公开(公告)号：CN111308399A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010078369.X

申请日：2020-02-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  李苏杰 ,  王江名 ,  冯全源 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/07

Abstract: 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑，通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度，提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器，其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构，传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm，厚度为5μm，有源区采用硅材料2.6E+16cm-3的N阱掺杂CMOS工艺，叉指长度为18μm时，即霍尔传感器宽长比为0.55时，能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度；相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。

公开(公告)号：CN111308399B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202010078369.X

申请日：2020-02-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  李苏杰 ,  王江名 ,  冯全源 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/07

Abstract: 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑，通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度，提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器，其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构，传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm，厚度为5μm，有源区采用硅材料2.6E+16cm‑3的N阱掺杂CMOS工艺，叉指长度为18μm时，即霍尔传感器宽长比为0.55时，能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度；相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。