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公开(公告)号：CN116243222A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310256372.X
申请日：2023-03-16
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电阻器件及其制造方法、磁传感装置，包括顶电极层、磁电阻层以及底电极层；所述顶电极层包括多个顶电极；所述底电极层包括多个底电极；所述磁电阻层包括多个并排设置的磁堆叠，所述磁堆叠为第一磁堆叠或第二磁堆叠，所述第一磁堆叠中参考层与所述第二磁堆叠中参考层具有相反的磁化方向；多个所述第一磁堆叠、所述顶电极以及所述底电极连接形成第一磁电阻阵列和第三磁电阻阵列；多个所述第二磁堆叠、所述顶电极以及所述底电极连接形成第二磁电阻阵列和第四磁电阻阵列。通过本发明实现对磁电阻器件结构进行优化使其便于加工成型，达到节省制作流程以及节约成本的目的。
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公开(公告)号：CN116243222B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310256372.X
申请日：2023-03-16
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电阻器件及其制造方法、磁传感装置，包括顶电极层、磁电阻层以及底电极层；所述顶电极层包括多个顶电极；所述底电极层包括多个底电极；所述磁电阻层包括多个并排设置的磁堆叠，所述磁堆叠为第一磁堆叠或第二磁堆叠，所述第一磁堆叠中参考层与所述第二磁堆叠中参考层具有相反的磁化方向；多个所述第一磁堆叠、所述顶电极以及所述底电极连接形成第一磁电阻阵列和第三磁电阻阵列；多个所述第二磁堆叠、所述顶电极以及所述底电极连接形成第二磁电阻阵列和第四磁电阻阵列。通过本发明实现对磁电阻器件结构进行优化使其便于加工成型，达到节省制作流程以及节约成本的目的。
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公开(公告)号：CN118501783B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410684897.8
申请日：2024-05-30
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁场测量技术领域，公开了一种磁阻元件、磁开关传感器及电子设备，该磁阻元件包括4N个磁阻堆叠及软磁层，该磁阻堆叠包括至少1个第一铁磁层、至少1个第二铁磁层及位于第一铁磁层与第二铁磁层之间的非磁层；第一铁磁层及第二铁磁层具有闭合涡旋磁化图案；第一铁磁层与第二铁磁层之间具有反铁磁耦合；该软磁层平行于磁阻平面且靠近各磁阻堆叠用于将作用于各磁阻堆叠的Z轴磁场转换为平行于磁阻平面的磁场；在垂直或平行于磁阻平面的预设磁场范围内，磁阻元件能够对外磁场灵敏。本发明通过软磁层、第一铁磁层、第二铁磁层及非磁层的协同作用，使得磁阻元件能够对面内磁场或Z轴磁场实现响应。该磁阻元件结构简单且易于实现。
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公开(公告)号：CN118393407A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410737685.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 本发明属于磁传感器技术领域，公开了一种磁阻元件及其制备方法。该磁阻元件包括软磁层；该磁阻元件的制备方法包括：在基板的上方依次沉积种子层和绝缘层；通过光刻在种子层上方形成一底部为种子层、四周为绝缘层的容纳槽；通过电镀在容纳槽内填充软磁材料，得软磁层。本发明通过将容纳槽的周围材质替换为绝缘层，以避免光刻胶直接作用于软磁材料，以及通过绝缘层限制软磁层的成型结构，提高了所制得的磁阻元件的一致性及使用性能。该制备方法还具有制备难度低、易于工业化实现的有益效果。
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公开(公告)号：CN113702880B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111258971.2
申请日：2021-10-28
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种磁电阻传感器芯片，包括：第一、第二磁感应单元，感应单元均包括连接成惠斯通电桥的磁电阻单元，其中两个磁电阻单元被软磁材料屏蔽；罩在第二磁感应单元之外的导体罩，导体罩和第二磁感应单元由绝缘材料隔开；与第二磁感应单元的输出端相连的反馈调节电路；与反馈调节电路相连的导体，导体上的电流方向和磁电阻单元的磁敏感方向相垂直，第二磁感应单元与反馈调节电路及导体组成闭环零磁通电路；第一、第二磁感应单元位于导体的同一侧且与导体间的距离相同，能够感应外磁场的磁电阻单元在导体所在平面上的投影位于导体在其所在平面上的投影内。本发明的磁电阻传感器芯片在高频磁场的应用中具有对来自低频磁场的抗干扰能力，拥有更精准的输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112363097B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202011205282.0
申请日：2020-11-02
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 磁电阻传感器芯片，包括：第一感应单元，所述第一感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽；第二感应单元，所述第二感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽，另一对相对桥臂上的磁电阻处于偏置磁场中；数据处理单元，所述数据处理单元将所述第一感应单元的输出和所述第二感应单元的输出相除后，输出最终的感应信号。本发明通过设置两个感应单元，一个对外输出与温度和磁场有关的信号，另一个对外输出只与温度有关的信号，通过对两个输出信号进行除法处理，来消除外界温度对传感器芯片的干扰，减小传感器芯片的温漂，使传感器芯片具有更高的准确度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN118519081A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410685104.4
申请日：2024-05-30
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁场测量技术领域，公开了一种磁阻元件、磁开关传感器及电子设备，该磁阻元件包括至少1个磁阻堆叠；该磁阻堆叠包括至少1个第一铁磁层、至少1个第二铁磁层及位于第一铁磁层与第二铁磁层之间的非磁层；第一铁磁层及第二铁磁层具有闭合涡旋磁化图案；第一铁磁层与第二铁磁层之间具有反铁磁耦合；在平行于磁阻平面的预设磁场范围内，磁阻元件能够对外磁场灵敏。本发明通过磁阻堆叠中第一铁磁层、第二铁磁层及非磁层的协同作用，使得磁阻元件能够对面内磁场实现各向同性响应的有益效果。另外，该磁阻元件结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN118501783A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410684897.8
申请日：2024-05-30
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁场测量技术领域，公开了一种磁阻元件、磁开关传感器及电子设备，该磁阻元件包括4N个磁阻堆叠及软磁层，该磁阻堆叠包括至少1个第一铁磁层、至少1个第二铁磁层及位于第一铁磁层与第二铁磁层之间的非磁层；第一铁磁层及第二铁磁层具有闭合涡旋磁化图案；第一铁磁层与第二铁磁层之间具有反铁磁耦合；该软磁层平行于磁阻平面且靠近各磁阻堆叠用于将作用于各磁阻堆叠的Z轴磁场转换为平行于磁阻平面的磁场；在垂直或平行于磁阻平面的预设磁场范围内，磁阻元件能够对外磁场灵敏。本发明通过软磁层、第一铁磁层、第二铁磁层及非磁层的协同作用，使得磁阻元件能够对面内磁场或Z轴磁场实现响应。该磁阻元件结构简单且易于实现。
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公开(公告)号：CN113061855A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110242889.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种TMR芯片的制备方法，包括以下步骤：晶圆清洗，采用有机溶剂和去离子水交替清洗晶圆，然后用惰性气体吹干晶圆，再将晶圆烘干；离子清洗，对晶圆采用惰性气体进行离子清洗；负偏压低气压磁控溅射，将晶圆放入溅射设备腔体中，使用偏压电源在晶圆和设备腔体之间施加‑200～‑2000V的负偏压，在低于0.3pa的气压条件下进行磁控溅射；退火，退火温度为250～400℃。本发明方法从TMR芯片制备过程中材料生长的全局出发，考虑了在薄膜生长中的各环节影响膜层结合力的因素，并给以针对性的解决方案，使得TMR芯片膜层结合力良好，能经受住后续微加工环节的各种考验。
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公开(公告)号：CN112363097A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011205282.0
申请日：2020-11-02
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 磁电阻传感器芯片，包括：第一感应单元，所述第一感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽；第二感应单元，所述第二感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽，另一对相对桥臂上的磁电阻处于偏置磁场中；数据处理单元，所述数据处理单元将所述第一感应单元的输出和所述第二感应单元的输出相除后，输出最终的感应信号。本发明通过设置两个感应单元，一个对外输出与温度和磁场有关的信号，另一个对外输出只与温度有关的信号，通过对两个输出信号进行除法处理，来消除外界温度对传感器芯片的干扰，减小传感器芯片的温漂，使传感器芯片具有更高的准确度和灵敏度。
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