纳米级高压钴酸锂正极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN116314783A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211569235.3

    申请日:2022-12-08

    Abstract: 本发明公开了一种纳米级高压钴酸锂正极材料及制备方法,以纳米钴源为前体,结合镁、铝、钛三种元素掺杂,通过高温固相反应得到高压钴酸锂正极材料。所述方法包括步骤:(1)将碱液和钴源混合,得到钴酸锂的纳米前驱体;(2)将纳米前驱体与掺杂金属盐混合后,经高温固相合成,得到纳米高压钴酸锂正极材料。相比于传统高温固相合成,经本方法合成的钴酸锂正极材料的平均粒径为纳米级,粒度分布更为均匀,且提升了材料中的掺杂元素分布的均一性。本方法提高了钴酸锂正极材料的层状结构稳定性,极大的提升了层状钴酸锂正极材料在高压4.6V条件下的循环性能和倍率性能。本发明在层状锂离子电池正极材料的工业化上拥有巨大应用前景。

    氧化石墨烯包覆的纳米钴酸锂正极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN116161709A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202211566234.3

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种氧化石墨烯包覆的纳米钴酸锂正极材料及其制备方法,所述方法包括步骤:(1)将碱液和钴源混合,得到钴酸锂的纳米前驱体;(2)将纳米前驱体,锂源,以及氧化石墨烯混合,经水热法合成氧化石墨烯包覆的纳米钴酸锂正极材料。本发明提供的制备方法简单,且成本较低,适合于工业化的生产。通过将氧化石墨烯在纳米钴酸锂的水热合成过程中进行包覆,可以实现在纳米微晶形成过程中的原位包覆,在特定的水热温度和时间进行合成,可以调控纳米尺寸从而实现更好的包覆效果,抑制表面副反应的发生,提升循环稳定性。本发明对纳米钴酸锂正极材料的循环性能提升有重要意义,在锂离子电池的应用上有巨大的前景。

    氧化石墨烯包覆的纳米钴酸锂正极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN116161709B

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202211566234.3

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种氧化石墨烯包覆的纳米钴酸锂正极材料及其制备方法,所述方法包括步骤:(1)将碱液和钴源混合,得到钴酸锂的纳米前驱体;(2)将纳米前驱体,锂源,以及氧化石墨烯混合,经水热法合成氧化石墨烯包覆的纳米钴酸锂正极材料。本发明提供的制备方法简单,且成本较低,适合于工业化的生产。通过将氧化石墨烯在纳米钴酸锂的水热合成过程中进行包覆,可以实现在纳米微晶形成过程中的原位包覆,在特定的水热温度和时间进行合成,可以调控纳米尺寸从而实现更好的包覆效果,抑制表面副反应的发生,提升循环稳定性。本发明对纳米钴酸锂正极材料的循环性能提升有重要意义,在锂离子电池的应用上有巨大的前景。

    一种微米级单晶ZIFs及制备方法

    公开(公告)号:CN115947950B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202211565938.9

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种室温下微米级单晶ZIFs及制备方法,属于金属有机框架材料制备技术领域。包括步骤:将金属盐和咪唑盐分别溶解于去离子水及醇溶液中配置成溶液;将二甲苯溶液小心的滴加入金属盐水溶液上;将咪唑盐溶液小心的滴加入二甲苯溶液中,构成三个溶液层;由于咪唑盐在二甲苯溶液中的溶解度比醇溶液低,因此,咪唑盐通过醇溶液和二甲苯溶液的界面,并在二甲苯溶液中缓慢扩散。在水和二甲苯溶液界面处,金属盐与咪唑盐缓慢接触,从而在接触界面缓慢的生长ZIFs单晶至微米级1~50μm。本发明具有成本低,工艺简单,合成温度低以及无需多个合成步骤的优点。

    一种微米级单晶ZIFs及制备方法

    公开(公告)号:CN115947950A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211565938.9

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种室温下微米级单晶ZIFs及制备方法,属于金属有机框架材料制备技术领域。包括步骤:将金属盐和咪唑盐分别溶解于去离子水及醇溶液中配置成溶液;将二甲苯溶液小心的滴加入金属盐水溶液上;将咪唑盐溶液小心的滴加入二甲苯溶液中,构成三个溶液层;由于咪唑盐在二甲苯溶液中的溶解度比醇溶液低,因此,咪唑盐通过醇溶液和二甲苯溶液的界面,并在二甲苯溶液中缓慢扩散。在水和二甲苯溶液界面处,金属盐与咪唑盐缓慢接触,从而在接触界面缓慢的生长ZIFs单晶至微米级1~50μm。本发明具有成本低,工艺简单,合成温度低以及无需多个合成步骤的优点。

    一种快离子导体包覆高电压高比容钴酸锂正极及制备方法

    公开(公告)号:CN117525359A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311651172.0

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域,公开了一种快离子导体包覆高电压高比容钴酸锂正极及制备方法,称取LATP加入到烧杯中,加入去离子水,恒温加热磁力搅拌器中搅拌,将LATP在去离子水中分散形成水溶胶;称取相应质量的高压钴酸锂粉末,加入到LATP的水溶胶中,搅拌使其充分混合,然后升温,通过恒温搅拌充分蒸发其中的去离子水;将蒸干之后剩余的混合粉末在烘箱中烘干,在玛瑙研钵中充分研磨,将混合粉末转移到马弗炉中进行烧结,升温,自然冷却后再次研磨得到最终产物。本发明经过快离子导体包覆的电极材料在5C、10C倍率下的放电比容量达到了169.4、139.8mAh·g‑1。

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