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公开(公告)号：CN119208944A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411332400.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种基于SISL的滤波器和双工器；包括：从上而下依次设置的五层介质基板，分别为sub1‑sub5；每层介质基板的上表面和下表面均覆盖有金属层，由上至下共G1‑G10十层金属层；介质基板sub1和介质基板sub2的边缘均切除两个或三个长方形部分，且介质基板sub1和介质基板sub2重合；五层介质基板以及十层金属层上均设有贯穿的金属通孔方形阵列，每层介质基板以及每层金属层的金属通孔方形阵列均重合；金属层G5上设置有与介质基板sub1边缘切除的长方形部分数量相同的GCPW过渡到T形馈电结构；本发明具有优秀带外抑制性能和较小的电路尺寸以及较宽的阻带范围。
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公开(公告)号：CN119171036A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411332764.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种基于通孔微扰的单层多模SIW双通带滤波器，包括：一层介质基板和分别位于基板上下表面的两层金属层；所述介质基板四周均设置有第一金属通孔阵列，所述介质基板上的第一金属通孔阵列围成方形形状与上、下层金属层构成SIW方形谐振腔；所述上、下层金属层的左右对称处分别设置有输入、输出端口，并通过50欧姆微带线接入SIW方形谐振腔。本发明利用金属通孔扰动SIW方形谐振腔内的模式引入传输零点，使该滤波器具有高选择性，滤波性能更加良好；通过调节腔内金属通孔列和金属通孔到谐振腔中心的间距，可以得到理想的通带中心频率和通带带宽。
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公开(公告)号：CN117728132A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311820733.5
申请日：2023-12-27
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明属于微波技术领域，具体涉及一种基于分形技术的悬置带线SIR超宽带低通滤波器；该滤波器包括：上腔体、阶跃阻抗滤波器介质基板、阶跃阻抗滤波器导带、低阻抗线背面贴片和上腔体；所述阶跃阻抗滤波器介质基板嵌置在由上腔体和上腔体合成的完整金属腔体中，所述阶跃阻抗滤波器导带印制在阶跃阻抗滤波器介质基板上表面，低阻抗线背面贴片印制在阶跃阻抗滤波器介质基板下表面；高阻抗线与不规则分形低阻抗线交替分布且高阻抗线与不规则分形低阻抗线垂直；本发明可以实现超宽的通带范围，也可以实现良好的通带性能，并且在阻带提供两个传输零点可以实现良好的带外抑制。
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公开(公告)号：CN118841727A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410855236.7
申请日：2024-06-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种加载缺陷地结构的毫米波SIW宽带带通滤波器，包括：一层介质基板和分别位于介质基板上下表面的两层金属层；所述介质基板上下两侧均设置有对称的等间距金属通孔阵列，以构成矩形SIW谐振腔体；所述上层金属层的左右两处分别设置有一个梯形过渡结构，所述过渡结构上设置有锥形渐变线，其一端连接有50欧姆微带线作为输入、输出端口，其另一端连接所述矩形SIW谐振腔。本发明采用单层矩形SIW谐振腔结构和刻蚀在其上表面的DGS单元，便实现了宽带频响特性，使得滤波器在相同性能条件下的体积更小；同时，其整体结构直观，加工简单，其仿真效果显示出良好的频率选择性和带外抑制效果。
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公开(公告)号：CN117855821A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410197035.2
申请日：2024-02-22
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及天线设计技术领域，具体涉及一种基于缺陷地结构的偏置馈电超宽带高增益单极子天线，包括辐射贴片1、介质基板2、金属接地面3、微带馈线4和过渡气泡5；金属接地面3印制在介质基板2下表面，辐射贴片1、微带馈线4和过渡气泡5均印制在介质基板2上表面；辐射贴片1和微带馈线4分别与过渡气泡5连接；本发明提出的半圆形缺陷地结构和通过圆形缺陷地改进的矩形扼流槽结构仅对接地面做出改变，可以在改善天线阻抗特性的同时影响天线的辐射特性，对拓展天线带宽和性能提升有着重要作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119726043A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411890257.9
申请日：2024-12-20
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及无线通信技术领域，特别涉及一种基于矩形同轴的宽带滤波功分器，包括由矩形同轴外导体上腔体和矩形同轴外导体下腔体构成的腔体结构，腔体结构用于安装内导体电路，安装内导体电路时，利用支撑体使内导体电路位于腔体结构的中心，且令内导体电路不与矩形同轴外导体上腔体和矩形同轴外导体下腔体接触。本发明的耦合间距为0.21mm，相较于传统的微带形式的0.06mm，降低了加工尺寸带来的限制，增加了耦合线在电路中的的使用场景。
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公开(公告)号：CN119581813A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411337538.1
申请日：2024-09-25
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于SISL的双通带滤波器，包括顶层和底层分别覆有金属层的五层介质基板，五层介质基板由上至下分别为sub1‑sub5；五层介质基板顶层和底层的金属层由上至下分别为G1‑G10；所述五层介质基板的中间区域均设置有方形金属化通孔阵列1；五层介质基板上的方形金属化通孔阵列1上下相对应；所述介质基板sub1上设置有集成DGS1；介质基板sub3上设置有微波电路；所述介质基板sub5上设置有集成DGS2；介质基板sub2和介质基板sub4上均设置有空气腔，所述介质基板sub2的空气腔和介质基板sub4的空气腔上下相对应，本发明实现了双通带滤波效果，提高了双通带的选择性。
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公开(公告)号：CN119133803A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411333194.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种基于SISL与DGS的双工器；该双工器包括：从上而下依次设置的五层介质基板，分别为sub1‑sub5；每层介质基板的上表面和下表面均覆盖有金属层，由上至下共G1‑G10十层金属层；介质基板sub1和介质基板sub2的边缘均切除三个长方形部分，且介质基板sub1和介质基板sub2重合；五层介质基板以及十层金属层上均设有贯穿的第一金属通孔方形阵列，每层介质基板以及每层金属层的金属通孔方形阵列均重合；金属层G2中设置有2个G形DGS谐振器；本发明设计的双工器的双通带带外抑制效果更好且尺寸更小且阻带范围更宽。
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公开(公告)号：CN118943688A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411346244.5
申请日：2024-09-26
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于SISL的宽阻带双通带滤波器，包括：顶层和底层分别覆有金属层的五层介质基板，五层介质基板由上至下分别为sub1‑sub5；五层介质基板顶层和底层的金属层由上至下分别为G1‑G10；所述五层介质基板的中间区域均设置有方形金属化通孔阵列1；所述五层介质基板上的方形金属化通孔阵列1上下相对应；所述介质基板sub1上设置有集成DGS；所述介质基板sub3上设置有微波电路；所述介质基板sub2和介质基板sub4上均设置有空气腔，所述介质基板sub2的空气腔和介质基板sub4的空气腔上下相对应，本发明实现了双通带滤波效果，拓宽了双通带的带外抑制范围。
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