-
公开(公告)号：CN116760416B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311008543.3
申请日：2023-08-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双配置模式高精度过采样模数转换器控制模块，属于模拟集成电路设计领域。传统的高精度过采样ADC都采用单一的模式来控制ADC的功能，比如只使用管脚模式或只使用寄存器配置模式，这会带来寄存器配置不灵活的情况。为了解决这一问题，本发明提出了一种电路结构，通过控制信号实现IO口的功能的选择和IO口输入输出的选择，来实现双配置模式的高精度过采样模数转换器，使ADC的配置更加灵活。
-
公开(公告)号：CN116633328B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310917804.7
申请日：2023-07-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种首级积分器电压钳位电路，属于模拟集成电路设计领域，模拟调制器电路是高精度过采样电路的主要模块，高精度过采样ADC最终的性能表现取决于优秀的模拟调制器设计，传统的四阶过采样调制器，由于其输入电压的幅值不稳定，会导致采样调制器输出幅值的不稳定，最终导致得到错误的ADC转换结果，本发明通过钳位第一级的输出幅值，以此来达到整体输出稳定的目的。
-
公开(公告)号：CN111308399A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010078369.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑，通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度，提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器，其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构，传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm，厚度为5μm，有源区采用硅材料2.6E+16cm-3的N阱掺杂CMOS工艺，叉指长度为18μm时，即霍尔传感器宽长比为0.55时，能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度；相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。
-
公开(公告)号：CN106899300B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710080955.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 该发明公开了一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR的冗余循环平均方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。电容失配校正技术研究首先考虑的是易于片上实现，基于LMS算法的校正方案精度高且校准效果好，但初始值若选取不当会导致算法复杂度增加，甚至不收敛，不易于片上实现，而传统辅助DAC的校正技术最易于片上实现且成功率最高，但是不容易实现超高精度的问题，针对上述问题提出一种能提高逐次逼近模数转换器线性度的电容冗余循环平均方法，通过对电容分裂并冗余动态平均，从而具有校正电容失配的效果。
-
公开(公告)号：CN106877869B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710072633.7
申请日：2017-02-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 该发明公开了一种能提高电阻电容型逐次逼近模数转换器线性度的电容排序方法，属于逐次逼近模数转换器，应用于微电子学与固体电子学领域的高速高精度模数转换器。该方法不需要引入任何校正算法，只需要对电容进行排序和重构。本发明提出的电容排序方法可避免电容失配在同一码字的误差进行累加，因此，与传统依赖校正算法来提高线性度的校正方法相比，具有结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109361391A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811198103.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于提升温度计编码模数转换器线性度的校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域温度计编码数模转换器中的电容设置方法。本发明对采用单位电容阵列作为SAR ADC的DAC电容阵列，根据其系统偏差，按一定的规则对电容重新排列后作为新的DAC电容阵列。与传统校正方法相比，该方法有利于线性度的进一步提升，而且无明显的附加功耗，占用面积小，转换效率高。
-
公开(公告)号：CN107863966A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711039954.3
申请日：2017-10-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/14
CPC classification number: H03M1/468 , H03M1/066 , H03M1/462 , H03M1/68 , H03M1/747 , H03M1/804 , H03M1/14
Abstract: 该发明公开了一种用于智能传感器的逐次逼近模数转换器电容优化方法，为了减少不必要的损失包括：设计复杂度、芯片面积、功耗、速度等，同时减小电容失配误差，本发明提出了一种不同于传统的电容阵列优化方案：通过电容排序，组合并调整电容阵列，使得ADC的电容失配误差得到减小，提高精度；相较于传统技术，本发明不需要增加额外的电容。
-
公开(公告)号：CN116961655B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311219136.7
申请日：2023-09-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种应用于高精度ADC的斩波采样电路，属于模拟集成电路设计领域。采样电路是ADC中必不可少的部分，在高精度的ADC中采样的精度会直接影响后续的处理结果。一般的采样电路存在比较高的噪声和失调电压，为了降低噪声和失调电压的影响，提高采样精度，本发明将斩波技术应用于采样当中，设计了可以应用于高精度ADC的斩波采样电路，使用较少的电路和开关，降低额外电路和开关噪声对信号质量的影响，可以有效减小失调电压，实现更加精准的采样。
-
公开(公告)号：CN111313872B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010109926.X
申请日：2020-02-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 该发明公开了一种高分辨率低功耗的动态锁存比较器，应用的技术领域是逐次逼近型模数转换器。本发明利用MOSFET亚阈值特性，增大比较器的分辨率，提高比较器的精度，采用低电源电压供电，降低比较器整体功耗；与专利201910338368提出的动态锁存比较器相比，本发明提出的动态锁存比较器的分辨率更高，功耗更低，并且该动态锁存比较器使用于低供电电压的逐次逼近型模数转换器，而专利201910338368只能在标准供电电压条件下工作。
-
公开(公告)号：CN109361391B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811198103.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于提升温度计编码模数转换器线性度的校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域温度计编码数模转换器中的电容设置方法。本发明对采用单位电容阵列作为SAR ADC的DAC电容阵列，根据其系统偏差，按一定的规则对电容重新排列后作为新的DAC电容阵列。与传统校正方法相比，该方法有利于线性度的进一步提升，而且无明显的附加功耗，占用面积小，转换效率高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.022 seconds)
