公开(公告)号：CN112151383A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010583864.6

申请日：2020-06-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 德光成太 ,  丸山祥辉 ,  饭田里志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底、形成第一开口、形成第一绝缘层、形成第二开口、嵌入导电层、形成保护层和执行CMP。所述衬底包括半导体衬底和半导体层。导电层嵌入在第二开口中，使得形成沿半导体层厚度方向的间隙。保护层形成在导电层表面的至少一部分上的第二开口中。在CMP步骤中，移除导电层在第二开口外部形成的部分。

公开(公告)号：CN101447501B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810178685.3

申请日：2008-11-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 茂庭昌弘 ,  新田文彦 ,  松冈正道 ,  饭田里志

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/144 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供在搭载相变存储器和逻辑电路的存储器混载逻辑芯片中，将相变元件配置最下层布线之下的结构，也不会导致成本增加，并且防止动作电流增大的结构。多个接触插塞(CP0)中的到达成为MOS晶体管Q1的漏极层的扩散层(3)的接触插塞的端部与选择性地配置在层间绝缘膜(IL1)上的薄膜绝缘膜(19)的下表面接触。在该薄膜绝缘膜(19)上配置由作为硫族化物化合物系的相变材料的GST构成的相变膜(20)，在其上配置上部电极(21)。多个接触插塞(CP0)中的达到成为源极层的扩散层(3)的接触插塞的端部直接连接到贯通层间绝缘膜(IL2)的接触插塞(CP1)的端部上。