公开(公告)号：CN109180717A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811088448.8

申请日：2018-09-18

Applicant: 兰凤

Inventor： 兰凤

IPC: C07F7/02 ,  C01B33/04

CPC classification number: C07F7/02 ,  C01B33/04

Abstract: 本发明属于有机硅生产技术领域，具体的说是一种有机硅渣浆中高沸物的高效回收方法，该方法包括如下步骤：将有机硅单体合成洗涤塔再沸器中的高温渣浆通过泵和保温管抽入有机硅渣浆处理装置中将高沸物蒸出；在有机硅渣浆处理装置的进料口处设置磁性板，吸收有机硅渣浆中的铁粉；在有机硅处理装置对有机硅渣浆进行处理前，向有机硅渣浆处理装置中通入惰性气体；将有机硅渣浆处理装置中冷凝得到的高沸物通过水管输送至高沸物裂解装置进行裂解。本发明实现了有机硅渣浆的实时处理、自动化程度高、硅烷单体的回收率高。

公开(公告)号：CN107683255A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201680033659.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 原田正则 ,  毛利敬史 ,  合田信弘

IPC: C01B33/02 ,  H01G11/84 ,  H01M4/38

CPC classification number: C01B33/027 ,  C01B33/04 ,  C01B33/06 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  H01G11/30 ,  H01G11/84 ,  H01G11/86 ,  H01M4/38 ,  H01M4/381 ,  H01M4/386 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种硅材料的制造方法，其特征在于，包括：熔液准备工序，准备Ca-x at％Si合金(42≤x≤75)熔液；固化工序，用急速冷却装置将上述熔液冷却，使Ca-x at％Si合金固化；合成工序，使固化的Ca-x at％Si合金与酸反应，得到层状硅化合物；加热工序，将上述层状硅化合物在300℃以上加热。

公开(公告)号：CN106587072A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201710072132.9

申请日：2017-02-08

Applicant: 江苏鑫华半导体材料科技有限公司

Inventor： 吴锋 ,  田新 ,  王德芸 ,  崔会为

IPC: C01B33/04

CPC classification number: C01B33/04

Abstract: 本发明公开了一种用于生产硅烷的隔壁塔，塔身自上而下依次为上塔区1、中塔区2和下塔区3，塔身一侧为进料侧，塔身另一侧为出料侧；所述中塔区包含靠近进料侧的中塔板区和靠近侧线出料侧的中填料区，所述以中塔板区和中填料区以隔壁进行分隔。使用本发明隔壁塔能够减少设备投资，减小占地面积，运行过程中也较为节能，提高了反应转化率，对于硅烷成本降低有较大优势。

公开(公告)号：CN103097294B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180031565.0

申请日：2011-06-30

Applicant: 斯帕恩特私人有限公司

Inventor： 诺伯特·奥尼尔 ,  加瓦德·莫赫森尼 ,  斯文·霍尔 ,  克里斯蒂安·鲍赫 ,  鲁门·德尔特舍维

IPC: C01B33/04

CPC classification number: C01B33/04 ,  C01B33/12 ,  Y10S502/526

Abstract: 本发明涉及一种用于获得H-硅烷的储存材料，其以氢化聚硅烷(HPS)的形式存在，为纯化合物或化合物的混合物形式，所述化合物平均具有至少6个直接的Si-Si键，其取代基主要由氢构成，并且在其组成中取代基与硅的原子比为至少1∶1。本发明还涉及一种从具有该性质的储存材料获得H-硅烷的方法。

公开(公告)号：CN102666554B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080053035.1

申请日：2010-11-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫 ,  伊藤晴明 ,  F·马赫穆托夫

IPC: C07F7/04 ,  B01J23/30 ,  B01J27/18 ,  B01J27/188 ,  B01J27/19 ,  B01J27/24 ,  C01B33/04

CPC classification number: C07F7/025 ,  B01J21/063 ,  B01J23/28 ,  B01J23/30 ,  B01J27/16 ,  B01J27/1806 ,  B01J27/188 ,  B01J27/19 ,  B01J35/08 ,  B01J35/1014 ,  B01J37/0201 ,  B01J37/0238 ,  B01J37/031 ,  B01J37/033 ,  C01B33/04 ,  C01B33/043 ,  C01B33/046 ,  C07F7/045

Abstract: 本发明涉及在具有基于无机磷酸盐或杂多酸盐结构的特定化学结构的催化剂的存在下，使通式(1)HnSi(OR)4－n(1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n为1～3的整数)所示的烷氧基硅烷在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法。本发明的制造方法，与溶剂的分离容易，反应快，原料物质的转化率高。

公开(公告)号：CN101932631B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200980103646.X

申请日：2009-01-23

Applicant: 道康宁东丽株式会社

Inventor： 张原志成

IPC: C08G77/06 ,  C01B33/18 ,  C08G59/20 ,  C08G77/38 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C08L101/00

CPC classification number: C08G77/06 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/04 ,  C01B33/18 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/14 ,  C04B35/16 ,  C04B2235/483 ,  C08G59/306 ,  C08G77/38 ,  C08G77/50 ,  C08L83/10 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明提供在不使用表面活性剂等的情况下，用简单的工艺制造粒径极小的含硅粒子的方法。该方法的特征在于，在至少由通过加成反应、缩合反应、开环反应或自由基反应等固化的固化性的含硅化合物或包含其的固化性组合物、和不参与该硅化合物或其组合物的固化反应的不含硅的有机聚合物组成的液体或熔融状或溶液状的均一相中，使上述含硅化合物或其组合物进行固化反应，从而从上述有机聚合物进行相分离而形成含硅粒子。

公开(公告)号：CN103097294A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180031565.0

申请日：2011-06-30

Applicant: 斯帕恩特私人有限公司

Inventor： 诺伯特·奥尼尔 ,  加瓦德·莫赫森尼 ,  斯文·霍尔 ,  克里斯蒂安·鲍赫 ,  鲁门·德尔特舍维

IPC: C01B33/04

CPC classification number: C01B33/04 ,  C01B33/12 ,  Y10S502/526

Abstract: 本发明涉及一种用于获得H-硅烷的储存材料，其以氢化聚硅烷(HPS)的形式存在，为纯化合物或化合物的混合物形式，所述化合物平均具有至少6个直接的Si-Si键，其取代基主要由氢构成，并且在其组成中取代基与硅的原子比为至少1∶1。本发明还涉及一种从具有该性质的储存材料获得H-硅烷的方法。

公开(公告)号：CN102639235A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080044156.X

申请日：2010-08-13

Applicant: 赢创德固赛有限公司

Inventor： N·布劳施 ,  G·施托赫尼奥尔 ,  T·夸特

IPC: B01J23/755 ,  C01B33/04

CPC classification number: B01J37/0201 ,  B01J23/26 ,  B01J23/70 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J23/78 ,  B01J23/86 ,  B01J23/868 ,  C01B33/04 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及较高级氢化硅烷的制备方法，其中使至少一种较低级的氢化硅烷和至少一种多相催化剂发生反应，其中该至少一种催化剂包括施加在载体上的Cu、Ni、Cr和/或Co和/或施加在载体上的Cu、Ni、Cr和/或Co的氧化物；按照该方法制备的氢化硅烷及其应用。

公开(公告)号：CN102070144B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010591903.3

申请日：2010-12-16

Applicant: 多氟多化工股份有限公司

Inventor： 李世江 ,  侯红军 ,  杨华春 ,  于贺华 ,  薛旭金 ,  刘海霞 ,  孙永明 ,  王慧 ,  施秀华

IPC: C01B33/029 ,  C01B33/021

CPC classification number: C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  C01B33/04 ,  C01B33/043

Abstract: 本发明涉及一种利用磷肥副产物氟硅酸钠生产多晶硅的方法。以磷肥副产物氟硅酸钠热解得到的四氟化硅和四氢铝钠为原料制得硅烷，硅烷裂解制得多晶硅和氢气，其中氢气进入循环，用于四氟铝钠的氢化。反应过程中副产的氢氟酸用于生产氟化盐产品。本发明提供的生产多晶硅的方法，以副产物为原料，价格低廉，工艺简单，易于操作，环保节能，生产的多晶硅杂质含量低，纯度高，且生产中的副产物氢氟酸又可用于生产氟化盐产品，进一步降低生产成本，具有较好的经济效益、社会效益和环保效益。

公开(公告)号：CN102203008A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143549.3

申请日：2009-10-09

Applicant: 赢创德固赛有限责任公司

Inventor： N·布劳施 ,  G·鲍姆加滕 ,  G·施托赫尼奥尔 ,  Y·厄纳尔 ,  M·特罗查

IPC: C01B33/04 ,  C07F7/02

CPC classification number: C01B33/04 ,  B01D61/00 ,  C01B33/046 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明涉及低分子量氢化硅烷溶液的纯化方法，其中让包含a）至少一种低分子量氢化硅烷，b）至少一种溶剂和c）至少一种选自含至少20个硅原子的化合物和/或均相催化剂体系的杂质的待纯化的溶液经历具有至少一个使用渗透膜的膜分离步骤的错流膜工艺。