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公开(公告)号：CN110622277A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880018810.6
申请日：2018-03-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 一种离子植入系统可包括：离子源，产生离子束，衬底平台，设置在离子源的下游；以及减速级，包括使离子束偏转的组件，其中所述减速级设置在离子源与衬底平台之间。所述离子植入系统还可包括向减速级提供氢气的氢来源，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。
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公开(公告)号：CN111627788A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010528406.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/04
Abstract: 一种弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备，包括：后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以实质上维持所述视在扫描原点的位置。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。
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公开(公告)号：CN111627788B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202010528406.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/04
Abstract: 一种弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备，包括：后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以实质上维持所述视在扫描原点的位置。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。
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公开(公告)号：CN111263972B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201880068880.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种监测离子束的装置、控制离子束的装置及方法。所述监测离子束的装置可包括：处理器；以及耦合到所述处理器的存储单元，所述存储单元包括显示例程，其中显示例程能够在处理器上运行以管理对离子束的监测。显示例程可包括测量处理器以接收离子束的多个点束轮廓，所述点束轮廓是在离子束的快速扫描及与快速扫描同时实施的探测器的慢速机械扫描期间收集的。快速扫描可包括沿快速扫描方向以10Hz或大于10Hz的频率进行的多个扫描循环，且慢速机械扫描是在与快速扫描方向平行的方向上执行的。测量处理器还可发送显示信号以显示从所述多个点束轮廓导出的至少一组信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111263972A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068880.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种监测离子束的装置。所述装置可包括：处理器；以及耦合到所述处理器的存储单元，所述存储单元包括显示例程，其中显示例程能够在处理器上运行以管理对离子束的监测。显示例程可包括测量处理器以接收离子束的多个点束轮廓，所述点束轮廓是在离子束的快速扫描及与快速扫描同时实施的探测器的慢速机械扫描期间收集的。快速扫描可包括沿快速扫描方向以10Hz或大于10Hz的频率进行的多个扫描循环，且慢速机械扫描是在与快速扫描方向平行的方向上执行的。测量处理器还可发送显示信号以显示从所述多个点束轮廓导出的至少一组信息。
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公开(公告)号：CN115910729A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310097928.5
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/147
Abstract: 一种离子植入机系统设备及离子植入方法，所述离子植入机系统设备包括离子束产生器，产生离子束；扫描系统，接收所述离子束并产生经扫描束；以及电极，接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。所述电极的垂直于所述经扫描束的所述传播方向的所述部分可具有弯曲形状。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。
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公开(公告)号：CN114758940A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210419772.3
申请日：2018-03-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本公开提供一种离子植入系统及其方法。离子植入系统可包括：离子源，产生离子束；衬底平台，设置在离子源的下游；减速级，包括使离子束偏转的组件，减速级设置在离子源与衬底平台之间；以及气体来源，气体来源直接耦合到所述减速级以向所述减速级提供氢气或氦气，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。本公开的离子植入系统能提供方便且安全地减少由高能中性物质引起的能量污染的优点。
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公开(公告)号：CN110622277B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201880018810.6
申请日：2018-03-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本公开提供一种离子植入系统及其方法和处理离子束的减速级。离子植入系统可包括：离子源，产生离子束；衬底平台，设置在离子源的下游；以及减速级，包括使离子束偏转的组件，其中所述减速级设置在离子源与衬底平台之间。所述离子植入系统还可包括向减速级提供氢气的氢来源，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。本公开的离子植入系统能提供方便且安全地减少由高能中性物质引起的能量污染的优点。
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公开(公告)号：CN109863572A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201780064062.0
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/317
Abstract: 一种设备用于提供离子束的离子束产生器。扫描系统可接收所述离子束并提供经扫描束。电极可接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。所述电极的垂直于所述传播方向所述扫描束的所述部分可具有弯曲形状。
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