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公开(公告)号：CN115295403A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210318765.4
申请日：2022-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/04 , C01B32/194
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体为一种大范围np连续可调的石墨烯掺杂方法。是利用锡氧化物具备多相共存的特性，且它的各相对石墨烯具有不同的掺杂效果：金属相诱导强n型掺杂，二价的SnO相诱导弱n型掺杂，四价的SnO2相诱导强p型掺杂这一特点，通过退火改变其氧化程度控制各相所占比例，实现石墨烯的介于强n型与强p型之间的跨类型大范围连续调控大范围连续可调掺杂。克服了现有掺杂方法中掺杂类型单一、掺杂调控范围窄以及缺乏有效的p型掺杂调控的问题。
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公开(公告)号：CN114659657A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210309541.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 叠层结构薄膜热流传感器的制备方法，涉及传感器技术。本发明包括下述步骤：1）通过真空镀膜的方式在第一热电材料薄膜上生长第二热电材料薄膜，获得复合单元层，第一热电材料的厚度是第二热电材料薄膜的3~5倍；2）将预设数量的复合单元层重叠后，真空下烧结形成一个复合结构体；3）切割复合结构体，形成由各复合单元层斜向重叠构成的传感结构体；4）在传感结构体两端设置电极。本发明可以在有限尺寸条件下，使用微加工工艺，减小金属薄膜厚度，提高金属叠层数量，使得人造倾斜叠层结构薄膜热流传感器的灵敏度大大提升。
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公开(公告)号：CN119050073A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410986094.8
申请日：2024-07-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L29/78 , H01L29/267
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种基于异质集成并具有优异散热能力的氧化镓（Ga2O3）纵向型功率器件及其制造方法。器件元胞包括：顶部结构；半导体有源层；氧化镓耐压层；重掺杂半导体层；键合层；低电阻率异质衬底；底部电极以及其他必要结构。重掺杂半导体层与氧化镓耐压层的掺杂类型一致，底部电极为欧姆接触。所述键合层的材料为导体，所述低电阻率异质衬底的材料具有相对氧化镓更高的热导率。基于异质集成的器件结构与制造工艺改进，解决了常规氧化镓纵向型器件衬底热导率低、散热困难的顽疾。
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公开(公告)号：CN118315430A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410483433.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种集成异质结二极管的异质异构型宽禁带和超宽禁带槽栅MOSFET器件，用于解决超宽禁带半导体Ga2O3无P型掺杂导致的无法制作大功率的常关型反型层沟道MOSFET器件的技术瓶颈。解决现有Ga2O3的Fin‑gate技术沟道迁移率低、工艺要求高，以及解决现有4H‑SiC MOSFET器件和GaN、AlGaN甚至AlN构成的MOSFET的沟道迁移率低的问题。并且，解决上述MOSFET反向导通压降高的技术难题。通过利用重掺杂的异质P型NiO或者SnO2等易制作的低成本宽禁带半导体或者和耐压层同质的P型半导体材料形成对具有较低击穿电场的异质半导体材料构成的反型层沟道区以及栅氧化层的电场保护，保证了击穿发生在耐压层而非异质半导体材料的P型沟道区，从而在不影响材料高击穿特性的情况下，实现各类具有低沟道电阻的常关型反型层MOSFET器件。同时，重掺杂的异质P型NiO或者SnO2等材料和耐压层构成的异质结二极管或者异质的P型沟道区和耐压层构成的异质结二极管具有低反向导通压降和单极性导电特性，利于降低静态和动态损耗。
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公开(公告)号：CN113078112B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110335300.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体提供一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法，用以解决现有耗尽型负载反相器存在的制备工艺复杂、稳定性低、生产成本高等问题。本发明采用负载管(耗尽型晶体管)与驱动管(增强型晶体管)的栅介质层单独制备、氧化物半导体层一步制备的工艺，通过负载管与驱动管的栅介质层制备过程中的氧气含量的控制，实现负载管与驱动管的阈值电压的单独调节，使驱动管的阈值电压为正值、负载管的阈值电压为负值，进而构成氧化物基耗尽型负载反相器。本发明方法制备得氧化物基耗尽型负载反相器的氧化物半导体层一步制备可得，工艺稳定。因此，本发明具备制备工艺简单、稳定性高、制备成本低，利于工业化生产等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114703460A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210319041.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种稀土元素掺入的铪基二元氧化物薄膜的制备方法及其应用。利用稀土元素具有更强氧结合能力这一特点，达到如下效果：当通入氧气较少时，优先形成富含稀土元素的氧化物；当通入氧气充足时，薄膜中Hf的含量上升。该方法基于单靶射频磁控溅射技术，采用含有稀土元素与铪(Hf)元素的二元合金靶，通过控制溅射气氛中氩气与氧气的流量比，来精准调控所述二元氧化物薄膜中稀土元素与Hf之间的元素比例，而无需额外配备其他靶材，其制备工艺简单、控制精度高、成本低，且避免了多靶交叉污染的风险。此外，将本发明制备得到的铪基二元氧化物薄膜应用于石墨烯场效应晶体管中。
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公开(公告)号：CN118248768A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410365861.3
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0376 , H01L31/20
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器领域，涉及高灵敏全日盲非晶氧化铟镓基光电晶体管及其制备方法，包括：栅极、栅介质层、晶体管有源层、源极以及漏极，晶体管有源层为非晶氧化铟镓薄膜，非晶氧化铟镓薄膜的禁带宽度大于等于4.43eV，吸收带边小于等于280nm；非晶氧化铟镓薄膜的生长气氛和退火气氛均为贫氧气氛；本发明通过控制非晶氧化铟镓薄膜生长时的溅射参数，进而控制In掺入的剂量，保证了非晶氧化铟镓薄膜的日盲紫外响应特性；本发明采用贫氧气氛作为氧化铟镓薄膜生长和热退火处理时的环境气氛，使薄膜内部的氧空位含量大幅增加，进而产生光电导增益并强化了薄膜中载流子的渗流传导，使晶体管具备较高的迁移率和优异的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN113097231A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110339589.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法。本发明有源层一半制备在高介电常数介质层上，另一半制备在传统介质层上，利用亚稳态的有源层SnO材料极易被氧化为SnO2的特点，实现一次有源层制备及退火，同时得到p、n两种导电类型。与现有技术相比，本发明的pn结不需要多次制备两种不同导电类型的材料并分别进行退火处理，因此具有界面质量好、材料特性可控性高、工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN105355701B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510765882.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224
Abstract: 一种新型的光电导探测器，属于电子信息材料与元器件领域。该光电导探测器自下而上依次为有源层、图形化电极层，其中，图形化电极层包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极图形的相对位置为一个任意的四边形结构，第一电极、第二电极、第三电极、第四电极沿顺时针或逆时针依次排布，工作时，在第一电极与第二电极之间接恒定电流电源，在第三电极和第四电极之间通过测电压设备来测试电压值，通过该电压值的变化来识别光信号。本发明光电导探测器对电极结构尺寸要求较低，其制备无需采用光刻技术，制备工艺更简单，有助于提升产品的良率、降低生产成本，且器件的开口率得到了大幅提升。
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公开(公告)号：CN105355701A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510765882.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224
Abstract: 一种新型的光电导探测器，属于电子信息材料与元器件领域。该光电导探测器自下而上依次为有源层、图形化电极层，其中，图形化电极层包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极图形的相对位置为一个任意的四边形结构，第一电极、第二电极、第三电极、第四电极沿顺时针或逆时针依次排布，工作时，在第一电极与第二电极之间接恒定电流电源，在第三电极和第四电极之间通过测电压设备来测试电压值，通过该电压值的变化来识别光信号。本发明光电导探测器对电极结构尺寸要求较低，其制备无需采用光刻技术，制备工艺更简单，有助于提升产品的良率、降低生产成本，且器件的开口率得到了大幅提升。
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