公开(公告)号：CN105609551B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201511003565.6

申请日：2015-12-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周琦 ,  张安邦 ,  施媛媛 ,  刘丽 ,  王泽恒 ,  陈万军 ,  张波

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减小，U型槽长度依次增大；制造方法包括：制造器件的晶圆片；定义器件的有源区以及器件之间的隔离；在源极和漏极区域淀积金属薄膜，得到器件的源极和漏极；局部刻蚀异质结层制备立体多槽栅结构，并在其上方沉积金属薄膜制得栅极；相比常规型槽栅结构，立体多槽栅结构使得栅极下方的电子浓度逐渐变化形成梯度分布，以此优化栅极区域电场分布，从而提高器件的反向耐压和在高电场下的可靠性。

公开(公告)号：CN107527952A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710749529.7

申请日：2017-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周琦 ,  胡凯 ,  张安邦 ,  朱厉阳 ,  张波

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种Nano-Fin栅结构的混合阳极二极管。本发明中栅极为Nano-Fin状的结构，通过等间距或不等间距的方式刻蚀势垒层为插指状，实现栅槽下方和栅槽之间异质结内二维电子气浓度可调制的一种新技术。本发明的有益效果：实现了栅下二维电子气部分耗尽进而实现增强型沟道的目的，本发明所述方法二维电子气调控精度更高、器件性能更稳定，能够避免因为流片过程中诸如退火、栅介质生长工艺等高温过程对注入离子分布的影响；本发明所述二极管的开启电压、导通电阻、反向漏电等器件特性可通过改变FIN状结构的条数和FIN状结构的宽度来调节。

公开(公告)号：CN105140278A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510456195.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周琦 ,  李建 ,  王泽恒 ,  施媛媛 ,  张安邦 ,  刘丽 ,  张波

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7391

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管。本发明的二极管的阳极由两部分构成，一部分肖特基金属淀积在全刻蚀形成的凹槽中，形成肖特基金属-二维电子气(2DEG)接触；另一部分肖特基金属淀积部分刻蚀的凹槽中，该凹槽上还淀积了一层电介质，构成MIS结构。该MIS结构为常开型，保留了全刻蚀二极管其优良的正向特性；并且在反向电压下沟道关断，降低了器件的反向泄漏电流。本发明的有益效果为具有低开启电压、低反向漏电流等优点。本发明尤其适用于GaN异质结功率二极管。

公开(公告)号：CN107527952B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201710749529.7

申请日：2017-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周琦 ,  胡凯 ,  张安邦 ,  朱厉阳 ,  张波

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种Nano‑Fin栅结构的混合阳极二极管。本发明中栅极为Nano‑Fin状的结构，通过等间距或不等间距的方式刻蚀势垒层为插指状，实现栅槽下方和栅槽之间异质结内二维电子气浓度可调制的一种新技术。本发明的有益效果：实现了栅下二维电子气部分耗尽进而实现增强型沟道的目的，本发明所述方法二维电子气调控精度更高、器件性能更稳定，能够避免因为流片过程中诸如退火、栅介质生长工艺等高温过程对注入离子分布的影响；本发明所述二极管的开启电压、导通电阻、反向漏电等器件特性可通过改变FIN状结构的条数和FIN状结构的宽度来调节。

公开(公告)号：CN106409921A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610928600.3

申请日：2016-10-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈万军 ,  张安邦 ,  信亚杰 ,  施宜军 ,  胡官昊 ,  刘杰 ,  周琦 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种横向恒流二极管(CRD)。本发明克服了传统的硅基CRD器件恒定电流与击穿电压强烈的矛盾关系，利用GaN材料高耐压的优良特性，在该型AlGaN/GaN CRDs器件在实现较大恒定电流的同时，能够实现很宽的恒流区及很高的耐压，而且通过调节相关器件结构参数，使恒定电流大小在较大范围内变化。此外，该CRD响应速度快，动态性能好。同时，本发明的CRD能够与GaN基LED器件单片集成，大大降低系统体积。

公开(公告)号：CN104538447A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410821779.3

申请日：2014-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周琦 ,  张安邦 ,  陈博文 ,  靳旸 ,  施媛媛 ,  王泽恒 ,  李建 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法，器件包括：衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层，叠层包括GaN层、XN层、源极金属层，XN层上方设有漏极金属层，制造方法步骤为：原始材料为具有XN/GaN外延层的晶圆片；制备器件的Fin结构随后进行表面处理；制备漏极金属层；制备源极金属层；制备栅绝缘介质层和源漏区表面钝化层；制备栅金属层；本发明所提供的栅控隧穿增强型GaN基FinFET中栅电极对导电沟道具有更好的调控能力，具备较好的scaling down的能力且不会牺牲器件的性能；器件具有更低的关态漏电和更高的反向击穿电压，可用于高压领域，同时具有TFET和FinFET特性，具有较高的开关速度、较小的亚阈值斜率和较大的导通/关断电流比。

公开(公告)号：CN107623032A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201711000668.6

申请日：2017-10-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周琦 ,  魏东 ,  张安邦 ,  朱若璞 ,  董长旭 ,  石瑜 ,  黄芃 ,  王方洲 ,  陈万军 ,  张波

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种新型的GaN异质结场效应晶体管。本发明通过在场效应晶体管的GaN沟道层局部区域引入P型GaN埋层，该P型GaN埋层可以提升该区域异质结能带从而降低局部沟道2-DEG浓度同时在GaN沟道层沿着电流方向引入了pn结场板来调制沟道电场。本发明将P型GaN埋层和凹槽技术相结合使阈值电压调控方案更加灵活并且可以实现更大范围的阈值电压调控；同时，P型GaN埋层在GaN沟道层的电场调制效应有效降低器件内部最大峰值电场，使电场分布更加均匀，而且，P型GaN埋层在GaN Buffer中引入了势垒，有效抑制由Buffer漏电所导致器件发生的源漏穿通。因此，与传统凹槽栅GaN异质结场效应晶体管相比，新结构有效地提高了器件的阈值电压调控范围和大大改善了器件的耐压能力。

公开(公告)号：CN105609551A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201511003565.6

申请日：2015-12-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周琦 ,  张安邦 ,  施媛媛 ,  刘丽 ,  王泽恒 ,  陈万军 ,  张波

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减小，U型槽长度依次增大；制造方法包括：制造器件的晶圆片；定义器件的有源区以及器件之间的隔离；在源极和漏极区域淀积金属薄膜，得到器件的源极和漏极；局部刻蚀异质结层制备立体多槽栅结构，并在其上方沉积金属薄膜制得栅极；相比常规型槽栅结构，立体多槽栅结构使得栅极下方的电子浓度逐渐变化形成梯度分布，以此优化栅极区域电场分布，从而提高器件的反向耐压和在高电场下的可靠性。