一种充电功率可配置的多口快充适配器及其配置方法

    公开(公告)号:CN115117961A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210716704.3

    申请日:2022-06-23

    Inventor: 赖钦伟

    Abstract: 本发明公开了一种充电功率可配置的多口快充适配器及其配置方法,多口快充适配器包括:第一数量的充电接口,用于对连接的智能设备供电;第二数量的充电接口功率配置按键,用于改变第一数量的充电接口的供电状态。本发明通过设置充电接口功率配置按键实现用户能够主观的切换充电接口的供电状态,结合自身需求通过充电接口功率配置按键实现对多口快充适配器充电功率的配置,有效提高用户使用体验。

    一种多口快充充电电源以及充电方法

    公开(公告)号:CN115021381A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210698213.0

    申请日:2022-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种多口快充充电电源以及充电方法,所述多口快充充电电源通过多个充电控制模块同步各自充电接口的状态,然后基于充电接口的状态控制光电耦合器的光耦信号变化,进一步控制交直流转换模块的输出电压,从而为相应的充电接口提供快充电压。其中,本发明只需一个光电耦合器,即多个充电控制模块共用一路光电耦合器的光耦信号便可实现多口快充,且无需通过额外的MCU进行充电接口的插拔监测以及对不同的接口状态进行功率分配,简化了电路结构以及功率分配流程。此外,本发明只需一个电压控制模块就可以实现多口快充,进一步简化了电路结构,大大降低了BOM成本。

    一种多口快充充电电源
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218498860U

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202221542711.8

    申请日:2022-06-20

    Abstract: 本实用新型公开了一种多口快充充电电源,所述多口快充充电电源通过多个充电控制模块同步各自充电接口的状态,然后基于充电接口的状态控制光电耦合器的光耦信号变化,进一步控制交直流转换模块的输出电压,从而为相应的充电接口提供快充电压。其中,本实用新型只需一个光电耦合器,即多个充电控制模块共用一路光电耦合器的光耦信号便可实现多口快充,且无需通过额外的MCU进行充电接口的插拔监测以及对不同的接口状态进行功率分配,简化了电路结构以及功率分配流程。此外,本实用新型只需一个电压控制模块就可以实现多口快充,进一步简化了电路结构,大大降低了BOM成本。

    充电功率可配置的多口快充适配器

    公开(公告)号:CN218040834U

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202221580971.4

    申请日:2022-06-23

    Inventor: 赖钦伟

    Abstract: 本实用新型公开了一种充电功率可配置的多口快充适配器,多口快充适配器包括:第一数量的充电接口,用于对连接的智能设备供电;第二数量的充电接口功率配置按键,用于改变第一数量的充电接口的供电状态。本实用新型通过设置充电接口功率配置按键实现用户能够主观的切换充电接口的供电状态,结合自身需求通过充电接口功率配置按键实现对多口快充适配器充电功率的配置,有效提高用户使用体验。

    一种图像获取装置、机器人和机器人图像获取方法

    公开(公告)号:CN114422768B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202210176021.3

    申请日:2022-02-24

    Inventor: 赖钦伟 严勇显

    Abstract: 本发明公开一种图像获取装置、机器人和机器人图像获取方法,包括主体,所述主体包括底座、第一摄像组件和第二摄像组件,每组摄像组件包括第一摄像头和第二摄像头,所述每组摄像组件的两个摄像头实现双目摄像头的功能;所述第一摄像组件的第一摄像头的中轴线和第二摄像组件的第一摄像头的中轴线之间的夹角为设定角度,所述第一摄像组件的第一摄像头的中轴线和第二摄像组件的第一摄像头的中轴线之间的夹角与第一摄像组件的第二摄像头的中轴线和第二摄像组件的第二摄像头的中轴线之间的夹角相等。通过以特定结构设置的多个摄像头来实现更大角度的的双目应用,从而获取到更多的环境数据,从而实现比较好的避障效果。

    基于地址的存储器控制方法、映射控制系统及芯片

    公开(公告)号:CN119621616A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202311184290.5

    申请日:2023-09-14

    Inventor: 赖钦伟 王悦林

    Abstract: 本申请公开基于地址的存储器控制方法、映射控制系统及芯片,该存储器控制方法包括:执行第一非易失性存储器内保存的预设启动代码后,将所需访问的地址切换为第二非易失性存储器的物理地址,然后确定调用所述第二非易失性存储器,其中,第一非易失性存储器支持改写,第二非易失性存储器不支持改写;在调用所述第二非易失性存储器的情况下,若发生中断,则在所述第二非易失性存储器内的中断向量表中跳转至对应的中断向量处,再执行中断处理函数;其中,中断向量不支持修改;在调用所述第二非易失性存储器的情况下,基于外部传输给所述第二非易失性存储器的待执行地址,跳转并执行功能函数。提高非易失性存储器运用的灵活性。

    基于多层栅格地图的机器人定位方法、芯片及激光机器人

    公开(公告)号:CN118859233B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202310474756.9

    申请日:2023-04-28

    Abstract: 本申请公开基于多层栅格地图的机器人定位方法、芯片及激光机器人,机器人定位方法包括:机器人使用激光传感器采集激光点数据;机器人按照分辨率由低到高的顺序逐层获取多层栅格地图;机器人在当前层栅格地图中遍历各个候选解;机器人判断到当前遍历的候选解是可行解时,控制激光点数据在当前遍历的候选解处对应获得的多个占据概率值停止相加,再基于下一层栅格地图的分辨率与当前层栅格地图的分辨率之间的比值将判断出的可行解设置为下一层栅格地图的候选解,然后按照分辨率由低到高的顺序依次在各层栅格地图的候选解中递归判断可行解,直至确定出最优可行解,并将最优可行解设置为机器人的重定位结果。

    一种基于内存配置的霍夫变换控制方法、芯片及机器人

    公开(公告)号:CN113886079B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202111148843.2

    申请日:2021-09-29

    Inventor: 严勇显 赖钦伟

    Abstract: 本发明公开一种基于内存配置的霍夫变换控制方法、芯片及机器人,该霍夫变换控制方法包括以下步骤:每当对预先获得的二值图的有效点执行预设迭代次数的角度迭代扫描后,允许对应的点线距在预设参数映射空间内的纵坐标变化一次,以使得CPU依据所述预设参数映射空间的坐标信息来连续读取内存地址内的图像信息;其中,使用预设参数映射空间的横坐标表示直线的旋转角度,并将预设参数映射空间的横坐标配置为列地址;使用预设参数映射空间的纵坐标表示直线的点线距,并将预设参数映射空间的纵坐标配置为行地址;其中,预设参数映射空间是属于霍夫空间内的矩阵空间;霍夫空间是设置为一种内存空间。

    一种机器人的数据管理方法、芯片及机器人

    公开(公告)号:CN114311029B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202111577412.8

    申请日:2021-12-22

    Inventor: 赖钦伟 肖刚军

    Abstract: 本发明公开一种机器人的数据管理方法、芯片及机器人,所述机器人的数据管理方法具体包括:获取当前机器人运行数据;根据当前机器人运行数据判断机器人当前是否存在异常运行风险;若机器人当前存在异常运行风险,则将当前机器人运行数据存储至存储器中的锁定存储模块;若机器人当前不存在异常运行风险,则将当前机器人运行数据存储至存储器中的常规存储模块。本发明通过对机器人运行数据的异常运行风险预判断结果,将机器人存在异常运行风险的数据和不存在异常运行风险的数据在存储器中分区存储,便于对机器人异常运行数据进行故障分析,降低机器人故障数据追溯成本。

    一种相电流采样校准方法及系统
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118938101A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411143379.1

    申请日:2024-08-20

    Inventor: 赖钦伟 王悦林

    Abstract: 本申请公开一种相电流采样校准方法及系统,方法包括:第一采样时刻内采集第一相功率MOS管内阻对应的第一相电流和第二相功率MOS管内阻对应的第二相电流;第二采样时刻内采集母线电阻对应的母线电流,基于母线电流校准第一相功率MOS管内阻值和第二相功率MOS管内阻值。本申请通过在一个采样周期内通过第一采样时刻和第二采样时刻的切换控制,利用三相桥臂驱动电路中三相功率MOS管内阻作为电流采样电阻,再基于母线电阻对功率MOS管内阻进行校准,大幅降低采样成本,又根据母线电流解决了功率MOS管内阻温漂问题,有效优化相电流采样和功率MOS管内阻校准流程。

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