 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种尤其适用于计算断层摄影(CT)应用的辐射检测器模块(22)包括闪烁器(200)、光检测器阵列(202)和信号处理电子部件(205)。所述光检测器阵列(202)包括具有多个光检测器的半导体基板(208)和形成在所述基板(208)的不受照射的一侧上的金属化部件(210)。所述金属化部件在所述光检测器和所述信号处理电子部件(205)之间以及所述信号处理电子部件(205)和电连接器(209)之间对电信号进行路由。
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