公开(公告)号：CN103400760A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310336220.7

申请日：2013-08-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含东 ,  高磊 ,  李辉 ,  王高云 ,  罗思源 ,  任武洋 ,  艾远飞 ,  巫江 ,  周志华 ,  王志明

IPC: H01L21/31 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1.对单晶硅表面做化学清洗并刻蚀钝化，得到硅衬底；步骤2.将Bi2Se3化合物和硅衬底分别放置于管式炉石英管中心区和第一管口，密封石英管并抽真空；步骤3.加热石英管中心区；步骤4.从石英管的第二管口通入惰性载气，开始生长薄膜；步骤5.薄膜生长完成后，停止通入氩气及加热，待石英管温度冷却后，再通入保护气充满石英管后，取出样品。及一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的装置。本发明所述的在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法及装置，采用物理气相输运沉积装置在常见的Si衬底上制备Bi2Se3单晶薄膜，操作简单、成本低廉，能制备出高质量的外延单晶薄膜。

公开(公告)号：CN103390640B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310335909.8

申请日：2013-08-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  高磊 ,  李辉 ,  王高云 ,  罗思源 ,  任武洋 ,  艾远飞 ,  巫江 ,  周志华 ,  王志明

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi2Se3肖特基接触层，Si基片的底部设有欧姆接触背电极，所述Bi2Se3肖特基接触层上设有欧姆接触电极，Bi2Se3肖特基接触层与欧姆接触电极之间设有粘接层，所述粘接层由Cr或Ti制成。本发明采用上述结构，能够使Bi2Se3与n型Si之间构成了稳定的肖特基结，另外，粘接层能使Bi2Se3单晶薄片与Si片有效地粘贴在一起，适于规模化生产，且异质结界面的质量能够得到保证。

公开(公告)号：CN103390640A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310335909.8

申请日：2013-08-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  高磊 ,  李辉 ,  王高云 ,  罗思源 ,  任武洋 ,  艾远飞 ,  巫江 ,  周志华 ,  王志明

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi2Se3肖特基接触层，Si基片的底部设有欧姆接触背电极，所述Bi2Se3肖特基接触层上设有欧姆接触电极，Bi2Se3肖特基接触层与欧姆接触电极之间设有粘接层，所述粘接层由Cr或Ti制成。本发明采用上述结构，能够使Bi2Se3与n型Si之间构成了稳定的肖特基结，另外，粘接层能使Bi2Se3单晶薄片与Si片有效地粘贴在一起，适于规模化生产，且异质结界面的质量能够得到保证。