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公开(公告)号:CN119959626A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510451191.1
申请日:2025-04-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供一种基于准光腔的面外介电常数测试装置及方法,属于微波、毫米波材料电磁参数测试技术领域。该装置创新性设计腔体形式,通过半球腔替代传统的球形腔,将半球腔放置于金属短路板上,从而构造出金属短路板表面的电场严格垂直于短路面,此时将待测介质基板平整放置于准光腔中心,厚度方向与电场方向相同,即可保证腔内电场垂直分布在介质基板上,实现基于准光腔法对面外介电常数的测试。本发明测试装置能够实现在高频下对介质基板的测试,为高频器件的发展奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号:CN114994414B
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202210591834.9
申请日:2022-05-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明的目的在于提供一种自由空间终端短路法高温高压下介电性能测试系统及方法,属于微波测试技术领域。该发明创新地设计了一套新的自由空间终端短路测试系统,同时设计了电磁参数提取算法,能够实现宽频带下对微波材料高温高压联合作用下电磁参数的提取。本发明测试系统能够实现室温~1000℃,压力为0~12.5kPa联合作用下的测试,具有自动化高、测试频带宽、检测方式简便、准确率高等优点。
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公开(公告)号:CN114966342B
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202210589680.X
申请日:2022-05-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于波导终端短路法高温高压下介电性能测试系统及方法,属于微波测试技术领域。该系统结合波导终端短路法进行具体设计,包括测试夹具、温度测试模块、压力测试模块和主机模块,使得能测量待测材料在高温高压联合作用下的介电性能;相较于测量微波材料介电常数的其它谐振法,波导终端短路法属于反射法,通过测量前的校准,将电磁波在波导和透波材料带来的损耗校准为零,可以准确地测量损耗较大的微波材料;且整个测试系统属于封闭式测试系统,测试不受外部环境影响,使得测试结果具有良好的重复性;并且基于该系统的测试方法只需测量单端口反射系数,具有结构简单、测试频带宽、体积小等优点。
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公开(公告)号:CN118465379A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410914598.9
申请日:2024-07-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于非辐射TM模分离式圆柱腔的复介电常数测量装置、方法,属于微波、毫米波材料电磁参数测试技术领域。该测量装置中的圆柱腔由两个可分离的圆柱半腔形成,且将两个耦合孔分别对称设置于圆柱半腔的短路面,同时创新性地选择使用p为奇数的TM0np谐振模式,从而实现在宽频内无损测量片状待测材料的介电常数。
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公开(公告)号:CN117761505A
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202311624885.8
申请日:2023-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种强微波电场对放大器芯片性能影响水平测试系统及方法,属于微波、毫米波测试技术领域。该测试系统创新性地采用重入式谐振腔进行强微波电场下对放大器芯片性能影响水平测试,实现了强电场强度下放大器性能变化的测试,在同等功率水平微波注入的情况下,有效扩大了测试所能使用的电场强度范围,提高了强微波电场环境构建的效率,降低了研究成本。
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公开(公告)号:CN117347730B
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202311650986.2
申请日:2023-12-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种材料烧蚀挥发下的相对复介电常数反演方法,属于微波、毫米波材料复介电常数测试技术领域。该方法通过测量待测样品加热前、后体积的变化获得挥发量,计算出挥发物游离在腔内区域时等效出的复介电常数,将其带入反演公式进行计算,从而修正模型误差,提高待测样品在烧蚀挥发状态下复介电常数反演的精度。
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公开(公告)号:CN115469153A
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202211046593.6
申请日:2022-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电取向下液晶材料的毫米波介电性能测试装置及方法,属于微波测试技术领域。本发明在液晶材料介电常数测试中,设计了多层介质构成的液晶盒,并创新性地使用多层介质构成上下对称型TM0n0模式双面圆形贴片谐振器,并且其内部的电场分布是穿过待测多层介质并且垂直于金属圆片,故利用其内部场分布特性,该结构能够使用谐振频率更高的模式,极大拓宽测试频率范围,测试频率可达110GHz。因此,本发明介电性能测试装置能够实现在毫米波频段下对液晶材料的宽频段介电性能测试,且测试装置简便易实现。
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公开(公告)号:CN115453210A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202211041225.2
申请日:2022-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种磁取向下液晶材料的毫米波介电性能测试装置,属于微波测试技术领域。本发明装置设计了装载液晶材料的液晶盒,并创新性地使用多层介质构成的上下对称型TM0n0模式双面圆形贴片谐振器,根据上下对称型双面圆形贴片谐振器的结构特性,其内部的电场分布是穿过待测多层介质并且垂直于金属圆片,因而该结构能够使用更多高次模,极大拓宽测试频率范围,测试频率可达100GHz。因此,本发明介电性能测试装置能够实现在毫米波频段下对液晶材料的介电性能测试,且测试装置简便易实现。
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公开(公告)号:CN110336607B
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN201910308441.0
申请日:2019-04-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明属于光纤网络技术和光通信技术领域,提供基于InSb介质板微带谐振器的红外信号检测装置与方法。本发明中采用红外敏化材料InSb作为微波谐振器的介质基板,实现将半导体的光敏特性与微波谐振特性的完美结合;在红外信号辐照下,光敏材料InSb电磁特性的发生将使得谐振器的谐振特性发生明显变化,将较高的红外功率信号转化为变化范围小、易观测的微波信号,从而实现对红外信号的高灵敏检测;同时,本发明基于InSb介质板微带谐振器直接对红外敏材料内部电磁特性进行检测,不受暗电流等因素限制,且外界影响小,检测灵敏度高;综上,本发明检测装置具有响应速度快、灵敏度高、测试精度高、材料成本低、易集成和设计加工简单等优点。
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