公开(公告)号：CN102751199B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210226462.6

申请日：2012-07-03

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 罗小蓉 ,  王沛 ,  蔡金勇 ,  范叶 ,  王琦 ,  蒋永恒 ,  周坤 ,  魏杰 ,  罗尹春 ,  范远航 ,  王骁伟

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法，涉及半导体功率器件技术领域，通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱、填充绝缘介质以及平坦化，之后采用外延横向过生长形成体区等关键工艺步骤,具有以下优点：避免了沟槽的填充及平坦化、槽栅制作及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生的不利影响；槽栅底部与体区下界面平齐或低于体区下界面，从而提高器件耐压；不需要复杂的掩模，避免了小角度注入工艺对沟道区的影响；避免采用多次外延注入的方式形成超结以及所带来得晶格缺陷；大大降低了导通电阻。

公开(公告)号：CN102723355A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210220695.5

申请日：2012-06-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  蒋永恒 ,  蔡金勇 ,  范叶 ,  王沛 ,  王骁伟 ,  周坤 ,  王琦 ,  罗尹春 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区，半导体漂移区中第一半导体区的两侧与两个第二半导体区相接触，两个高K介质区分别与两个第二半导体区的另一侧相接触。本发明的有益效果是，降低比导通电阻，提高耐压，适用于MOS器件或MOS控制的半导体器件。

公开(公告)号：CN102723355B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210220695.5

申请日：2012-06-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  蒋永恒 ,  蔡金勇 ,  范叶 ,  王沛 ,  王骁伟 ,  周坤 ,  王琦 ,  罗尹春 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区，半导体漂移区中第一半导体区的两侧与两个第二半导体区相接触，两个高K介质区分别与两个第二半导体区的另一侧相接触。本发明的有益效果是，降低比导通电阻，提高耐压，适用于MOS器件或MOS控制的半导体器件。

公开(公告)号：CN102751199A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210226462.6

申请日：2012-07-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  王沛 ,  蔡金勇 ,  范叶 ,  王琦 ,  蒋永恒 ,  周坤 ,  魏杰 ,  罗尹春 ,  范远航 ,  王骁伟

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法，涉及半导体功率器件技术领域，通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱、填充绝缘介质以及平坦化，之后采用外延横向过生长形成体区等关键工艺步骤,具有以下优点：避免了沟槽的填充及平坦化、槽栅制作及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生的不利影响；槽栅底部与体区下界面平齐或低于体区下界面，从而提高器件耐压；不需要复杂的掩模，避免了小角度注入工艺对沟道区的影响；避免采用多次外延注入的方式形成超结以及所带来得晶格缺陷；大大降低了导通电阻。