公开(公告)号：CN118248768A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410365861.3

申请日：2024-03-28

Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 钱凌轩 ,  程凌云 ,  张万里

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明属于半导体光电探测器领域，涉及高灵敏全日盲非晶氧化铟镓基光电晶体管及其制备方法，包括：栅极、栅介质层、晶体管有源层、源极以及漏极，晶体管有源层为非晶氧化铟镓薄膜，非晶氧化铟镓薄膜的禁带宽度大于等于4.43eV，吸收带边小于等于280nm；非晶氧化铟镓薄膜的生长气氛和退火气氛均为贫氧气氛；本发明通过控制非晶氧化铟镓薄膜生长时的溅射参数，进而控制In掺入的剂量，保证了非晶氧化铟镓薄膜的日盲紫外响应特性；本发明采用贫氧气氛作为氧化铟镓薄膜生长和热退火处理时的环境气氛，使薄膜内部的氧空位含量大幅增加，进而产生光电导增益并强化了薄膜中载流子的渗流传导，使晶体管具备较高的迁移率和优异的探测灵敏度。

公开(公告)号：CN118248794A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410364176.9

申请日：2024-03-28

Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 钱凌轩 ,  周游 ,  张万里

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/113 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明涉及半导体光电探测领域，具体涉及一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管及其制备方法，制备方法包括制备晶体管的同质结时，对衬底进行加热，在氩氧混合气体的氛围中于衬底上沉积非晶氧化镓富氧层薄膜作为同质结底层；在室温、纯氩气体的氛围中于同质结底层上沉积非晶氧化镓贫氧层薄膜作为同质结顶层，富氧层的氧空位浓度低于贫氧层，同质结顶层的厚度占整个同质结厚度的30％以下；本发明方案制备的晶体管能够大幅抑制暗电流和提升光电流，进而极大地提升器件的探测灵敏度，并且本发明的晶体管有助于利用脉冲栅压对器件进行快速恢复，另外本发明工艺简单，无须引入氧化镓以外的其他半导体材料。