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公开(公告)号：CN102969358A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210516539.3
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过终端结构将漏电极横向引出，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本。本发明具有导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，采用本发明可获得各种性能优良的横向半导体功率器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的特点。
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公开(公告)号：CN102969358B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210516539.3
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过终端结构将漏电极横向引出，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本。本发明具有导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，采用本发明可获得各种性能优良的横向半导体功率器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的特点。
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公开(公告)号：CN102969357B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210516380.5
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向超结高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围，漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围；纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；最后，本发明漏电极表面引出的具有低比导通电阻的超结横向高压器件可集成在各种衬底材料上，且集成度高。
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公开(公告)号：CN102969357A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210516380.5
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向超结高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围，漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围；纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；最后，本发明漏电极表面引出的具有低比导通电阻的超结横向高压器件可集成在各种衬底材料上，且集成度高。
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