公开(公告)号：CN115023801A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180010299.7

申请日：2021-01-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 根本拓 ,  田村樱子 ,  古野健太 ,  古贺遥

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及带保护膜的半导体芯片的剥离方法、包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的包含带保护膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法包括：工序(S1)：将多个带保护膜的半导体芯片以所述保护膜侧为贴合面贴合于粘合剂层(X1)的工序；工序(S2)：使所述多个带保护膜的半导体芯片中的一部分带保护膜的半导体芯片的所述保护膜的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分带保护膜的半导体芯片与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。

公开(公告)号：CN113214745A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110148435.0

申请日：2021-02-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  米山裕之 ,  古野健太

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片(10)和形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜(13)，所述支撑片的所述保护膜形成用膜(13)侧的面(10a)(12a)在23℃下的探针初粘力值为500mN以上，所述支撑片的所述保护膜形成用膜(13)侧的面(10a)(12a)在0℃下的环形初粘力值为500mN以上。

公开(公告)号：CN112825306A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011302243.2

申请日：2020-11-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  山本大辅

IPC: H01L21/683 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00

Abstract: 本发明提供一种具备第一层叠体(5)和支撑片(10)的套件(1)，所述第一层叠体(5)中依次层叠有第一剥离膜(151)、保护膜形成膜(13)及第二剥离膜(152)，使用70℃的层压辊将保护膜形成膜(13)贴附在经镜面加工的硅晶圆的镜面上，完成所述贴附5分钟后的、以100mm/分钟的剥离速度、于23℃的温度下测定的保护膜形成膜(13)与所述硅晶圆之间的180°剥离粘着力为900mN/25mm以上。

公开(公告)号：CN108350108B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201680062585.7

申请日：2016-10-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 稻男洋一 ,  小桥力也 ,  古野健太

IPC: C08F2/46 ,  C09J4/00 ,  C09J7/29 ,  C09J7/50 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜，该保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性：在通过照射能量线使该保护膜形成用膜固化而形成固化物时，该固化物的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。

公开(公告)号：CN111373509A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075847.2

申请日：2018-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  古野健太

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种支撑片，其具备基材，且在基材上具备粘着剂层，基材的粘着剂层侧的面为凹凸面，从支撑片的5处切取试验片，并观察这5片试验片中的粘着剂层的截面时，(相邻的明显的顶点之间的直线距离的合计)/(在水平于粘着剂层的方向上的直线距离)的比的平均值(R值)为1.5以上且小于5.0。本发明提供一种保护膜形成用复合片，其在该支撑片中的粘着剂层上具备保护膜形成用膜。

公开(公告)号：CN111466014B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201880079841.2

申请日：2018-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  古野健太

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片，并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜，所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面，从所述保护膜形成用复合片的5处裁切试验片，并分别对这5片试验片的所述保护膜形成用膜与所述支撑片的非贴合区域的层间距离进行测定时，所述层间距离为0.5μm以下。

公开(公告)号：CN116234693A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180063657.0

申请日：2021-12-28

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古川喜章 ,  古野健太 ,  福元彰朗 ,  若山洋司 ,  山口征太郎

IPC: B32B27/00

Abstract: 本发明提供一种即使为微细的工件小片也能够良好地进行处理的工件处理片。一种工件处理片1，其具备基材11与界面剥蚀层12，所述界面剥蚀层12层叠在基材11的一个面侧上，所述界面剥蚀层12能够保持工件小片，同时通过激光的照射而进行界面剥蚀，所述工件处理片1的特征在于：对进行了以190mJ/cm2的光量照射波长为365nm的紫外线的第一紫外线照射的工件处理片1进一步进行以950mJ/cm2的光量照射波长为365nm的紫外线的第二紫外线照射的情况下，界面剥蚀层12将所述第二紫外线照射中的紫外线的光能转换为热能时的转换效率为60％以上。

公开(公告)号：CN112703239B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201980059711.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  米山裕之 ,  山本大辅

IPC: C09J175/04 ,  H01L21/301 ,  C09J7/35

Abstract: 本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。

公开(公告)号：CN111417513B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201980006068.1

申请日：2019-03-08

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  米山裕之

IPC: B32B7/022 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  C09J7/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，该基材具有‑15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。

公开(公告)号：CN111630631A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880086844.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  古野健太

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种支撑片，其具备基材，且在基材上具备粘着剂层，基材的粘着剂层侧的面为凹凸面，从支撑片的5处切取大小为3mm×3mm的试验片，并求出这5片试验片中的粘着剂层的所述基材侧的相邻的凸部的顶点间的间距的平均值时，所述间距的平均值为3μm以上且小于15μm。保护膜形成用复合片在该支撑片中的粘着剂层上具备保护膜形成用膜。