-
公开(公告)号：CN102862987B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210232310.7
申请日：2012-07-05
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/035 , C01B33/037 , B01D53/04
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/03 , C01B33/035 , C01B33/10778
Abstract: 本发明提供了用于生产多晶硅的方法，包括a)在沉积反应器中借助于包含含有三氯硅烷的含硅组分和氢的反应气体，将多晶硅沉积在细丝上，其中，基于氢，含硅组分的摩尔饱和度为至少25%；b)将来自沉积的废气供给到用于冷却废气的装置，i)其中，将由于冷却而冷凝且包含四氯化硅的废气组分引导到能够蒸馏纯化冷凝物的装置中，ii)将冷却过程中未冷凝的组分引导到吸附或解吸单元中；c)获得已通过吸附纯化并包含氢的未冷凝组分的第一流；以及d)在吸附单元的再生期间，借助于解吸和利用吹洗气体吹洗，获得未冷凝组分的第二流，第二流包含四氯化硅并优选被供给到用于将四氯化硅转化成三氯硅烷的转化器。
-
公开(公告)号：CN103328381A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280005237.8
申请日：2012-01-16
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: B01J12/00 , C01B33/04 , C01B33/1071 , Y02P20/129
Abstract: 一种用于在反应器中氢化氯硅烷的方法，其中将至少两种反应物气流彼此独立地引入至反应区中，其中引导包含四氯化硅的第一反应物气流通过第一热交换器单元，在所述第一热交换器单元中加热所述第一反应物气流，然后引导通过加热元件，在所述第一反应物气流到达所述反应区之前，所述第一热交换器单元将其加热至第一温度，以及其中将包含氢气的第二反应物气流通过第二热交换器单元加热至第二温度，其中所述第一温度大于所述第二温度，然后将所述第二反应物气流引入至所述反应区中，使得所述反应区中的两种反应物气体的混合温度在850°C至1300°C之间，并且反应所述反应物气流以产生包含三氯硅烷和氯化氢的产物气体，其中引导在反应中获得的所述产物气体通过所述至少两个热交换器单元，并通过对流原理预热所述反应的所述反应物气流，其中气流首先通过所述第一热交换器单元然后通过所述第二热交换器单元。一种用于氢化氯硅烷的反应器，包括两个气体入口装置，通过所述气体入口装置可以将反应物气体彼此独立地引入至所述反应器中，和至少一个气体出口装置，通过所述至少一个气体出口装置可以引导产物气流，至少两个热交换器单元，其彼此连接并且借助引导所述产物气体通过所述热交换器单元而适于彼此独立地加热反应物气体，以及加热区，其设置在第一热交换器单元和反应区之间，并且其中存在至少一个加热元件。
-
公开(公告)号：CN103328381B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201280005237.8
申请日：2012-01-16
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: B01J12/00 , C01B33/04 , C01B33/1071 , Y02P20/129
Abstract: 一种用于在反应器中氢化氯硅烷的方法，其中将至少两种反应物气流彼此独立地引入至反应区中，其中引导包含四氯化硅的第一反应物气流通过第一热交换器单元，在所述第一热交换器单元中加热所述第一反应物气流，然后引导通过加热元件，在所述第一反应物气流到达所述反应区之前，所述第一热交换器单元将其加热至第一温度，以及其中将包含氢气的第二反应物气流通过第二热交换器单元加热至第二温度，其中所述第一温度大于所述第二温度，然后将所述第二反应物气流引入至所述反应区中，使得所述反应区中的两种反应物气体的混合温度在850°C至1300°C之间，并且反应所述反应物气流以产生包含三氯硅烷和氯化氢的产物气体，其中引导在反应中获得的所述产物气体通过所述至少两个热交换器单元，并通过对流原理预热所述反应的所述反应物气流，其中气流首先通过所述第一热交换器单元然后通过所述第二热交换器单元。一种用于氢化氯硅烷的反应器，包括两个气体入口装置，通过所述气体入口装置可以将反应物气体彼此独立地引入至所述反应器中，和至少一个气体出口装置，通过所述至少一个气体出口装置可以引导产物气流，至少两个热交换器单元，其彼此连接并且借助引导所述产物气体通过所述热交换器单元而适于彼此独立地加热反应物气体，以及加热区，其设置在第一热交换器单元和反应区之间，并且其中存在至少一个加热元件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102862987A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210232310.7
申请日：2012-07-05
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: C01B33/035 , C01B33/037 , B01D53/04
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/03 , C01B33/035 , C01B33/10778
Abstract: 本发明提供了用于生产多晶硅的方法，包括a)在沉积反应器中借助于包含含有三氯硅烷的含硅组分和氢的反应气体，将多晶硅沉积在细丝上，其中，基于氢，含硅组分的摩尔饱和度为至少25%；b)将来自沉积的废气供给到用于冷却废气的装置，i)其中，将由于冷却而冷凝且包含四氯化硅的废气组分引导到能够蒸馏纯化冷凝物的装置中，ii)将冷却过程中未冷凝的组分引导到吸附或解吸单元中；c)获得已通过吸附纯化并包含氢的未冷凝组分的第一流；以及d)在吸附单元的再生期间，借助于解吸和利用吹洗气体吹洗，获得未冷凝组分的第二流，第二流包含四氯化硅并优选被供给到用于将四氯化硅转化成三氯硅烷的转化器。
-
公开(公告)号：CN102836686A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210212696.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: B01J19/08 , B01J12/00 , H05B1/00 , C01B33/107
CPC classification number: B01J19/02 , B01J19/002 , B01J19/0073 , B01J19/087 , B01J2219/00135 , B01J2219/00268 , B01J2219/0813 , B01J2219/0815 , B01J2219/0828
Abstract: 本发明涉及用于热处理腐蚀性气体的装置和方法。本发明的装置包括用于加热气体的室，其中存在由导电材料构成的至少四个加热元件或四组加热元件，其中每个加热元件或每组加热元件连接至独立可调节的和/或可控制的电能网子系统并因此可由直流电流加热，其中每个独立可调节的和/或可控制的加热元件或每组独立可调节的和/或可控制的加热元件可基于由所述加热元件的温度、加热功率、电流、电压、电阻所组成的组中的至少一种相同或不同的参数值，或基于可受所述装置影响的另一种过程变量来控制或调控，且其中至少四个可调节的和/或可控制的子系统是与地电位DC-隔离的。
-
公开(公告)号：CN109963645B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201680090829.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 瓦克化学股份公司
Inventor： 马丁·策特尔 , 安德烈亚斯·希尔施曼 , 乌韦·佩措尔德 , 罗伯特·林
IPC: B01J12/00 , B01J19/02 , C01B33/107
Abstract: 本发明涉及用于在反应器中氢化四氯化硅的方法，其中通过包括石墨表面的至少一个加热元件将含有氢气和四氯化硅的反应气加热至850℃和1600℃之间的温度，其中加热元件的温度在850℃和1600℃之间。该方法的特征在于以基于氢气的0.1至10％的物质量部分将氮化合物加入至反应气。
-
公开(公告)号：CN109963645A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201680090829.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 瓦克化学股份公司
Inventor： 马丁·策特尔 , 安德烈亚斯·希尔施曼 , 乌韦·佩措尔德 , 罗伯特·林
IPC: B01J12/00 , B01J19/02 , C01B33/107
Abstract: 本发明涉及用于在反应器中氢化四氯化硅的方法，其中通过包括石墨表面的至少一个加热元件将含有氢气和四氯化硅的反应气加热至850℃和1600℃之间的温度，其中加热元件的温度在850℃和1600℃之间。该方法的特征在于以基于氢气的0.1至10％的物质量部分将氮化合物加入至反应气。
-
公开(公告)号：CN102836686B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210212696.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 瓦克化学股份公司
IPC: B01J19/08 , B01J12/00 , H05B1/00 , C01B33/107
CPC classification number: B01J19/02 , B01J19/002 , B01J19/0073 , B01J19/087 , B01J2219/00135 , B01J2219/00268 , B01J2219/0813 , B01J2219/0815 , B01J2219/0828
Abstract: 本发明涉及用于热处理腐蚀性气体的装置和方法。本发明的装置包括用于加热气体的室，其中存在由导电材料构成的至少四个加热元件或四组加热元件，其中每个加热元件或每组加热元件连接至独立可调节的和/或可控制的电能网子系统并因此可由直流电流加热，其中每个独立可调节的和/或可控制的加热元件或每组独立可调节的和/或可控制的加热元件可基于由所述加热元件的温度、加热功率、电流、电压、电阻所组成的组中的至少一种相同或不同的参数值，或基于可受所述装置影响的另一种过程变量来控制或调控，且其中至少四个可调节的和/或可控制的子系统是与地电位DC-隔离的。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.025 seconds)
