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公开(公告)号:CN107021492B
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201710069256.1
申请日:2010-11-04
Applicant: GTAT有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/1071 , Y02P20/132
Abstract: 本发明针对合成三氯硅烷的系统和方法。所公开的系统和方法可包括在三氯硅烷合成期间提高浆液中的固体浓度,从而回收或分离挥发的金属盐并减少由下游操作中的金属盐固化作用产生的阻塞。本发明可包括通过利用不可凝气体(如氢气)提高浆液流中的固体浓度而使氯硅烷组分挥发(而非加热来提高温度,从而使氯硅烷化合物发生汽化,并接着使挥发后的氯硅烷化合物冷凝),可因此对能够降低浆液温度的蒸发条件具有促进作用。较低的浆液温度使得金属盐的挥发性较低,降低了转移至下游单元操作的可能性。
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公开(公告)号:CN109626380A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201811532449.7
申请日:2018-12-14
Applicant: 浙江开化合成材料有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/1071 , C01B33/10778
Abstract: 本发明公开了一种光纤级四氯化硅生产反应塔,包括塔体、提纯箱、加热内胆、加热器、预加热器、冷凝箱和冷凝器,所述塔体内部的下方安装有提纯箱,所述提纯箱的箱壁内部安装有加热内胆,所述加热内胆中安装有电热丝,所述电热丝与塔体右侧外壁上安装的加热器电性连接,所述提纯箱右侧的上部安装有第一进料管,所述提纯箱左侧的上部安装有第二进料管,所述第二进料管上安装有预加热器,提纯箱上部的塔体中安装有冷凝箱。本发明提供了一种光纤级四氯化硅生产反应塔,通过设置的塔体、提纯箱、加热内胆、加热器、预加热器、冷凝箱和冷凝器,解决了蒸馏需要较长的加热时间,导致生产速度慢、效率低,采用单项的提纯工艺提纯,提纯效果差的问题。
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公开(公告)号:CN108689410A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810300271.7
申请日:2018-04-04
Applicant: 赢创德固赛有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10778 , B01D3/10 , B01D5/006 , B01D2257/2022 , B01D2259/818 , B01J19/08 , B01J19/088 , B01J19/2415 , B01J2219/00162 , B01J2219/0254 , B01J2219/0875 , B01J2219/0896 , C01B33/1071 , H05H1/46
Abstract: 本发明涉及从氯硅烷中分离出溴、碘、含溴和/或碘的化合物的方法。本发明涉及从含有溴、含溴和/或碘的硅化合物的氯硅烷组合物中分离出溴、含溴和/或碘的硅化合物的方法,其中对所述组合物施以非热等离子体并随后可通过蒸馏将氯硅烷与存在的含溴和/或碘的化合物分离。
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公开(公告)号:CN104470851B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201480000480.X
申请日:2014-04-02
Applicant: 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
IPC: C01B33/08 , C01B33/107
CPC classification number: C01B33/1071 , Y02E60/324
Abstract: 本发明公开减少氢氯硅烷生产设备中硅化铁和/或磷化铁结垢和/或腐蚀的方法。向四氯化硅工艺流中添加足量的氢以抑制氯化铁(II)形成和减少硅化铁和/或磷化铁结垢、过热器腐蚀或其组合。还可以向所述四氯化硅工艺流中添加三氯硅烷。
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公开(公告)号:CN106698442A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201510792146.9
申请日:2015-11-17
Applicant: 新特能源股份有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/1071
Abstract: 本发明提供一种多晶硅粗馏控制方法,通过调节合成粗馏一级塔的塔釜采出流量来调节合成粗馏一级塔的塔顶塔釜压差和塔釜温度,通过调节合成粗馏一级塔的进料流量来调节合成粗馏一级塔的塔釜温度和塔釜液位,通过调节合成粗馏一级塔的塔釜采出流量来调节合成粗馏一级塔的塔釜温度和塔釜液位,将不同的被控变量与同一操纵变量建立关联关系,从而实现各被控变量之间的关联控制,一个操纵变量发生变化可以引起多个被控变量变化,若其中的一个或多个被控变量不满足工艺要求,则继续调节操纵变量,从而实时控制多晶硅粗馏工艺,整个控制过程实时性高,不存在滞后,控制精度高,降低工艺参数的标准偏差,保证系统平稳运行。
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公开(公告)号:CN106430217A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610767967.1
申请日:2016-08-30
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/1071 , C01B33/10778
Abstract: 本发明公开了一种沉降器排放液中氯硅烷的回收装置即方法,其包括:渣浆缓冲罐,用于储存排放液并分离出氯硅烷;输入管道,通过阀门连接至渣浆缓冲罐的顶部,用于将从沉降器排出的排放液输送到所述渣浆缓冲罐;第一输出管道,通过阀门连接至渣浆缓冲罐的中部,用于将在渣浆缓冲罐中分离出的氯硅烷输送至蒸馏装置;其中,所述第一输出管道上设置有第一过滤器和第一屏蔽泵;第二输出管道,通过阀门连接至渣浆缓冲罐的底部,用于将在渣浆缓冲罐中分离出的残留液输送至水洗装置。通过对沉降器排放液中氯硅烷进行回收再利用,提高了多晶硅生产中的中间产品三氯氢硅的产量,节约了对废渣进行水洗的水量及药品用量,降低了多晶硅的生产成本。
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公开(公告)号:CN103946158B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201280056572.0
申请日:2012-12-14
Applicant: 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
Inventor: 威廉·C·布勒内曼
CPC classification number: C01B33/043 , C01B33/1071 , C01B33/10778 , Y02P20/127
Abstract: 本发明公开了通过反应蒸馏法制造超高纯度硅烷和通式HySiX4-y(y=1、2或3)的氢卤硅烷的系统和方法。
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公开(公告)号:CN106082236A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610688765.8
申请日:2016-08-19
Applicant: 太仓市金锚化工有限公司
Inventor: 施兆武
IPC: C01B33/107
CPC classification number: Y02P20/124 , C01B33/1071
Abstract: 本发明公开了一种四氯化硅节能汽化器,包括:汽化器壳体、氢气分布器和封闭式加热管;所述汽化器壳体的两个相对壁面的底端和顶端分别开设有四氯化硅入口和四氯化硅蒸汽出口;所述氢气分布器放置在所述汽化器壳体的底部,其上连接有连通至所述汽化器壳体外部的插入管,所述封闭式加热管纵向排布在所述汽化器壳体内;所述封闭式加热管的管口密闭,其管内插入有电加热棒,并在所述电加热棒与加热管管壳之间密封填充有导热油。本发明通过封闭式加热管的结构设计,不仅简化了加热操作,还避免加热大量导热油,有效降低了能耗,其加热接触面积大,温度均匀,给四氯化硅提高高效稳定的热源,综合性能优异,市场前景广阔。
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公开(公告)号:CN103771421B
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201310467725.7
申请日:2013-10-09
Applicant: 瓦克化学股份公司
Inventor: 安德烈亚斯·希尔施曼 , 沃尔特·哈克尔 , 乌韦·佩特佐尔德
IPC: C01B33/107 , B01J12/00
CPC classification number: C01B33/1071 , B01J4/005 , B01J2219/00063 , B01J2219/00135 , B01J2219/00159 , B01J2219/002 , B01J2219/00238
Abstract: 本发明提供了用于反应器中吸热气相反应的方法,其中通过气体入口装置将反应物气体引入到反应器中并借助于气体分布装置均匀地分布到加热区中,其中,在加热区中借助于加热元件将所述反应物气体加热至500-1500℃的平均温度,然后将其引导到反应区中,反应物气体在反应区中反应以提供通过气体出口装置引导出反应器的产物气体。本发明的进一步的主题涉及用于反应器中吸热气相反应的方法,其中通过所述反应区中的温度测量控制加热元件的加热,出于此目的在反应区中设置至少两个温度传感器,以及用于实施该方法的反应器。
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公开(公告)号:CN105536796A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201510943198.1
申请日:2015-12-16
Applicant: 钟俊超
Inventor: 钟俊超
IPC: B01J23/745 , B01J35/08 , C01B33/107
CPC classification number: B01J23/745 , B01J21/08 , B01J35/08 , B01J35/1014 , B01J35/1019 , B01J35/1042 , B01J35/1061 , C01B33/1071
Abstract: 本发明提供一种耐磨的微球形Fe2O3/SiO2催化剂的制备方法,先将沉淀法二氧化硅粉或白炭黑在730-760℃焙烧,加水混匀,用研磨分散设备将二氧化硅微颗粒颗粒磨到平均直径2-5um,加硅溶胶混匀,喷雾造粒,650-720℃焙烧,制得微球形二氧化硅载体,浸渍硝酸铁溶液,烘干,焙烧,制得本发明耐磨的微球形Fe2O3/SiO2催化剂。所制备催化剂,不仅具有合适的孔结构,还具有较高的机械强度和耐磨性,具有较高的催化活性,适用于流化床催化反应。本发明还提供了所制备的微球形Fe2O3/SiO2催化剂在由四氯化硅氢化制备三氯氢硅反应中的应用方法及效果。
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