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公开(公告)号：CN111290460A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010114662.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 该发明公开了种高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器，本发明属于低压差线性稳压器LDO领域。本发明提出的高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路，当负载电流瞬间变化时会引起Vout的改变(ΔVout)，此改变量经过误差放大器、单位增益缓冲器、功率调整管组成的负反馈通路后，以与ΔVout反相的量加在输出端，使得Vout最终稳定在Vref值的附近。采用折叠式共源共栅结构作为误差放大器，该结构具有较大增益、较大输入电压范围等优点。单位增益缓冲器电路的负极输入端接输出端，其闭环增益为1，将大电阻和大电容隔离从而满足相位要求并改善瞬态响应特性。利用第一中间电容提升瞬态响应特性和电路稳定性，运用动态偏置结构提升瞬态响应特性和电源抑制比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111290460B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010114662.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了种高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器，本发明属于低压差线性稳压器LDO领域。本发明提出的高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路，当负载电流瞬间变化时会引起Vout的改变(ΔVout)，此改变量经过误差放大器、单位增益缓冲器、功率调整管组成的负反馈通路后，以与ΔVout反相的量加在输出端，使得Vout最终稳定在Vref值的附近。采用折叠式共源共栅结构作为误差放大器，该结构具有较大增益、较大输入电压范围等优点。单位增益缓冲器电路的负极输入端接输出端，其闭环增益为1，将大电阻和大电容隔离从而满足相位要求并改善瞬态响应特性。利用第一中间电容提升瞬态响应特性和电路稳定性，运用动态偏置结构提升瞬态响应特性和电源抑制比。
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公开(公告)号：CN111308399A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010078369.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑，通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度，提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器，其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构，传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm，厚度为5μm，有源区采用硅材料2.6E+16cm-3的N阱掺杂CMOS工艺，叉指长度为18μm时，即霍尔传感器宽长比为0.55时，能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度；相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。
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公开(公告)号：CN114609559B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210160921.9
申请日：2022-02-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明公开了一种三轴霍尔角度传感器，涉及微电子学与固体电子学领域。本发明三接触四霍尔结构具有旋转对称性，将同一方向垂直霍尔器件正交耦合连接能有效消除失调，并且能增大测量水平方向磁场的绝对灵敏度。放置在中间的四个完全一样的霍尔器件通过正交耦合连接在一起，该方式可以很好的消除器件几何误差、有源区掺杂不均匀、以及接触电阻等工艺误差等引起失调。因此采用四个垂直霍尔器件测量水平方向的磁场，测量同一水平方向磁场时使用两个互补的垂直型结构消除误差。该三轴霍尔角度传感器面积仅为142×142μm2，实现了测量磁场方向与xy平面夹角误差小于0.2°，磁场方向在xy平面投影与x轴夹角误差小于0.05°的性能。
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公开(公告)号：CN114609559A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210160921.9
申请日：2022-02-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明公开了一种三轴霍尔角度传感器，涉及微电子学与固体电子学领域。本发明三接触四霍尔结构具有旋转对称性，将同一方向垂直霍尔器件正交耦合连接能有效消除失调，并且能增大测量水平方向磁场的绝对灵敏度。放置在中间的四个完全一样的霍尔器件通过正交耦合连接在一起，该方式可以很好的消除器件几何误差、有源区掺杂不均匀、以及接触电阻等工艺误差等引起失调。因此采用四个垂直霍尔器件测量水平方向的磁场，测量同一水平方向磁场时使用两个互补的垂直型结构消除误差。该三轴霍尔角度传感器面积仅为142×142μm2，实现了测量磁场方向与xy平面夹角误差小于0.2°，磁场方向在xy平面投影与x轴夹角误差小于0.05°的性能。
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公开(公告)号：CN111308399B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010078369.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑，通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度，提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器，其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构，传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm，厚度为5μm，有源区采用硅材料2.6E+16cm‑3的N阱掺杂CMOS工艺，叉指长度为18μm时，即霍尔传感器宽长比为0.55时，能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度；相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。
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