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公开(公告)号：CN105609132B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201510800604.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储装置，具有使用可变电阻元件的至少一个存储单元，以及控制存储单元的写入和读取的控制电路。通过控制电路实现的操作包括第一写入操作，第二写入操作以及重写操作。第一写入操作是用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的写入操作。第二写入操作是用于将与第一极性相反的第二极性的第二电压施加至存储单元的写入操作。重写操作是在第一写入操作失败时，用于进一步执行用于将第二极性的第二电压施加至存储单元的第二A写入操作以及用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的第一A写入操作的写入操作。
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公开(公告)号：CN112769212A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011124288.5
申请日：2020-10-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 电子系统装置包括：生成电源电压的功率生成装置；与功率生成装置连接的衬底偏置生成电路；存储器电路；监控电路；以及电容器，其经由开关而连接至衬底偏置生成电路。衬底偏置生成电路从电源电压生成衬底偏置电压，并且在开关处于接通状态时，基于衬底偏置电压而向电容器供应电荷。当开关处于关断状态时，电容器基于衬底偏置电压来存储所累积的电荷。当开关处于接通状态时，衬底偏置生成电路基于衬底偏置电压以添加到所保持的电荷，并声明反向偏置电压。衬底偏置生成电路将反向偏置电压供应给存储器电路。
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公开(公告)号：CN103675343B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310386250.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 田边昭
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明公开了一种加速度检测元件。加速度检测元件1包括外框体2、发热体3、温度检测用的第1测温体4及第2测温体5以及运算放大器6（差分运算电路）。外框体2在内部形成有能够密封流体的流体缸11（流体密封室）。发热体3形成于对流体缸11进行分隔的多个内壁中特定的内壁面即电路安装面12（特定内壁面）上。第1测温体4及第2测温体5形成于电路安装面12上。如图3所示，从第1测温体4到发热体3的距离D1比从第2测温体5到发热体3的距离D2短。运算放大器6计算第1测温体4的测定结果和第2测温体5的测定结果的差。
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公开(公告)号：CN102098003A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010541803.X
申请日：2010-11-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 田边昭
IPC: H03B5/12
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/124 , H03B5/1265 , H03B5/1268
Abstract: 提供一种振荡电路及半导体装置，该振荡电路的频率可变范围较宽。振荡电路是共振型振荡电路，包括：电感元件，连接在第1端子与第2端子之间；放大电路，与电感元件并联连接在第1端子与第2端子之间；以及第1电容元件，连接在第1端子与第2端子之间，在电感元件的布线的中途设置两处以上的引出部，在两处以上所设置的引出部之间并联连接有导通时使该引出部之间短路的开关元件和第2电容元件。
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公开(公告)号：CN107888179B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710824613.0
申请日：2017-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 田边昭
IPC: H03K19/017 , H03K19/0185
Abstract: 本公开涉及半导体装置。现有技术的反向偏置生成电路由于驱动功率降低以降低待机状态下的功耗而导致在操作状态和待机状态之间转变需要较长时间的问题。反向偏置生成电路输出预定电压。预定电压是待机模式下的衬底的反向偏置电压。偏置控制电路当电路块处于操作模式时存储电荷，当电路块从操作模式转变到待机模式时，将所存储的电荷供应给包括在电路块中的MOSFET的衬底，随后将反向偏置生成电路的输出供应给MOSFET的衬底。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107888179A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710824613.0
申请日：2017-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 田边昭
IPC: H03K19/017 , H03K19/0185
Abstract: 本公开涉及半导体装置。现有技术的反向偏置生成电路由于驱动功率降低以降低待机状态下的功耗而导致在操作状态和待机状态之间转变需要较长时间的问题。反向偏置生成电路输出预定电压。预定电压是待机模式下的衬底的反向偏置电压。偏置控制电路当电路块处于操作模式时存储电荷，当电路块从操作模式转变到待机模式时，将所存储的电荷供应给包括在电路块中的MOSFET的衬底，随后将反向偏置生成电路的输出供应给MOSFET的衬底。
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公开(公告)号：CN103675343A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310386250.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 田边昭
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明公开了一种加速度检测元件。加速度检测元件1包括外框体2、发热体3、温度检测用的第1测温体4及第2测温体5以及运算放大器6（差分运算电路）。外框体2在内部形成有能够密封流体的流体缸11（流体密封室）。发热体3形成于对流体缸11进行分隔的多个内壁中特定的内壁面即电路安装面12（特定内壁面）上。第1测温体4及第2测温体5形成于电路安装面12上。如图3所示，从第1测温体4到发热体3的距离D1比从第2测温体5到发热体3的距离D2短。运算放大器6计算第1测温体4的测定结果和第2测温体5的测定结果的差。
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公开(公告)号：CN109976426A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811492887.5
申请日：2018-12-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置、传感器终端以及半导体装置控制方法。当在操作状态下温度改变时，需要确保在预定操作频率下的操作。半导体装置包括：被施加有衬底偏压的偏压施加部；用于检测温度的温度传感器；以及用于向偏压施加部施加与由温度传感器检测到的温度相对应的衬底偏压的衬底偏压生成器。偏压施加部在由衬底偏压生成器施加衬底偏压时，偏压施加部在操作状态与停止状态之间变换。衬底偏压生成器向偏压施加部施加被配置成在所述温度传感器检测到的温度的条件下、不使用于偏压施加部的操作频率的上限小于预定值的衬底偏压。
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公开(公告)号：CN105609132A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510800604.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0092 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3422
Abstract: 一种半导体存储装置，具有使用可变电阻元件的至少一个存储单元，以及控制存储单元的写入和读取的控制电路。通过控制电路实现的操作包括第一写入操作，第二写入操作以及重写操作。第一写入操作是用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的写入操作。第二写入操作是用于将与第一极性相反的第二极性的第二电压施加至存储单元的写入操作。重写操作是在第一写入操作失败时，用于进一步执行用于将第二极性的第二电压施加至存储单元的第二A写入操作以及用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的第一A写入操作的写入操作。
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