公开(公告)号：CN114664815B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210268890.9

申请日：2022-03-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 方健 ,  赵菲 ,  齐钊 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明提供一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，为解决传统SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构中维持电压低、易发生闩锁等问题，在原有的结构中嵌入了NPN晶体管，通过减缓PNP晶体管的开启，抑制了NPN与PNP的正反馈耦合过程，使得SCR路径在大电流下才能完全开启。并且由于高浓度埋层的存在，减弱了大注入效应，使得大电流下晶体管依旧工作在放大区，而不会强制进入饱和区，以此达到提高维持电压的目的，从而有效的避免了闩锁效应，提高了器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。

公开(公告)号：CN111276953A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010166860.8

申请日：2020-03-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  童成伟 ,  赵菲 ,  齐钊 ,  张波

IPC: H02H9/00 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提出一种单芯片防雷击保护电路及其实现单芯片防雷击保护的器件结构，单芯片防雷击保护电路中第一大功率电阻一端连接单芯片防雷击保护电路的输入端，另一端连接第一齐纳管的阴极、第二齐纳管的阳极、第一双向TVS管的一端和逻辑电路的输入端；第二大功率电阻一端连接单芯片防雷击保护电路的输出端，另一端连接第三齐纳管的阴极、第四齐纳管的阳极、第二双向TVS管的一端和逻辑电路的输出端；第一双向TVS管的另一端和第二双向TVS管的另一端接地；第二齐纳管的阴极和第四齐纳管的阴极连接逻辑电路的第一电源端；第一齐纳管的阳极和第三齐纳管的阳极连接逻辑电路的第二电源端。本发明还给出多种实现该防雷击保护电路的器件结构方案。

公开(公告)号：CN114759026B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210421998.7

申请日：2022-04-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 齐钊 ,  乔明 ,  赵菲 ,  魏敬奇 ,  张波

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提出了一种新型双回滞静电保护器件，包括：第一SN注入、第二SN注入、第一SP注入、第二SP注入、第三SP注入、深层齐纳P区、N阱、Pbody区、阳极金属线、阴极金属线；当N阱与Pbody区发生雪崩击穿后，由第一SP注入、N阱、Pbody区、深层齐纳P区、第二SN注入组成的PNP+齐纳二极管路径将会被率先开启，该路径回滞现象很弱，被认为是本器件的第一次回滞。随着电流增加，由N阱、Pbody区、第二SP注入构成的NPN才会打开，从而引发强回滞，而此时Ih已经很高。该曲线能够很好的避免端口LU，同时降低VC。

公开(公告)号：CN114759026A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210421998.7

申请日：2022-04-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 齐钊 ,  乔明 ,  赵菲 ,  魏敬奇 ,  张波

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提出了一种新型双回滞静电保护器件，包括：第一SN注入、第二SN注入、第一SP注入、第二SP注入、第三SP注入、深层齐纳P区、N阱、Pbody区、阳极金属线、阴极金属线；当N阱与Pbody区发生雪崩击穿后，由第一SP注入、N阱、Pbody区、深层齐纳P区、第二SN注入组成的PNP+齐纳二极管路径将会被率先开启，该路径回滞现象很弱，被认为是本器件的第一次回滞。随着电流增加，由N阱、Pbody区、第二SP注入构成的NPN才会打开，从而引发强回滞，而此时Ih已经很高。该曲线能够很好的避免端口LU，同时降低VC。

公开(公告)号：CN114664815A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210268890.9

申请日：2022-03-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 方健 ,  赵菲 ,  齐钊 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明提供一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，为解决传统SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构中维持电压低、易发生闩锁等问题，在原有的结构中嵌入了NPN晶体管，通过减缓PNP晶体管的开启，抑制了NPN与PNP的正反馈耦合过程，使得SCR路径在大电流下才能完全开启。并且由于高浓度埋层的存在，减弱了大注入效应，使得大电流下晶体管依旧工作在放大区，而不会强制进入饱和区，以此达到提高维持电压的目的，从而有效的避免了闩锁效应，提高了器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。

公开(公告)号：CN111276953B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010166860.8

申请日：2020-03-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  童成伟 ,  赵菲 ,  齐钊 ,  张波

IPC: H02H9/00 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提出一种单芯片防雷击保护器件，单芯片防雷击保护电路中第一大功率电阻一端连接单芯片防雷击保护电路的输入端，另一端连接第一齐纳管的阴极、第二齐纳管的阳极、第一双向TVS管的一端和逻辑电路的输入端；第二大功率电阻一端连接单芯片防雷击保护电路的输出端，另一端连接第三齐纳管的阴极、第四齐纳管的阳极、第二双向TVS管的一端和逻辑电路的输出端；第一双向TVS管的另一端和第二双向TVS管的另一端接地；第二齐纳管的阴极和第四齐纳管的阴极连接逻辑电路的第一电源端；第一齐纳管的阳极和第三齐纳管的阳极连接逻辑电路的第二电源端。本发明还给出多种实现该防雷击保护电路的器件结构方案。