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公开(公告)号：CN1830054A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021575.6
申请日：2004-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1471 , H01J37/3171
Abstract: 本发明涉及一种离子注入机，其包括：一用于生成离子束的离子源；一用于支撑离子注入靶的靶标部位；以及一用于在所述离子源与靶标部位之间界定离子束路径的束线。一方面，将一磁性操纵器配置在所述离子源与靶标部位之间，用于至少部分地修正离子束自离子束路径的有害偏移。磁性操纵器可相对于离子光学元件的入口孔定位离子束。另一方面，所述束线包括一减速台，其用于将离子束从第一传送能量减速到第二传送能量。所述减速台包括两个或两个以上电极，其中至少一个电极为定位在离子束路径中的栅极。
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