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公开(公告)号：CN110335809B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910592493.5
申请日：2019-07-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种在云母衬底上生长单晶γ相硒化铟薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1)：对单晶云母衬底进行化学清洗及机械解理剥离表面层，得到表面洁净的平整云母衬底；步骤2)：将步骤1)制得的云母衬底传入分子束外延真空系统内并加热至450℃除气至系统真空度优于8×10‑10mbar；步骤3)：云母除气完成之后自然冷却至生长温度范围后，同时打开In束流源与Se束流源开始生长In2Se3薄膜；步骤4)：薄膜生长完成之后立即终止衬底加热，并快速冷却衬底温度至室温，即可制得单晶γ相In2Se3薄膜。本发明所述生长In2Se3薄膜方法，利用分子束外延技术在云母衬底表面沉积生长In2Se3薄膜，能以较低生长温度制备出高质量单晶γ相In2Se3薄膜。
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公开(公告)号：CN107910389A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710991444.X
申请日：2017-10-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种磷化铟纳米锥膜及其制备方法和应用，磷化铟纳米锥膜包括：衬底层和纳米锥，所述纳米锥外延于所述衬底层上，所述衬底层和所述纳米锥材料为磷化铟；所述纳米锥光吸收性好，减少光反射，降低了表面复合，光电转化效率高。
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公开(公告)号：CN105543980B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201610051414.6
申请日：2016-01-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种硒化铋材料的化学刻蚀方法，其包括以下步骤：(1)制作掩膜：所述掩膜为光刻掩膜，其使用标准光刻技术制作，附着于硅衬底上的硒化铋材料之上；(2)配制刻蚀剂：所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液，其配制方法为，由以下组分按照一定比例混匀而成，体积百分比为9％的重铬酸钾饱和水溶液、体积百分比为48％的浓盐酸、体积百分比为98％的浓硫酸；(3)刻蚀：利用步骤(3)制得的重铬酸钾复合酸溶液蚀刻液，对附着步骤(1)制得的附着光刻掩膜的硒化铋材料进行刻蚀。本发明工艺简单、操作便捷、成本低廉、效果显著，其具有被刻蚀的硒化铋材料表面平整，符合化学计量比，且刻蚀速率便于控制等有益效果。
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公开(公告)号：CN105648535A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610054541.1
申请日：2016-01-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管口(8)和第二管口(9)；靠近第一管口(8)处装有冷阱(7)；石英管(1)内设有三个滑槽，分别为第一滑槽(6a)、第二滑槽(6b)和第三滑槽(6c)，每个滑槽内设有两个磁铁滑块。本发明所述的制备硫系化合物异质结构的方法及装置，使不同材料的沉积过程都处于真空环境下，且避免了不同材料之间的交叉污染，操作简单、成本低廉，制备得到的异质结构界面结构完整，结晶质量优良。
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公开(公告)号：CN105551927A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610053880.8
申请日：2016-01-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J37/32 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32 , C23C16/513 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32431
Abstract: 本发明公开了一种新型高效可活动射频等离子体放电管，涉及等离子体的产生装置技术领域。包括主体与连接杆两部分，主体前端盖正中为一发射孔，主管体内后端盖中心为一放电锥垂直指向管体内部空间，连接杆前端为球形，后部为圆柱形。主体置于射频线圈内，连接杆后部套于射频源进气管上，管体后连接端内径大于连接杆前端内径可保证二者能相对旋转一定角度时气路畅通，高纯气体从进气管通过连接杆进入放电锥放电，等离子体进入主管体后在腔壁上反射震荡能使腔内气体充分等离子化并通过发射孔发射。所述放电管提高了射频等离子体放电效率，而且能保证圆柱形放电管在不均匀形状或形变电感线圈内方便地安装与安全地使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101256865A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710051054.0
申请日：2007-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: NiZn系铁氧体材料及制备方法，本发明属于铁氧体材料制备技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：48.5～52.5mol％Fe2O3，25～33mol％ZnO，0.5～8.0mol％CuO，余量为NiO；掺杂剂按重量百分比，以氧化物计算：0.001～0.15wt％CaO、0.01～0.12wt％MoO3、0.01～0.08wt％Bi2O3、0.01～0.20wt％Nb2O5、0.01～0.20wt％SnO2、0.01～0.16wt％V2O5。本发明的有益效果是，一、提高功率密度，实现小型化；二、提高电子系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN119943934A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510106860.1
申请日：2025-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/054
Abstract: 本发明属于钠离子电池正极材料制造技术领域，具体提供一种镁掺杂钠离子电池正极材料、制备方法及应用，用以解决现有技术中钠离子电池正极材料钠层间距过小、不利于钠离子传输的问题。本发明中镁掺杂钠离子电池正极材料的化学通式为：NaNi0.6‑xFe0.25Mn0.15MgxO2，其中，0
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公开(公告)号：CN117987914A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410172948.9
申请日：2024-02-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种择优取向硒碲固溶体纳米晶薄膜的平坦化制备方法，属于光电材料制备技术领域。所述硒碲固溶体纳米晶薄膜晶粒择优取向为(100)与(110)，晶粒尺寸为20～40nm，薄膜厚度为30～720nm，表面均方根粗糙度低于2nm。制备方法包括如下步骤：对云母衬底进行常规生长前处理；采用分子束外延方法在云母衬底上低温生长硒碲固溶体薄膜；每生长30nm厚度的薄膜进行一次原位快速退火，退火温度130℃，每次退火2分钟，薄膜生长与退火交替进行直至达到目标厚度即得。本发明制备的硒碲固溶体纳米晶薄膜具有精确的厚度和成分配比，纯度高且具有良好结晶质量与表面平整度，达到满足光电阵列器件制备要求的技术效果。
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公开(公告)号：CN117626440A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311592730.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉单晶结晶潜热释放装置与生长方法，属于半导体材料制备领域。该装置包括晶体生长炉、石英安瓿瓶、石英坩埚、可控冷却装置和支撑容器；其中，晶体生长炉分为高温区和低温区；支撑容器上方放置有可控冷却装置、内部填充导热粉末；石英安瓿瓶与其内部的石英坩埚构成双层真空石英结构，并插入导热粉末中；支撑容器在旋转下降装置的带动下在晶体生长炉内上下移动并旋转。同时，本发明还基于该装置提供了碲锌镉单晶生长方法。本发明实现了无籽晶条件下晶体生长，有效避免了再次装料带来的污染；结晶时释放的结晶潜热能够被有效快速地释放，并且保证了熔体单晶生长的温场稳定性，获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。
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公开(公告)号：CN106315684B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610704753.X
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种尺寸可控的球形MnZn铁氧体磁性纳米颗粒的制备方法，包括如下步骤：(1)将分别含有Fe3+、Mn2+、Zn2+的盐溶于以乙二醇为主的溶剂体系中，形成橙黄色的均匀混合液；(2)将表面修饰剂、醋酸钠加入步骤(1)得到的混合液中，磁力搅拌，然后进行超声处理，将反应釜在160‑200℃进行加热，反应12‑20h以上；(3)待反应釜冷却后，清洗产物，然后在真空干燥箱中烘干，得到黑色磁性产物；本发明采用水热法，通过使用不同的以乙二醇为主的溶剂体系和不同种类、用量的表面修饰剂，实现对纳米颗粒平均粒径在30‑350nm宽范围的调控。该磁性纳米颗粒形貌规整、尺寸分布均一、具有优异的磁性能。
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