公开(公告)号：CN112987344A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110320046.1

申请日：2021-03-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文天龙 ,  黄洁 ,  田晨辰 ,  张怀武 ,  廖宇龙 ,  钟智勇

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/01

Abstract: 一种基于类原子空位缺陷的太赫兹波调制器，属于太赫兹波调制器技术领域。包括衬底，以及形成于衬底之上的超材料结构层；所述超材料结构层包括多个阵列排列的超材料单元，所述超材料单元由4个2×2排列的C型谐振环组成，其中，任意一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料。本发明单元结构中的一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料，其中，半导体材料或二氧化钒的引入将作为结构单元中的“空位缺陷”，可呈现出双谐振的效果；同时进一步，通过加热或者光泵浦的外部激励方式，即可实现对太赫兹波的主动调控，结构简单，稳定性好。

公开(公告)号：CN112987344B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110320046.1

申请日：2021-03-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文天龙 ,  黄洁 ,  田晨辰 ,  张怀武 ,  廖宇龙 ,  钟智勇

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/01

Abstract: 一种基于类原子空位缺陷的太赫兹波调制器，属于太赫兹波调制器技术领域。包括衬底，以及形成于衬底之上的超材料结构层；所述超材料结构层包括多个阵列排列的超材料单元，所述超材料单元由4个2×2排列的C型谐振环组成，其中，任意一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料。本发明单元结构中的一个C型谐振环为半导体材料或二氧化钒，其余的三个C型谐振环为金属材料，其中，半导体材料或二氧化钒的引入将作为结构单元中的“空位缺陷”，可呈现出双谐振的效果；同时进一步，通过加热或者光泵浦的外部激励方式，即可实现对太赫兹波的主动调控，结构简单，稳定性好。