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公开(公告)号：CN111627788B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202010528406.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/04
Abstract: 一种弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备，包括：后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以实质上维持所述视在扫描原点的位置。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。
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公开(公告)号：CN111627788A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010528406.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/04
Abstract: 一种弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备，包括：后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以实质上维持所述视在扫描原点的位置。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。
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公开(公告)号：CN115910729A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310097928.5
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/147
Abstract: 一种离子植入机系统设备及离子植入方法，所述离子植入机系统设备包括离子束产生器，产生离子束；扫描系统，接收所述离子束并产生经扫描束；以及电极，接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。所述电极的垂直于所述经扫描束的所述传播方向的所述部分可具有弯曲形状。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。
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公开(公告)号：CN109863572A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201780064062.0
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/317
Abstract: 一种设备用于提供离子束的离子束产生器。扫描系统可接收所述离子束并提供经扫描束。电极可接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。所述电极的垂直于所述传播方向所述扫描束的所述部分可具有弯曲形状。
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