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公开(公告)号：CN111308399B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010078369.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑，通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度，提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器，其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构，传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm，厚度为5μm，有源区采用硅材料2.6E+16cm‑3的N阱掺杂CMOS工艺，叉指长度为18μm时，即霍尔传感器宽长比为0.55时，能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度；相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。
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公开(公告)号：CN110677155A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910772581.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明采用单位电容构成混合电阻电容型逐次逼近模数转换器中的正负电容阵列，对电容阵列中的单位电容经过多次组合，排序，中位选取以构成逐次逼近模数转换器的各级有效位。相比于传统校正方法有利于线性度的进一步提升，静态性能与动态性能均有显著提升。
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公开(公告)号：CN110120814A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910338384.0
申请日：2019-04-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/06
Abstract: 该发明公开了一种消除失调误差的电流比较器及比较方法，应用于高速高精度的电流舵模数转换器。将参考电流源IU正极接电压源，负极接开关K0，开关K0另一端接跨导放大器的负输入端；电容CA1一端接跨导放大器的负输入端，另一端接地；跨导放大器的正极接地，输出端接参考电流源IU的负极；第k个电流源Ik正极接第k个电流源开关Kk,负极接地，第k个电流源开关Kk另一端接电流源IU的负极，其中k＝1、2、3......K；电容CA2的左极板接电流源IU的负极，右极板接比较器预放大级的负输入端；比较器预放大级的负输入端与输出端通过开关K′0连接，比较器预放大级的正输入端接地，比较器预放大级的输出端为本发明电流比较器的输出。本发明能消除比较器失调的影响，无需额外的电流比较器就能实现电流大小的比较。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106899300A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710080955.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 该发明公开了一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR的冗余循环平均方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。电容失配校正技术研究首先考虑的是易于片上实现，基于LMS算法的校正方案精度高且校准效果好，但初始值若选取不当会导致算法复杂度增加，甚至不收敛，不易于片上实现，而传统辅助DAC的校正技术最易于片上实现且成功率最高，但是不容易实现超高精度的问题，针对上述问题提出一种能提高逐次逼近模数转换器线性度的电容冗余循环平均方法，通过对电容分裂并冗余动态平均，从而具有校正电容失配的效果。
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公开(公告)号：CN106877869A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710072633.7
申请日：2017-02-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种能提高电阻电容型逐次逼近模数转换器线性度的电容排序方法，属于逐次逼近模数转换器，应用于微电子学与固体电子学领域的高速高精度模数转换器。该方法不需要引入任何校正算法，只需要对电容进行排序和重构。本发明提出的电容排序方法可避免电容失配在同一码字的误差进行累加，因此，与传统依赖校正算法来提高线性度的校正方法相比，具有结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。
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公开(公告)号：CN106230439A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610595000.X
申请日：2016-07-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/38
CPC classification number: H03M1/38
Abstract: 该发明公开了一种提高流水线型逐次逼近模数转换器线性度的方法，应用于微电子学与固体电子学领域的高性能模数转换器。其特点在于：不需要牺牲ADC采样率，不需要引入额外的运放进行噪声整形，不需要引入辅助DAC或者慢而精确的ADC，也不需要引入Dither，只需要将流水线型逐次逼近模数转换器第一级电容阵列的电容进行分组，每次转换采用不同的电容组合，即可避免电容失配在同一码字的误差进行累加，因此，与传统DAC前台校正、LMS校正算法或者“慢而精确的辅助ADC校正”来提高线性度的校正方法相比，具有不牺牲采样率、结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。
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公开(公告)号：CN111308399A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010078369.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑，通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度，提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器，其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构，传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm，厚度为5μm，有源区采用硅材料2.6E+16cm-3的N阱掺杂CMOS工艺，叉指长度为18μm时，即霍尔传感器宽长比为0.55时，能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度；相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。
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公开(公告)号：CN106899300B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710080955.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 该发明公开了一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR的冗余循环平均方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。电容失配校正技术研究首先考虑的是易于片上实现，基于LMS算法的校正方案精度高且校准效果好，但初始值若选取不当会导致算法复杂度增加，甚至不收敛，不易于片上实现，而传统辅助DAC的校正技术最易于片上实现且成功率最高，但是不容易实现超高精度的问题，针对上述问题提出一种能提高逐次逼近模数转换器线性度的电容冗余循环平均方法，通过对电容分裂并冗余动态平均，从而具有校正电容失配的效果。
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