公开(公告)号：CN113097231B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202110339589.8

申请日：2021-03-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钱凌轩 ,  杨成栋 ,  谭欣月

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法。本发明有源层一半制备在高介电常数介质层上，另一半制备在传统介质层上，利用亚稳态的有源层SnO材料极易被氧化为SnO2的特点，实现一次有源层制备及退火，同时得到p、n两种导电类型。与现有技术相比，本发明的pn结不需要多次制备两种不同导电类型的材料并分别进行退火处理，因此具有界面质量好、材料特性可控性高、工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN113097231A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110339589.8

申请日：2021-03-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钱凌轩 ,  杨成栋 ,  谭欣月

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法。本发明有源层一半制备在高介电常数介质层上，另一半制备在传统介质层上，利用亚稳态的有源层SnO材料极易被氧化为SnO2的特点，实现一次有源层制备及退火，同时得到p、n两种导电类型。与现有技术相比，本发明的pn结不需要多次制备两种不同导电类型的材料并分别进行退火处理，因此具有界面质量好、材料特性可控性高、工艺简单等优点。