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公开(公告)号：CN113689501B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110985401.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于收敛点的双机协同目标机定位跟踪控制方法，包括以下步骤：S1、建立双机单目标机定位数学模型，基于机载雷达获取测角信息得到目标机的位置信息；S2、针对加性观测噪声对双机定位精度的影响，计算双机的测量方位角对定位精度的影响，进而求解得到双机测量方位角的最优配置；S3、建立目标机跟踪中存在的约束，求解收敛点；S4、设计基于收敛点的双机协同定位跟踪控制器。本发明提供了一种应用于复杂约束下双机单目标机定位跟踪的方法，在预测目标机位置的基础上计算两机收敛点，收敛点处双机能够满足相关约束且双机能同时探测到所有目标机，基于收敛点设计双机协同控制方案能够实现对双机的高精度定位。
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公开(公告)号：CN113689501A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110985401.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于收敛点的双机协同目标机定位跟踪控制方法，包括以下步骤：S1、建立双机单目标机定位数学模型，基于机载雷达获取测角信息得到目标机的位置信息；S2、针对加性观测噪声对双机定位精度的影响，计算双机的测量方位角对定位精度的影响，进而求解得到双机测量方位角的最优配置；S3、建立目标机跟踪中存在的约束，求解收敛点；S4、设计基于收敛点的双机协同定位跟踪控制器。本发明提供了一种应用于复杂约束下双机单目标机定位跟踪的方法，在预测目标机位置的基础上计算两机收敛点，收敛点处双机能够满足相关约束且双机能同时探测到所有目标机，基于收敛点设计双机协同控制方案能够实现对双机的高精度定位。
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公开(公告)号：CN113675572A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110948113.4
申请日：2021-08-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公布了一种紧凑型多路微带或带线功分网络的设计方案。本发明首先采用两根均匀传输线构成二路功分器以简化其结构并缩小其体积，然后由此二路功分器构成紧凑型多路功分网络。在设计该紧凑型多路功分网络时，变化每根均匀传输线的横截面尺寸和长度，可以在较宽的带宽内实现很好的阻抗匹配。通过采用介电常数比较高的基片材料，所述紧凑型多路功分网络可以得到进一步小型化。该紧凑型多路功分网络具有宽带和结构紧凑的特点，可以广泛用于各种微波通信系统中。
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公开(公告)号：CN108667728B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810399263.2
申请日：2018-04-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L12/709 , H04L12/723 , H04L12/707 , H04L12/721 , H04L12/741 , H04L12/801 , H04L12/891 , H04L12/46
Abstract: 本发明公开了一种基于流表项复用机制的软件定义网络选路方法，包括如下步骤：S1、启动处理线程；S2、选择工作路径；S3、选择下一次目标工作路径；S4、计算出当前优化目标和下一次优化目标；S5、生成一个指数分布的计时器，并开始倒计时；S6、判断是否收到重置信息；S7、更新最新可行解和最新当前优化目标；S8：判断倒计时是否结束；S9、记录当前优化目标及其持续时间；S10、得到最新可行解和最新当前优化目标，广播重置信息并重置计时器；S11、判断所有当前优化目标是否稳定地收敛于最新当前优化目标。本发明解决了现有技术中存在的流聚合能力不足、链路容易拥塞以及流量绕远导致服务质量低的问题。
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公开(公告)号：CN108600104B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810399953.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L12/721 , H04L12/751 , H04L12/753 , H04L12/801
Abstract: 本发明公开了一种基于树状路由的SDN物联网流量聚合方法，该方法在图中选取容量最大的链路构成最大生成树，之后尽量让流配置在树上运行以尽可能聚合流表项，这时采用的流表项为缺省流表项或目的地址匹配的中优先级的流表项，数目很少。该方法能够极强地聚合流表项从而减少对TCAMs大小的要求，通过设置生成一棵主干树，让大量的流集中在主干的生成树中，在结合各个节点对最大流量端口使用默认流表项，将能极大程度地聚合流从而减少流表项，而对于主干树容量不足时的情况，也能利用其它节点与链路保证流的成功配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108667728A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810399263.2
申请日：2018-04-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L12/709 , H04L12/723 , H04L12/707 , H04L12/721 , H04L12/741 , H04L12/801 , H04L12/891 , H04L12/46
CPC classification number: H04L45/245 , H04L12/4641 , H04L45/22 , H04L45/38 , H04L45/50 , H04L45/74 , H04L47/12 , H04L47/41
Abstract: 本发明公开了一种基于流表项复用机制的软件定义网络选路方法，包括如下步骤：S1、启动处理线程；S2、选择工作路径；S3、选择下一次目标工作路径；S4、计算出当前优化目标和下一次优化目标；S5、生成一个指数分布的计时器，并开始倒计时；S6、判断是否收到重置信息；S7、更新最新可行解和最新当前优化目标；S8：判断倒计时是否结束；S9、记录当前优化目标及其持续时间；S10、得到最新可行解和最新当前优化目标，广播重置信息并重置计时器；S11、判断所有当前优化目标是否稳定地收敛于最新当前优化目标。本发明解决了现有技术中存在的流聚合能力不足、链路容易拥塞以及流量绕远导致服务质量低的问题。
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公开(公告)号：CN108600104A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810399953.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L12/721 , H04L12/751 , H04L12/753 , H04L12/801
Abstract: 本发明公开了一种基于树状路由的SDN物联网流量聚合方法，该方法在图中选取容量最大的链路构成最大生成树，之后尽量让流配置在树上运行以尽可能聚合流表项，这时采用的流表项为缺省流表项或目的地址匹配的中优先级的流表项，数目很少。该方法能够极强地聚合流表项从而减少对TCAMs大小的要求，通过设置生成一棵主干树，让大量的流集中在主干的生成树中，在结合各个节点对最大流量端口使用默认流表项，将能极大程度地聚合流从而减少流表项，而对于主干树容量不足时的情况，也能利用其它节点与链路保证流的成功配置。
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公开(公告)号：CN104538447A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410821779.3
申请日：2014-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/1033 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法，器件包括：衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层，叠层包括GaN层、XN层、源极金属层，XN层上方设有漏极金属层，制造方法步骤为：原始材料为具有XN/GaN外延层的晶圆片；制备器件的Fin结构随后进行表面处理；制备漏极金属层；制备源极金属层；制备栅绝缘介质层和源漏区表面钝化层；制备栅金属层；本发明所提供的栅控隧穿增强型GaN基FinFET中栅电极对导电沟道具有更好的调控能力，具备较好的scaling down的能力且不会牺牲器件的性能；器件具有更低的关态漏电和更高的反向击穿电压，可用于高压领域，同时具有TFET和FinFET特性，具有较高的开关速度、较小的亚阈值斜率和较大的导通/关断电流比。
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公开(公告)号：CN104282548A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410462681.3
申请日：2014-09-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，属于半导体工艺技术领域。本发明采用低温氧气等离子体氧化的干法氧化工艺结合湿法腐蚀氧化层的工艺对III-V族化合物半导体材料进行刻蚀，可以精确控制刻蚀深度(刻蚀精度可达量级)。本发明刻具有低表面损伤，表面形貌良好，刻蚀栅槽可以提高线条精度，减小加工线宽。晶圆表面在低温下进行氧气等离子体处理，可有效避免高温氧化可能带来的异质结弛豫而引起的电流降低。本发明可以广泛应用于III-V族化合物半导体浅槽或细线条刻蚀，如氮化镓基器件欧姆接触凹槽或增强型器件凹槽栅的刻蚀。
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公开(公告)号：CN113641193B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110960579.6
申请日：2021-08-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05D1/12
Abstract: 本发明公开了一种非最小相位系统精确跟踪控制方法，包括如下步骤：S1、建立非最小相位系统线性模型，基于输出重定义技术求解最小相位输出建立最小相位系统；S2、针对最小相位系统，以原始非最小相位系统的参考轨迹为基础，设计迭代解算方案，求解最小相位相位系统的参考轨迹；S3、利用S2中迭代求解的最小相位系统的参考轨迹，设计基于“反馈+前馈”结构的控制器。本发明在寻找到最小相位输出的基础上，通过迭代算法，利用稳定逆方法精确求解最小相位系统的参考轨迹，为控制系统设计提供先验信息，而后再设计“反馈+前馈”的控制结构，有效解决非最小相位系统现有输出重定义方法存在的近似精度不足问题，改善了此类系统的输出跟踪性能。
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