公开(公告)号：CN117626202A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311657160.9

申请日：2023-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 熊杰 ,  李宗沛 ,  汪洋 ,  罗正扬 ,  杨超 ,  徐宏伟 ,  黄建文 ,  杜新川 ,  李鹏 ,  王显福

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种具有量子金属态的YBCO薄膜的制备方法，属于超导薄膜制备技术领域，具体为：对设备预热，退火腔与沉积腔的温度加热到800℃以上；预溅射10～30min；衬底置于沉积腔中，通入氩气，气压达10～20Pa时通入氧气，30Pa时开启溅射，双靶溅射电流为0.5A，转动衬底，以0.5～0.6nm/min速率生长5min，退火腔降温到700℃以下停止通入氧气，退火30min，得到2.5～3nm厚的超薄YBCO薄膜，置于6T以上的恒定磁场中，降温至2K以下，获得具有量子金属态的YBCO薄膜。本发明在无需进行任何其他加工的YBCO薄膜上实现超导‑金属转变，制备方法简洁快速，可用于大规模制备。

公开(公告)号：CN118591267A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410698710.X

申请日：2024-05-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 熊杰 ,  刘雨晴 ,  罗正扬 ,  汪洋 ,  马惠琴 ,  徐宏伟 ,  李宗沛 ,  邵明昕 ,  杜新川 ,  杨超 ,  李鹏

IPC: H10N60/01 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种YBCO纳米线的制备方法，属于单光子探测技术领域。该方法先基于氯气辅助等离子耦合反应离子刻蚀对YBCO薄膜进行刻蚀制备形成纳米线，刻蚀结束后立即将样品置于高真空环境中进行退火，从而实现百纳米级YBCO纳米线低损伤加工，并且加工得到的YB CO薄膜仍具有超导性能。