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公开(公告)号：CN107260125A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710225118.8
申请日：2017-04-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: A61B5/00
CPC classification number: A61B5/7285 , A61B5/0002 , A61B5/002 , A61B5/01 , A61B5/021 , A61B5/1118 , A61B5/742 , A61B2560/0209 , A61B2560/0242 , A61B2560/0252 , A61B2560/0431 , A61B2560/0475 , A61B2562/029 , A61B5/00
Abstract: 本申请涉及传感器系统。为了根据能够影响待测对象的外部指标的变化来适当地设置用于测量待测对象的传感器的测量条件，传感器系统包括：第一传感器和第二传感器；确定单元，当第一传感器的测量结果满足预定条件时，输出检测信号；测量条件存储单元，用于存储第二传感器的测量条件；以及控制单元，用于当接收到检测信号时与根据测量条件的测量分开地执行通过第二传感器的测量，并且基于所执行的测量的结果来更新存储在测量条件存储单元中的第二传感器的测量条件。
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公开(公告)号：CN111800005B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010231529.X
申请日：2020-03-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件、电子系统装置及其驱动方法。电子系统装置包括半导体器件和用于生成电源电压的功率生成装置。半导体器件包括经由电源节点与功率生成装置耦合的控制电路以及与控制电路耦合的衬底偏置控制电路。电子系统装置包括DC‑DC转换器以及设置在电源节点和DC‑DC转换器之间的开关。控制电路在接收到电源电压后将开关设置为接通状态。在开关被控制为接通状态后，DC‑DC转换器接收电源电压。衬底偏置控制电路在DC‑DC转换器接收到电源电压前向控制电路提供衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN111033721B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201780094075.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 在一实施方式的半导体器件中，将构成模拟电路的场效应晶体管形成于其上的SOI衬底的半导体层的厚度设置为2nm以上且24nm以下。
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公开(公告)号：CN112769212A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011124288.5
申请日：2020-10-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 电子系统装置包括：生成电源电压的功率生成装置；与功率生成装置连接的衬底偏置生成电路；存储器电路；监控电路；以及电容器，其经由开关而连接至衬底偏置生成电路。衬底偏置生成电路从电源电压生成衬底偏置电压，并且在开关处于接通状态时，基于衬底偏置电压而向电容器供应电荷。当开关处于关断状态时，电容器基于衬底偏置电压来存储所累积的电荷。当开关处于接通状态时，衬底偏置生成电路基于衬底偏置电压以添加到所保持的电荷，并声明反向偏置电压。衬底偏置生成电路将反向偏置电压供应给存储器电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111734874A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010196391.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件。半导体器件控制第一电路，该第一电路用于向由线圈和可动铁芯构成的闭锁螺线管和永磁体提供/停止由直流电源提供的电流，该电流基于来自电流检测电路的输入来测量。该半导体器件包括控制电路，该控制电路具有低功耗模式和正常操作模式，在该低功耗模式中泄漏电流减小。当没有电流流过线圈时，控制电路保持低功耗模式，而当电流流过线圈时，保持正常操作模式。所述控制电路进一步被配置成在可动铁芯与永磁体分离时检测由电流检测电路检测到的电流的拐点。
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公开(公告)号：CN109976426A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811492887.5
申请日：2018-12-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置、传感器终端以及半导体装置控制方法。当在操作状态下温度改变时，需要确保在预定操作频率下的操作。半导体装置包括：被施加有衬底偏压的偏压施加部；用于检测温度的温度传感器；以及用于向偏压施加部施加与由温度传感器检测到的温度相对应的衬底偏压的衬底偏压生成器。偏压施加部在由衬底偏压生成器施加衬底偏压时，偏压施加部在操作状态与停止状态之间变换。衬底偏压生成器向偏压施加部施加被配置成在所述温度传感器检测到的温度的条件下、不使用于偏压施加部的操作频率的上限小于预定值的衬底偏压。
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公开(公告)号：CN111734874B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202010196391.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件。半导体器件控制第一电路，该第一电路用于向由线圈和可动铁芯构成的闭锁螺线管和永磁体提供/停止由直流电源提供的电流，该电流基于来自电流检测电路的输入来测量。该半导体器件包括控制电路，该控制电路具有低功耗模式和正常操作模式，在该低功耗模式中泄漏电流减小。当没有电流流过线圈时，控制电路保持低功耗模式，而当电流流过线圈时，保持正常操作模式。所述控制电路进一步被配置成在可动铁芯与永磁体分离时检测由电流检测电路检测到的电流的拐点。
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公开(公告)号：CN111800005A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010231529.X
申请日：2020-03-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件、电子系统装置及其驱动方法。电子系统装置包括半导体器件和用于生成电源电压的功率生成装置。半导体器件包括经由电源节点与功率生成装置耦合的控制电路以及与控制电路耦合的衬底偏置控制电路。电子系统装置包括DC-DC转换器以及设置在电源节点和DC-DC转换器之间的开关。控制电路在接收到电源电压后将开关设置为接通状态。在开关被控制为接通状态后，DC-DC转换器接收电源电压。衬底偏置控制电路在DC-DC转换器接收到电源电压前向控制电路提供衬底偏置电压。
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