公开(公告)号：CN116121703A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211463300.4

申请日：2022-11-18

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  杨雁博 ,  丁翔 ,  徐明辉 ,  龚洁 ,  赵钧睿

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿氧化物自支撑薄膜的制备方法，包括以下步骤：烧结得到SrCoO2.5靶材和BiFeO3靶材；将SrCoO2.5靶材、BiFeO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统中；用脉冲激光沉积法在合适的条件下依次在SrTiO3基片上外延生长出SrCoO2.5和BiFeO3单晶薄膜；将聚甲基丙烯酸甲酯旋涂在外延生长得到的薄膜上并放入雪碧中溶解；一段时间后，SrCoO2.5薄膜溶解，PMMA和BiFeO3薄膜漂浮到雪碧上，用Si片将其打捞并加热烘干；将得到的样品放入丙酮中除去最上方的聚甲基丙烯酸甲酯；取出烘干后得到BiFeO3自支撑薄膜，该薄膜应用于牺牲层中具有优异的稳定性。

公开(公告)号：CN114086118B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111319477.2

申请日：2021-11-09

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  赵钧睿 ,  丁翔 ,  冷华倩 ,  赵燕 ,  徐明辉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种自支撑柔性LaNiO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)制备Sr3Al2O6靶材；(2)制备LaNiO3靶材；(3)清洗并刻蚀SrTiO3基片；(4)将Sr3Al2O6靶材、LaNiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统，接着依次在SrTiO3衬底上外延生长出Sr3Al2O6和LaNiO3单晶薄膜；(5)在薄膜表面悬涂一层PMMA并加热，接着溶解；(6)PMMA和LaNiO3薄膜漂浮在水面上后，用Si片将其打捞并烘干；(7)将样品去除PMMA，取出后烘干，制得产品。Sr3Al2O6作为牺牲层用来得到柔性导电的LaNiO3薄膜，其具有质量高，简单快捷的特点。

公开(公告)号：CN114197035A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111493121.0

申请日：2021-12-08

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  徐明辉 ,  赵钧睿 ,  丁翔 ,  赵燕

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明属于功能薄膜材料制备技术领域，公开了一种钙钛矿薄膜及其外延制备方法，通过脉冲激光沉积的方法生长具有溶解性的单晶外延牺牲层薄膜，并且通过调控牺牲层的晶格参数匹配得以实现一定晶格参数范围内的钙钛矿结构单晶薄膜生长，调控牺牲层的晶格常数实现不同钙钛矿薄膜的转移。本发明通过向Sr3Al2O6掺杂Ca，调控Sr3Al2O6牺牲层的晶格常数实现不同种类钙钛矿薄膜的外延生长方法，所制备的单晶薄膜致密性好，稳定性高、生长速度快、具有良好的重复性以及与靶材拥有一致的化学计量比，Sr3Al2O6在溶解过程中不会对生长在上面的薄膜产生不良影响，通过调控其晶格常数使其可以作为其他材料的牺牲层。

公开(公告)号：CN114086118A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111319477.2

申请日：2021-11-09

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 乔梁 ,  赵钧睿 ,  丁翔 ,  冷华倩 ,  赵燕 ,  徐明辉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种自支撑柔性LaNiO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)制备Sr3Al2O6靶材；(2)制备LaNiO3靶材；(3)清洗并刻蚀SrTiO3基片；(4)将Sr3Al2O6靶材、LaNiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统，接着依次在SrTiO3衬底上外延生长出Sr3Al2O6和LaNiO3单晶薄膜；(5)在薄膜表面悬涂一层PMMA并加热，接着溶解；(6)PMMA和LaNiO3薄膜漂浮在水面上后，用Si片将其打捞并烘干；(7)将样品去除PMMA，取出后烘干，制得产品。Sr3Al2O6作为牺牲层用来得到柔性导电的LaNiO3薄膜，其具有质量高，简单快捷的特点。